CY62148V的MoBL
4M （ 512K ×8）静态RAM
特点
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
超低有功功率
低待机功耗
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
在一个32引脚TSOPII和32引脚SOIC封装提供
包
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该装置可被置于待机模式时
取消选择（ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
功能说明
[1]
该CY62148V是一个高性能的CMOS静态RAM
由八位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05070修订版**
3901北一街
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年8月27日
CY62148V的MoBL
销刀豆网络gurations
TSOPII / SOIC
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62148VLL
分钟。
2.7
典型值。
[3]
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
70
我的操作
CC
（毫安）
典型值。
7
[3]
待我
SB2
, (A)
典型值。
2
[3]
最大
15
最大
20
3.0
电气特性
在整个工作范围
CY62148V-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
CMOS电平
V
CC
= 3.6V
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
+1
+1
7
1
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
15
2
20
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
OUT
= 0 mA时， F = 1 MHz的CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
< 0.3V ， F =
f
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
= 3.6V
I
SB2
注意事项：
2. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05070修订版**
第2 9
CY62148V的MoBL
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热
（结到环境）
阻力
[4]
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
OTHERS
待定
待定
BGA
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
热阻
[4]
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75V
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[5]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ;
0.3V ;没有输入可能超过V
CC
+ 0.3V
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
0.2
典型值。
[3]
马克斯。
3.6
5.5
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.0V
t
CDR
CE
V
DR
> 1.0 V
1.0V
t
R
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 10
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
10
s.
文件编号： 38-05070修订版**
第3 9
CY62148V的MoBL
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[9, 10]
[6]
CY62148V-70
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高来高-Z
[8]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[7, 8]
我们前高后低-Z
[7]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
0
70
10
25
5
25
10
70
35
分钟。
70
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05070修订版**
第4页第9
CY62148V的MoBL
开关波形
（续）
读周期2号
[12, 13]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
[9, 14, 15]
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
高
阻抗
数据输出
I
CC
50%
I
SB
写周期号1 （我们控制）
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
记
16
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期号2 （ CE控制）
[9, 14, 15]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据
IN
有效
t
HD
t
HA
t
SCE
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
14.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
15.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
16.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05070修订版**
第5 9
的MoBL
CY62148V的MoBL
512K ×8的MoBL静态RAM
特点
低电压范围：
— 2.7V–3.6V
超低有功功率
低待机功耗
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
该设备可置于待机模式时取消
（ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该CY62148V是采用36球FBGA封装， 32引脚TSOPII ，
和32引脚SOIC封装。
功能说明
该CY62148V是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为524,288字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
62148V-1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年3月23日
CY62148V的MoBL
销刀豆网络gurations
TSOPII / SOIC
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
FBGA
顶视图
1
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
OE
A
10
A
18
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
A
14
A
B
C
D
E
F
G
H
62148V–2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
产品
分钟。
CY62148V
2.7V
V
CC
范围
典型值。
[2]
3.0V
马克斯。
3.6V
速度
70纳秒
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
最大
7
15毫安
待机（我
SB2
)
Ty.p
[2]
2
A
最大
20
A
注意事项：
1. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
CY62148V的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62148V
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
I
OUT
= 0 mA时， （ F =
f
最大
= 1/t
RC
） CMOS
水平
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
+1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
OUT
= 0 mA时， F = 1 MHz的CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
V
CC
=
3.6V
LL
1
2
100
mA
A
I
SB2
1
2
50
20
A
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
[3]
（结到环境）
热阻
[3]
（结点到外壳）
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
OTHERS
待定
待定
BGA
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
3
CY62148V的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[5]
(2.7V–3.6V
操作）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[7 ]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
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