CY62147DV18
MoBL2
4 -MB （ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
与CY62147CV18引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 6毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， OE和特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
软件包提供48焊球BGA
模式，功耗降低，当超过99％的
取消选择（ CE为高或都BLE和BHE是HIGH ） 。该
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个高im-
当pedance状态：取消（ CE HIGH ） ，输出显示
体健（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和低字节使能
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低和WE低）。
写设备通过发出芯片恩完成
能（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备中读取被断言芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
对于一个完整的描述的真值表的读写
模式。
该CY62147DV18是采用48球FBGA封装。
功能说明
[1]
该CY62147DV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
功耗。该装置还可以将其置于待机
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
POW
-
唐氏儿
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05343牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年2月26日
CY62147DV18
MoBL2
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
注意事项：
2. NC引脚内部没有连接上的芯片。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 2
CY62147DV18
MoBL2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................- 0.2V至+ V
CC（ MAX）的
+ 0.2V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5,6]
..........................- 0.2V至V
CC（ MAX）的
+ 0.2V
直流输入电压
[5,6]
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
CY62147DV18LL
范围
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[7]
CY62147DV18L工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
.....................- 0.2V至V
CC （最大）
+ 0.2V
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62147DV18L
CY62147DV18LL
CY62147DV18L
CY62147DV18LL
1.65
1.8
2.25
70
1.0
2.0
6
分钟。
1.65
典型值。
[7]
1.8
马克斯。
2.25
速度
（纳秒）
55
F = 1MHz的
典型值。
[7]
1.0
马克斯。
2.0
6
f = f
最大
典型值。
[7]
马克斯。
15
10
15
10
0.5
待我
SB2
(A)
典型值。
[7]
0.5
马克斯。
18
12
18
12
电气特性在工作范围
CY62147DV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
6
MIN 。 TYP 。
[7]
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V 1.4
0.4
+1
+1
12
8
6
15
10
1
1
1.5
2
1
1
6
–0.2
–1
–1
6
马克斯。
CY62147DV18-70
MIN 。 TYP 。
[7]
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
12
8
15
10
1.5
2
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作F = F
最大
= 1/t
RC
电源电流
V
CC（ MAX）的
= 1.95V L
I
OUT
= 0毫安
LL
CMOS电平
V
CC（ MAX）的
= 2.25V L
I
OUT
= 0毫安
LL
CMOS电平
F = 1 MHz的
V
CC（ MAX）的
= 1.95V L
LL
V
CC（ MAX）的
= 2.25V L
LL
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
=V
CC
+ 0.75V的脉冲持续时间小于20ns 。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 3
CY62147DV18
MoBL2
电气特性在工作范围
（续）
CY62147DV18-55
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
测试条件
CE > V
CC
0.2V,
V
CC（ MAX）的
=1.95V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V,
V
IN
<0.2V ） ; F = F
最大
（地址和数据V
CC（ MAX）的
=2.25V
只） ， F = 0 （ OE ，
WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V, V
CC（ MAX）的
=1.95V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
V
CC（ MAX）的
=2.25V
L
LL
L
LL
L
LL
L
LL
0.5
0.5
0.5
MIN 。 TYP 。
[7]
0.5
马克斯。
12
8
18
12
12
8
18
12
0.5
0.5
0.5
CY62147DV18-70
MIN 。 TYP 。
[7]
0.5
马克斯。
12
8
18
12
12
8
18
12
A
单位
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
电容
对于所有包
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[8]
热阻
（结点到外壳）
[8]
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 4层印刷电路上
板
BGA
75
10
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
该
蛇毒等效
R
TH
产量
V
单位
V
1.80V
13500
10800
6000
0.80
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V CE > V
CC
– 0.2V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
6
4
ns
ns
典型值。
[7]
马克斯。
单位
V
A
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 4
CY62147DV18
MoBL2
数据保存波形
[9]
wqewqewq
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
开关特性
在整个工作范围
[10.]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
我们前高后低-Z
[11]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
16
16
10
20
25
0
55
55
70
70
10
20
25
70
50
50
0
0
45
50
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[11]
分钟。
55
10
5
10
0
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
[11, 12]
10
BLE / BHE高到高阻态
55
40
40
0
0
40
40
25
0
10
注意事项：
9. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号，或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11个5
CY62147DV18
MoBL2
4 -MB （ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
与CY62147CV18引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 6毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， OE和特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
软件包提供48焊球BGA
模式，功耗降低，当超过99％的
取消选择（ CE为高或都BLE和BHE是HIGH ） 。该
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个高im-
当pedance状态：取消（ CE HIGH ） ，输出显示
体健（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和低字节使能
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低和WE低）。
写设备通过发出芯片恩完成
能（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备中读取被断言芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
对于一个完整的描述的真值表的读写
模式。
该CY62147DV18是采用48球FBGA封装。
功能说明
[1]
该CY62147DV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
功耗。该装置还可以将其置于待机
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
POW
-
唐氏儿
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05343牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年2月26日
CY62147DV18
MoBL2
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
注意事项：
2. NC引脚内部没有连接上的芯片。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 2
CY62147DV18
MoBL2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................- 0.2V至+ V
CC（ MAX）的
+ 0.2V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5,6]
..........................- 0.2V至V
CC（ MAX）的
+ 0.2V
直流输入电压
[5,6]
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
CY62147DV18LL
范围
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[7]
CY62147DV18L工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
.....................- 0.2V至V
CC （最大）
+ 0.2V
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62147DV18L
CY62147DV18LL
CY62147DV18L
CY62147DV18LL
1.65
1.8
2.25
70
1.0
2.0
6
分钟。
1.65
典型值。
[7]
1.8
马克斯。
2.25
速度
（纳秒）
55
F = 1MHz的
典型值。
[7]
1.0
马克斯。
2.0
6
f = f
最大
典型值。
[7]
马克斯。
15
10
15
10
0.5
待我
SB2
(A)
典型值。
[7]
0.5
马克斯。
18
12
18
12
电气特性在工作范围
CY62147DV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
6
MIN 。 TYP 。
[7]
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V 1.4
0.4
+1
+1
12
8
6
15
10
1
1
1.5
2
1
1
6
–0.2
–1
–1
6
马克斯。
CY62147DV18-70
MIN 。 TYP 。
[7]
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
12
8
15
10
1.5
2
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作F = F
最大
= 1/t
RC
电源电流
V
CC（ MAX）的
= 1.95V L
I
OUT
= 0毫安
LL
CMOS电平
V
CC（ MAX）的
= 2.25V L
I
OUT
= 0毫安
LL
CMOS电平
F = 1 MHz的
V
CC（ MAX）的
= 1.95V L
LL
V
CC（ MAX）的
= 2.25V L
LL
注意事项：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
=V
CC
+ 0.75V的脉冲持续时间小于20ns 。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 3
CY62147DV18
MoBL2
电气特性在工作范围
（续）
CY62147DV18-55
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
测试条件
CE > V
CC
0.2V,
V
CC（ MAX）的
=1.95V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V,
V
IN
<0.2V ） ; F = F
最大
（地址和数据V
CC（ MAX）的
=2.25V
只） ， F = 0 （ OE ，
WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V, V
CC（ MAX）的
=1.95V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
V
CC（ MAX）的
=2.25V
L
LL
L
LL
L
LL
L
LL
0.5
0.5
0.5
MIN 。 TYP 。
[7]
0.5
马克斯。
12
8
18
12
12
8
18
12
0.5
0.5
0.5
CY62147DV18-70
MIN 。 TYP 。
[7]
0.5
马克斯。
12
8
18
12
12
8
18
12
A
单位
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
电容
对于所有包
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[8]
热阻
（结点到外壳）
[8]
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 4层印刷电路上
板
BGA
75
10
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
该
蛇毒等效
R
TH
产量
V
单位
V
1.80V
13500
10800
6000
0.80
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V CE > V
CC
– 0.2V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
6
4
ns
ns
典型值。
[7]
马克斯。
单位
V
A
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11 4
CY62147DV18
MoBL2
数据保存波形
[9]
wqewqewq
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
开关特性
在整个工作范围
[10.]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
我们前高后低-Z
[11]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
16
16
10
20
25
0
55
55
70
70
10
20
25
70
50
50
0
0
45
50
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[11]
分钟。
55
10
5
10
0
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
[11, 12]
10
BLE / BHE高到高阻态
55
40
40
0
0
40
40
25
0
10
注意事项：
9. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号，或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11个5
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