CY62146V的MoBL
4M （ 256K ×16 ）静态RAM
特点
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
超低工作，待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
在一个标准44引脚TSOP II型封装提供
（正向引脚排列）封装
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
（ CE HIGH ） ，输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62146V是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。这些器件具有
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
（的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K × 16
RAM阵列
2048 × 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05159修订版**
3901北一街
A
14
A
15
A
16
A
17
A
11
A
12
A
13
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年8月27日
CY62146V的MoBL
销刀豆网络gurations
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................- 0.5V至VCC + 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62146VLL
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[3]
V
CC （最大）
2.7
3.0
3.6
速度
（纳秒）
70
我的操作
CC
（毫安）
典型值。
[3]
7
最大
15
2
待我
SB2
, (A)
典型值。
[3]
最大
20
注意事项：
2. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05159修订版**
第10 2
CY62146V的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62146V-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
,
CMOS电平
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
+1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
OUT
= 0 mA时， F = 1MHz时，
CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
= 3.6V
1
2
2
20
mA
A
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[4]
热阻
（结点到外壳）
[4]
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
BGA
55
16
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
(a)
(b)
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
(c)
相当于：
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05159修订版**
第10 3
CY62146V的MoBL
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1105
1550
645
1.75
单位
欧
欧
欧
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[5]
描述
V
CC
数据保留）
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ;
0.3V ;没有输入可能超过V
CC
+ 0.3V
0
70
条件
MIN 。 TYP 。
[3]
马克斯。
1.0
1
3.6
10
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[9, 10]
t
WC
写周期时间
读周期时间
地址到数据有效
[6]
70纳秒
描述
分钟。
70
70
10
70
25
5
20
10
20
0
70
35
5
20
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到
低Z
[7, 8]
OE高来高-Z
[8]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
BHE / BLE高来高-Z
注意事项：
5.全AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 10
s
或稳定的V
CC（分钟）
>10
s.
6.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定的，和输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05159修订版**
第10 4
QQ：2880707522 复制
