CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62137CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62137CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62137CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62137CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62137V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低和超低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
48球FBGA封装提供
在便携式应用，如蜂窝长焦附加镜的生活（的MoBL ）
手机。该器件还具有自动省电为特色的
TURE由80％显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，功耗降低超过
当取消99 ％ （ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出
看跌期权被禁用（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和字节
低启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137CV25 / 30 /33和CY62137CV是高性
曼斯CMOS静态RAM， 16组织为128K字
位。这些器件具有先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
战俘下移
er
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05201牧师* D
3901北一街
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137CV25
CY62137CV30
CY62137CV33
CY62137CV
范围
环境
温度T
A
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62137CV25LL
CY62137CV30LL
CY62137CV33LL
CY62137CVLL
CY62137CVSL
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[5]
V
CC （最大）
2.2
2.7
3.0
2.7V
2.7V
2.5
3.0
3.3
3.3
3.3
2.7
3.3
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
55
70
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
7
5.5
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
15
12
12
12
5
1
15
5
5
15
2
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05201牧师* D
分页： 13 2
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
10
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
CY62137CV25-70
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
CMOS输入
I
SB2
CY62137CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
典型值。
[5]
马克斯。
CY62137CV30-70
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV33-55
参数
V
OH
V
OL
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
0.4
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.4
CY62137CV33-70
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.4
2.4
0.4
0.4
V
V
V
V
文件编号： 38-05201牧师* D
第13 3
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62137CV33-55
参数
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，显示输出
体健
F = 1 MHz的
I
SB1
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS
水平
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
CY62137CV33-70
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
V
V
A
A
mA
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
LL
掉电电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< SL
输入
0.2V,
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
5
15
5
1
15
5
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[6]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.20
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05201牧师* D
第13 4
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
LL
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2V SL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[5]
马克斯。
V
CCmax
6
4
A
ns
ns
单位
V
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[8]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
开关特性
在整个工作范围
[9]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[11]
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE低到写结束
55
45
70
60
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高来高-Z
[10, 12]
CE低到低Z
[10]
CE高来高-Z
[10, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[10]
BHE / BLE高来高-Z
[10, 12]
5
20
0
55
55
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
为
任何给定的设备。
11.如果两个字节使能切换起来这个值是10纳秒。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05201牧师* D
第13个5
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
电压范围：
- CY62137CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62137CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62137CV33 ： 3.0V - 3.6V
- CY62137CV ： 2.7V - 3.6V
与CY62137V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低和超低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
48球FBGA封装提供
在便携式应用，如蜂窝长焦附加镜的生活（的MoBL ）
手机。该器件还具有自动省电为特色的
TURE由80％显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，功耗降低超过
当取消99 ％ （ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ） ，输出
看跌期权被禁用（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和字节
低启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137CV25 / 30 /33和CY62137CV是高性
曼斯CMOS静态RAM， 16组织为128K字
位。这些器件具有先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
战俘下移
er
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05201牧师* D
3901北一街
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月20日
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
FBGA （顶视图）
4
2
5
3
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[4]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137CV25
CY62137CV30
CY62137CV33
CY62137CV
范围
环境
温度T
A
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62137CV25LL
CY62137CV30LL
CY62137CV33LL
CY62137CVLL
CY62137CVSL
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[5]
V
CC （最大）
2.2
2.7
3.0
2.7V
2.7V
2.5
3.0
3.3
3.3
3.3
2.7
3.3
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
55
70
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[5]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[5]
7
5.5
7
5.5
7
5.5
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
15
12
12
12
5
1
15
5
5
15
2
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[5]
2
马克斯。
10
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05201牧师* D
分页： 13 2
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
10
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
典型值。
[5]
CY62137CV25-70
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
CMOS输入
I
SB2
CY62137CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
10
典型值。
[5]
马克斯。
CY62137CV30-70
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
10
A
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流 - V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
CMOS输入
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV33-55
参数
V
OH
V
OL
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
0.4
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.4
CY62137CV33-70
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.4
2.4
0.4
0.4
V
V
V
V
文件编号： 38-05201牧师* D
第13 3
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62137CV33-55
参数
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，显示输出
体健
F = 1 MHz的
I
SB1
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS
水平
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
15
CY62137CV33-70
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[5]
MAX 。 UNIT
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
15
A
V
V
A
A
mA
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
掉电电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
输入
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
LL
掉电电流-CMOS V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< SL
输入
0.2V,
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
5
15
5
1
15
5
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[6]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.20
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05201牧师* D
第13 4
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
LL
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2V SL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[5]
马克斯。
V
CCmax
6
4
A
ns
ns
单位
V
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[8]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
开关特性
在整个工作范围
[9]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[11]
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE低到写结束
55
45
70
60
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高来高-Z
[10, 12]
CE低到低Z
[10]
CE高来高-Z
[10, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[10]
BHE / BLE高来高-Z
[10, 12]
5
20
0
55
55
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
注意事项：
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
9.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
为
任何给定的设备。
11.如果两个字节使能切换起来这个值是10纳秒。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05201牧师* D
第13个5
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
2M （ 128K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车： -40 ° C至+ 125°C
与CY62137V引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
(70-ns
速度）
低和超低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的在无铅和无无铅48球FBGA
套餐
生活 （的MoBL
）在便携式应用中，例如蜂窝
电话。该器件还具有自动断电
特征由80％显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，功耗降低超过
当取消99 ％ （ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE HIGH ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
写操作（ CE低， WE LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137CV25 / 30 /33和CY62137CV是高性
曼斯CMOS静态RAM， 16组织为128K字
位。这些器件具有先进的电路设计，提供
超低的有功电流。这是理想的提供更多的电池
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
掉电
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05201牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年1月6日
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
引脚配置
[2, 3]
48球FBGA封装引脚
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
功耗
工作，我
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62137CV25LL
CY62137CV30LL
CY62137CV30LL
CY62137CV33LL
CY62137CVLL
CY62137CVSL
范围
产业
产业
汽车
产业
产业
产业
分钟。
2.2
2.7
2.7
3.0
2.7V
2.7V
典型值。
[4]
2.5
3.0
3.0
3.3
3.3
3.3
马克斯。
2.7
3.3
3.3
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
70
55
70
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
3
3
3
3
3
f = f
最大
典型值。
[4]
7
5.5
7
5.5
5.5
7
5.5
5.5
5.5
马克斯。
15
12
15
12
15
15
12
12
12
5
1
15
5
2
5
15
15
2
10
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[4]
2
马克斯。
10
注意事项：
2. NC引脚未连接到模具上。
3， E3 （ DNU ）可以保留为NC或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05201牧师* F
分页： 13 2
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
DC输入
电压
[5]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137CV25
CY62137CV30
CY62137CV33
CY62137CV
范围
产业
环境
温度T
A
V
CC
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
2.7V至3.6V
-40 ° C至+ 85°C 2.2V至2.7V
CY62137CV30汽车-40 ° C至+ 125°C 2.7V至3.3V
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
–1
–1
7
1.5
2
MIN 。 TYP 。
[4]
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.6
+1
+1
15
3
10
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
2
马克斯。
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
CY62137CV25-70
MIN 。 TYP 。
[4]
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.6
+1
+1
12
3
10
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
I
SB2
注意：
5. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
文件编号： 38-05201牧师* F
第13 3
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62137CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Ind'l
AUTO
Ind'l
AUTO
7
1.5
2
15
3
10
–1
+1
测试条件
I
OH
= -1.0毫安V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
MIN 。 TYP 。
[4]
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.2
–0.3
–1
–2
–1
–2
5.5
5.5
1.5
2
马克斯。
CY62137CV30-70
MIN 。 TYP 。
[4]
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+2
+1
+2
12
15
3
10
A
mA
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.3V Ind'l
I
OUT
= 0毫安汽车
CMOS
F = 1 MHz的
Ind'l
水平
AUTO
Ind'l
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据自动
只） ， F = 0 （ OE ， WE ， BHE
和BLE ）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
F = 0，V
CC
= 3.3V
Ind'l
AUTO
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
2
15
I
SB2
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
2
10
2
2
10
15
CY62137CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
LL
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
SL
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
15
3
15
0.4
MIN 。 TYP 。
[4]
2.4
马克斯。
CY62137CV33-70
CY62137CV-70
MIN 。 TYP 。
[4]
2.4
2.4
0.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
12
3
15
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
5
15
5
1
15
5
文件编号： 38-05201牧师* F
第13 4
CY62137CV25 /三十三分之三十零的MoBL
CY62137CV的MoBL
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[6]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
FBGA
包
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.20
3.0V
1105
1550
645
1.75
3.3V
1216
1374
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
LL
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SL
Ind'l
AUTO
Ind'l
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
1
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
6
8
4
ns
ns
A
单位
V
t
CDR[6]
t
R[7]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[8]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
注意事项：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全设备交流操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05201牧师* F
第13个5
QQ：2880707522 复制
