CS223-2M
CS223-2N
2.0 AMP SCR
600 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CS223-2M
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码：全型号
SOT- 223案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 60 ° C）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
栅极峰值电流（ TP = 10微秒）
峰值栅极电压（ TP = 10微秒）
储存温度
结温
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
VGM
TSTG
TJ
Θ
JA
CS223
-2M
600
2.0
10
0.24
2.0
0.1
1.0
8.0
-40到+150
-40到+125
62.5
CS223
-2N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ， IRRM
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ
额定VDRM ， VRRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VD=12V
RGK=1K
VD=12V
ITM = 4.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
典型值
最大
10
100
单位
A
A
A
mA
V
V
V / μs的
20
200
2.0
0.8
1.4
10
1.7
R0 （ 2004年5月11日）
CS223-2M
CS223-2N
表面贴装
2 AMP硅SCR
600 THRU 800伏
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CS223-2M系列
类型是环氧模塑可控硅
设计用于检测电路的应用和控制
系统。
标记：全部型号
SOT- 223案例
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 60 ° C）
峰值单周期浪涌， T = 10毫秒
I
2
t
对于熔断值， T = 10毫秒
峰值功率门控， TP = 10微秒
平均门功耗
栅极峰值电流， TP = 10微秒
峰值栅极电压， TP = 10微秒
工作结温
储存温度
热阻
符号
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IGM
VGM
TJ
TSTG
Θ
JA
CS223-2M
600
2.0
10
CS223-2N
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
° C / W
0.24
2.0
0.1
1.0
8.0
-40到+125
-40到+150
62.5
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VD=12V
RGK=1KΩ
VD=12V
ITM = 4.0A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
VRRM ， RGK = 1KΩ
VRRM ， RGK = 1KΩ ， TC = 125°C
典型值
最大
10
100
单位
μA
μA
μA
mA
V
V
V / μs的
20
200
2.0
0.8
1.4
10
1.7
R1 （ 2010年12月）
CS223-2M
CS223-2N
表面贴装
2 AMP硅SCR
600 THRU 800伏
SOT- 223案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
3 ）门
4 ）阳极
标记：
全部型号
R1 （ 2010年12月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
