初步
CY62127DV18
MoBL2
1 MB（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒
电压范围： 1.65V到2.2V
超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 3.75毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE< / >和OE< / >为特色的
Tures的
自动断电时取消
采用48球FBGA封装提供了和44引脚TSOP
II型
99％的功耗，当地址不切换。
该装置可被置于待机模式降低功率变
消费超过99 ％时，取消芯片使能
（ CE）高或都BHE和BLE的高。输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：取消芯片使能（ CE ）高，输出显示
体健（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和低字节使能
被禁用（BHE ，BLE高）或写操作过程中
（芯片使能（ CE ）低和写使能（ WE） LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）低和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
的I / O引脚（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）低，
然后从数据I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入到
指定位置上的广告
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和低输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后与O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存将出现在I / O
8
到I / O
15
。看到在真值表
本数据手册回来再完整说明
功能说明
[1]
该CY62127DV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
2048 X 512
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
电源 - 向下
电路
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05226修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年5月5日
初步
引脚配置
[2]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
4
A
1
A
4
A
6
A
7
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
DNU
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
CY62127DV18
MoBL2
TSOP II （向前）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
11
DNU
I / O
12
DNU DNU
I / O
13
A
14
A
12
A
9
A
15
A
13
A
10
I / O
15
DNU
DNU
A
8
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
注意：
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或Vss ，以确保正确的操作。或悬空（扩大销E4 - 2M ， D3 - 4M ， H1 - 8M ， G2 - 16M ， H6 - 32M ） ， NC引脚不
连接到所述管芯。
文件编号： 38-05226修订版**
第11 2
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压为地电位。 - 0.2V至V
CCmax
+ 0.2V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.2V至V
CC
+ 0.2V
范围
CY62127DV18
MoBL2
直流输入电压
[3]
................................
0.2V
到V
CC
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
环境
温度（T
A
)
V
CC
产业
40°C
至+ 85°C
1.65V至2.2V
产品组合
功耗
工作， ICC（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62127DV18L
CY62127DV18LL
分钟。
1.65
典型值。
1.8
马克斯。
2.2
速度
（纳秒）
55
55
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
0.5
0.5
马克斯。
1.5
1.5
f = f
最大
典型值。
[4]
3.75
3.75
马克斯。
7.5
7.5
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[4]
0.5
0.5
马克斯。
5
4
DC电气特性
在整个工作范围
CY62127DV18-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
VCC = 2.2V ，我
OUT
=
0毫安， CMOS电平
L
LL
L
LL
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
1.4
0.2
1
1
3.75
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2
0.4
+1
+1
7.5
1.5
5
4
5
4
A
A
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
工作电源电流F = F
最大
= 1/t
RC
租金
F = 1 MHz的
CE自动断电
当前
CMOS输入
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
=2.2V
I
SB2
CE自动断电
当前
CMOS输入
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
参数
θ
JA
θ
JC
描述
测试条件
FBGA
55
12
TSOP II
76
11
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）
[5]
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
热阻（结到管壳）
[5]
2层印刷电路板
注意事项：
3. V
白细胞介素（分钟）
=
1.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。 ，V
IH （ MAX 。 ）
= Vcc的+ 0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
5.测试开始后任何设计或PROCES的变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05226修订版**
第11 3
初步
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
C
L
= 50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R
TH
产量
V
TH
R2
CY62127DV18
MoBL2
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间：
1 V / ns的
90%
90%
10%
下降时间：
1 V / ns的
TH
蛇毒等效
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V
13500
10800
6000
0.80
单位
V
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ，CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
100
条件
分钟。
1
典型值。
[4]
马克斯。
2.2
4
3
ns
s
单位
V
A
数据保存波形
[7]
V
V
CC
CC（分钟）
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
V CC （分钟）
t
CDR
CE
t
R
注： >分之<
6，全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
>100
s.
.
7. BHE BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个被取消
文件编号： 38-05226修订版**
第11 4
初步
开关特性
（在整个工作范围内）
[8]
CY62127DV18
MoBL2
CY62127DV18-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[10]
t
HZBE
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
读周期时间
地址到数据有效
描述
分钟。
55
马克斯。
单位
ns
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
55
5
20
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[9]
OE高到高Z
[9,11]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[9,11]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低
Z
[9]
BLE / BHE高来高-Z
[9,11]
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9,11]
WE高到低Z
[9]
注意事项：
8.测试条件假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时的VCC参考电平（典型值） / 2 ，输入脉冲电平0至VCC （典型值） ，输出负载
指定IOL / IOH和50 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
10.如果两个字节使能触发在一起，此值是10纳秒。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号
文件编号： 38-05226修订版**
第11个5
QQ：2881677436 复制
