赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT646T
SCCS031 - 1994年7月 - 修订2000年3月
8位寄存收发器
功能说明
该FCT646T由总线收发器电路的
三态， D- FL型IP- FL OPS和控制电路安排
直接从输入总线复用的发送数据的全部或
从内部寄存器。 A或B总线上的数据将
移入寄存器为合适的时钟引脚为
一个高逻辑电平。使能控制G和方向引脚
设置来控制所述收发器的功能。在收发器
模式中，存在于高阻抗端口的数据可以被存储
在A或B寄存器，或两者兼而有之。选择控件可
多重存储和实时（透明模式）的数据。该
方向控制决定了总线接收数据时，
使能控制G为低电平有效。在隔离模式
（使能照样G高）中，A的数据可以存储在B稳压
存器和/或B的数据可以存储在A寄存器中。
该FCT646T的输出被设计成具有断电
禁用功能，允许电路板的带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT兼容，
F逻辑
FCT -C速度5.4 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -A在6.3 ns的最大速度。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能允许带电插入
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
ESD ＆ GT ; 2000V
灌电流
64毫安（ Com'l ），48 MA（ MIL）
源出电流
32毫安（ Com'l ），12 MA（ MIL）
独立的寄存器A和B总线
扩展的商业范围
40C
至+ 85°C
功能块图
G
销刀豆网络gurations
LCC
顶视图
A6
A5
A4
NC
A3
A2
A1
CPAB
SAB
A
7
A
8
GND
NC
B
8
B
7
B
6
11 10 9 8 7 6 5
12
4
3
13
2
14
1
15
16
28
27
17
18
26
19 20 21 22 23 24 25
B5
B4
B3
NC
B2
B1
G
DIR
SAB
CPAB
NC
V
CC
CPBA
SBA
DIR
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
GND
B
1
QSOP ， SOIC
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
CPBA
SBA
G
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
B
8
DIR
CPBA
SBA
CPAB
SAB
D
C
A
1
D
C
逻辑框图
A
1
CPAB
SAB
DIR
CPBA
SBA
G
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
B
8
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
TO 7其他渠道
引脚说明
名字
A
B
CPAB ， CPBA
SAB ， SBA
DIR ，G
描述
数据寄存器A输入，数据寄存器B输出
数据寄存器B输入，数据寄存器A输出
时钟脉冲输入
输出数据源选择输入
输出使能输入
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT646T
总线
BUS B
总线
BUS B
DIR
L
G
L
CPAB
X
CPBA
X
SAB
X
SBA
L
DIR
H
G
L
CPAB
X
CPBA
X
SAB
L
SBA
X
实时传输
BUS B TO总线
实时传输
BUS A TO BUS B
总线
BUS B
总线
总线
DIR
H
L
X
G
L
L
H
CPAB
X
CPBA
X
SAB
X
X
X
SBA
X
X
X
DIR
[1]
L
H
G
L
L
CPAB
X
H或L
CPBA
H或L
X
SAB
X
H
SBA
H
X
从存储
A和/或B
传输存储数据
A和/或B
功能表
[2]
输入
G
H
H
L
L
L
L
DIR
X
X
L
L
H
H
CPAB
H或L
X
X
X
H或L
CPBA
H或L
X
H或L
X
X
SAB
X
X
X
X
L
H
SBA
X
X
L
H
X
X
输入
产量
输入
数据I / O
[3]
A
1
一通
8
B
1
直通B
8
输入
输入
产量
操作或功能
FCT646T
隔离
商店A和B的数据
实时B数据到总线
存储B数据到总线
实时数据到B总线
存储在数据到B总线
注意事项：
同时1.不能将数据传输到A总线和B总线。
2. H =高电平， L =低电平， =低到高的转变， X =无关。
3.将数据输出功能可被使能或通过在G或DIR输入的各种信号被禁用。数据输入功能总是启用的，也就是说，数据在总线
引脚都将被存储在时钟输入的每个低到高的转变。
2
CY54/74FCT646T
最大额定值
[4, 5]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导方针，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ....... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[6]
范围
所有
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -32毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -12毫安
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[8]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
[8]
输入低电平电流
[8]
输出短路电流
[9]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
IN
=V
CC
V
CC
=最大，V
IN
=2.7V
V
CC
=最大，V
IN
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.0V
V
CC
=0V, V
OUT
=4.5V
–60
–120
0.2
–0.7
–1.2
5
±1
±1
–225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 48毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[7]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[7]
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
4.除非另有说明，这些限制是在工作的自由空气的温度范围内。
5.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
6. T
A
是外壳温度的「即时」 。
7.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
8.此参数是特定网络版，但未经测试。
9.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
3
CY54/74FCT646T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
动态电源
当前
[11]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[10]
V
CC
=最大值，一个输入切换，
50％的占空比，输出打开，
G = DIR = GND ， GAB = GBA = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10兆赫，
50％的占空比，输出打开，
一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
G = DIR = GND ， GAB = GBA = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10兆赫，
50％的占空比，输出打开，
一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
G = DIR = GND ， GAB = GBA = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，女
0
= 10兆赫，
50％的占空比，输出打开，
八位切换在f
1
= 5兆赫兹，
G = DIR = GND ， GAB = GBA = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10兆赫，
50％的占空比，输出打开，
八位切换在f
1
= 5兆赫兹，
G = DIR = GND ， GAB = GBA = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
10.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
11.这个参数没有直接测试的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
12. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
=占空比为TTL输入高电平
D
H
=的TTL输入的D号
H
N
T
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
=改变在f输入数
1
N
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
13.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[7]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
静态电源电流V
CC
=最大，V
IN
≤0.2V,
V
IN
≥V
CC
–0.2V
I
C
总电源电流
[12]
0.7
1.4
mA
1.2
3.4
mA
2.8
5.6
[13]
mA
5.1
14.6
[13]
mA
4
CY54/74FCT646T
开关特性
在整个工作范围
[14]
FCT646T
军事
参数
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
S
t
H
t
W
描述
传输延迟总线到总线
输出使能时间
允许公共汽车和DIR到A
n
或B
n
输出禁止时间
G以公交车和DIR到公交车
传播延迟
时钟总线
传播延迟
SBA或SAB为A或B
建立时间高或低，
总线时钟
保持时间高或低，
总线时钟
脉冲宽度，高或低
[8]
分钟。
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
2.0
6.0
马克斯。
11.0
15.0
11.0
10.0
12.0
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
2.0
6.0
FCT646CT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
S
t
H
t
W
描述
传输延迟总线到总线
输出使能时间允许公共汽车和DIR到A
n
或B
n
输出禁止时间G以公交车和DIR toBus
传输延迟时钟到总线
传播延迟SBA或SAB为A或B
建立时间，高或低，公交车到时钟
保持时间，高或低，公交车到时钟
脉冲宽度，
[8]
高或低
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
马克斯。
6.0
8.9
7.7
6.3
7.0
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
马克斯。
5.4
7.8
6.3
5.7
6.2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。
号
[15]
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 5
1, 5
4
4
5
马克斯。
9.0
14.0
9.0
9.0
11.0
FCT646AT
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
马克斯。
6.3
9.8
6.3
6.3
7.7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。
号
[15]
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 5
1, 5
4
4
5
注意事项：
14.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
15.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
5
QQ：2881677436 复制
