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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第598页 > CD74HC193M96
CD54/74HC192,
CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS163F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
可预置同步4位加/减计数器
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 P3),通过一个低异步并行实现
负载输入( PL ) 。递增计数器上的低到高
时钟输入的转变(和高层次上的时钟 -
唐氏输入)和递减的低到高的转变
时钟下输入(和高层次上的时钟加速输入) 。
高水平的MR输入覆盖其它输入清除
计数器到零。终端数(进)
变低半个时钟周期的零计数到达之前
并返回到高电平时的零计数。终端
倒计时(借用)在倒计时模式也变
低一半的最大计数之前一个时钟周期(9中的
192和193 15 ),并返回到高的最大
算。级联是通过连接进和影响
借用一个不太显著计数器的输出时钟-UP
和时钟下输入的下一个最大,分别为
显著计数器。
如果一个十进制计数器预置为非法的国家或承担的
非法状态加电时,它将返回到正常
序列中的一个计数的状态图,如图所示。
特点
[ /标题
(CD74
HC192
,
CD74
HC193
,
CD74
HCT19
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
同步计数和异步
加载中
两路输出的N位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC192F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC192 ”, HC193和“ HCT193是异步
可预置BCD十年和二进制加/减同步
柜台上。
CD54HC193F3A
CD54HCT193F3A
CD74HC192E
CD74HC192NSR
引脚
CD54HC192 , CD54HC193 , CD54HCT193 ( CERDIP )
CD74HC192 ( PDIP , SOP , TSSOP )
CD74HC193 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT193 ( PDIP )
顶视图
P1 1
Q1 2
Q0 3
CPD 4
CPU 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
CD74HC192PW
CD74HC192PWR
CD74HC192PWT
CD74HC193E
CD74HC193M
CD74HC193MT
CD74HC193M96
CD74HCT193E
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
工作原理图
BCD /二进制
预设
P0
15
ASYN 。
并行
负载
启用
PL
11
1
P1
10
P2
9
3
2
6
7
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
BCD ( 192 )
BINARY ( 193 )
输出
P3
MASTER 14
RESET
时钟高达
5
时钟向下
4
12 TERMINAL
计数
13
终奌站
倒计时
真值表
时钟
H
X
X
并行
负载
H
H
X
L
时钟高达
H
X
X
RESET
L
L
H
L
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转变,从低到
高层
2
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0-P3
MR
PL
CPU , CPD
单位负载
0.4
1.45
0.85
1.45
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
t
W
CPU , CPD
193
PL
t
W
t
W
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
MR
t
W
2
4.5
6
建立时间
PN为PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
PN为PL
t
H
2
4.5
6
保持时间
CPD到CPU或
CPU为CPD
恢复时间
PL到CPU , CPD
t
REC
t
H
2
4.5
6
2
4.5
6
先生CPU , CPD
t
REC
2
4.5
6
最大频率
CPU , CPD
192
f
最大
CPU , CPD
193
HCT类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
CPU , CPD
193
t
W
t
W
f
最大
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
115
23
20
100
20
17
80
16
14
100
20
17
80
16
14
0
0
0
80
16
14
80
16
14
5
5
5
5
22
24
5
25
29
-
23
-
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
29
25
125
25
21
100
20
17
125
25
21
100
20
17
0
0
0
100
20
17
100
20
17
5
5
5
4
18
21
4
20
24
-
29
-
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
30
150
30
26
120
24
20
150
30
26
120
24
20
0
0
0
120
24
20
120
24
20
5
5
5
3
15
18
3
17
20
-
35
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54/74HC192,
CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS163F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
可预置同步4位加/减计数器
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 P3),通过一个低异步并行实现
负载输入( PL ) 。递增计数器上的低到高
时钟输入的转变(和高层次上的时钟 -
唐氏输入)和递减的低到高的转变
时钟下输入(和高层次上的时钟加速输入) 。
高水平的MR输入覆盖其它输入清除
计数器到零。终端数(进)
变低半个时钟周期的零计数到达之前
并返回到高电平时的零计数。终端
倒计时(借用)在倒计时模式也变
低一半的最大计数之前一个时钟周期(9中的
192和193 15 ),并返回到高的最大
算。级联是通过连接进和影响
借用一个不太显著计数器的输出时钟-UP
和时钟下输入的下一个最大,分别为
显著计数器。
如果一个十进制计数器预置为非法的国家或承担的
非法状态加电时,它将返回到正常
序列中的一个计数的状态图,如图所示。
特点
[ /标题
(CD74
HC192
,
CD74
HC193
,
CD74
HCT19
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
同步计数和异步
加载中
两路输出的N位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC192F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC192 ”, HC193和“ HCT193是异步
可预置BCD十年和二进制加/减同步
柜台上。
CD54HC193F3A
CD54HCT193F3A
CD74HC192E
CD74HC192NSR
引脚
CD54HC192 , CD54HC193 , CD54HCT193 ( CERDIP )
CD74HC192 ( PDIP , SOP , TSSOP )
CD74HC193 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT193 ( PDIP )
顶视图
P1 1
Q1 2
Q0 3
CPD 4
CPU 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
CD74HC192PW
CD74HC192PWR
CD74HC192PWT
CD74HC193E
CD74HC193M
CD74HC193MT
CD74HC193M96
CD74HCT193E
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
工作原理图
BCD /二进制
预设
P0
15
ASYN 。
并行
负载
启用
PL
11
1
P1
10
P2
9
3
2
6
7
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
BCD ( 192 )
BINARY ( 193 )
输出
P3
MASTER 14
RESET
时钟高达
5
时钟向下
4
12 TERMINAL
计数
13
终奌站
倒计时
真值表
时钟
H
X
X
并行
负载
H
H
X
L
时钟高达
H
X
X
RESET
L
L
H
L
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转变,从低到
高层
2
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0-P3
MR
PL
CPU , CPD
单位负载
0.4
1.45
0.85
1.45
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
t
W
CPU , CPD
193
PL
t
W
t
W
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
MR
t
W
2
4.5
6
建立时间
PN为PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
PN为PL
t
H
2
4.5
6
保持时间
CPD到CPU或
CPU为CPD
恢复时间
PL到CPU , CPD
t
REC
t
H
2
4.5
6
2
4.5
6
先生CPU , CPD
t
REC
2
4.5
6
最大频率
CPU , CPD
192
f
最大
CPU , CPD
193
HCT类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
CPU , CPD
193
t
W
t
W
f
最大
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
115
23
20
100
20
17
80
16
14
100
20
17
80
16
14
0
0
0
80
16
14
80
16
14
5
5
5
5
22
24
5
25
29
-
23
-
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
29
25
125
25
21
100
20
17
125
25
21
100
20
17
0
0
0
100
20
17
100
20
17
5
5
5
4
18
21
4
20
24
-
29
-
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
30
150
30
26
120
24
20
150
30
26
120
24
20
0
0
0
120
24
20
120
24
20
5
5
5
3
15
18
3
17
20
-
35
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54/74HC192,
CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS163F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
可预置同步4位加/减计数器
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 P3),通过一个低异步并行实现
负载输入( PL ) 。递增计数器上的低到高
时钟输入的转变(和高层次上的时钟 -
唐氏输入)和递减的低到高的转变
时钟下输入(和高层次上的时钟加速输入) 。
高水平的MR输入覆盖其它输入清除
计数器到零。终端数(进)
变低半个时钟周期的零计数到达之前
并返回到高电平时的零计数。终端
倒计时(借用)在倒计时模式也变
低一半的最大计数之前一个时钟周期(9中的
192和193 15 ),并返回到高的最大
算。级联是通过连接进和影响
借用一个不太显著计数器的输出时钟-UP
和时钟下输入的下一个最大,分别为
显著计数器。
如果一个十进制计数器预置为非法的国家或承担的
非法状态加电时,它将返回到正常
序列中的一个计数的状态图,如图所示。
特点
[ /标题
(CD74
HC192
,
CD74
HC193
,
CD74
HCT19
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
同步计数和异步
加载中
两路输出的N位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC192F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC192 ”, HC193和“ HCT193是异步
可预置BCD十年和二进制加/减同步
柜台上。
CD54HC193F3A
CD54HCT193F3A
CD74HC192E
CD74HC192NSR
引脚
CD54HC192 , CD54HC193 , CD54HCT193 ( CERDIP )
CD74HC192 ( PDIP , SOP , TSSOP )
CD74HC193 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT193 ( PDIP )
顶视图
P1 1
Q1 2
Q0 3
CPD 4
CPU 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
CD74HC192PW
CD74HC192PWR
CD74HC192PWT
CD74HC193E
CD74HC193M
CD74HC193MT
CD74HC193M96
CD74HCT193E
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
工作原理图
BCD /二进制
预设
P0
15
ASYN 。
并行
负载
启用
PL
11
1
P1
10
P2
9
3
2
6
7
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
BCD ( 192 )
BINARY ( 193 )
输出
P3
MASTER 14
RESET
时钟高达
5
时钟向下
4
12 TERMINAL
计数
13
终奌站
倒计时
真值表
时钟
H
X
X
并行
负载
H
H
X
L
时钟高达
H
X
X
RESET
L
L
H
L
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转变,从低到
高层
2
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0-P3
MR
PL
CPU , CPD
单位负载
0.4
1.45
0.85
1.45
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
t
W
CPU , CPD
193
PL
t
W
t
W
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
MR
t
W
2
4.5
6
建立时间
PN为PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
PN为PL
t
H
2
4.5
6
保持时间
CPD到CPU或
CPU为CPD
恢复时间
PL到CPU , CPD
t
REC
t
H
2
4.5
6
2
4.5
6
先生CPU , CPD
t
REC
2
4.5
6
最大频率
CPU , CPD
192
f
最大
CPU , CPD
193
HCT类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
CPU , CPD
193
t
W
t
W
f
最大
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
115
23
20
100
20
17
80
16
14
100
20
17
80
16
14
0
0
0
80
16
14
80
16
14
5
5
5
5
22
24
5
25
29
-
23
-
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
29
25
125
25
21
100
20
17
125
25
21
100
20
17
0
0
0
100
20
17
100
20
17
5
5
5
4
18
21
4
20
24
-
29
-
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
30
150
30
26
120
24
20
150
30
26
120
24
20
0
0
0
120
24
20
120
24
20
5
5
5
3
15
18
3
17
20
-
35
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54/74HC192,
CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS163F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
可预置同步4位加/减计数器
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 P3),通过一个低异步并行实现
负载输入( PL ) 。递增计数器上的低到高
时钟输入的转变(和高层次上的时钟 -
唐氏输入)和递减的低到高的转变
时钟下输入(和高层次上的时钟加速输入) 。
高水平的MR输入覆盖其它输入清除
计数器到零。终端数(进)
变低半个时钟周期的零计数到达之前
并返回到高电平时的零计数。终端
倒计时(借用)在倒计时模式也变
低一半的最大计数之前一个时钟周期(9中的
192和193 15 ),并返回到高的最大
算。级联是通过连接进和影响
借用一个不太显著计数器的输出时钟-UP
和时钟下输入的下一个最大,分别为
显著计数器。
如果一个十进制计数器预置为非法的国家或承担的
非法状态加电时,它将返回到正常
序列中的一个计数的状态图,如图所示。
特点
[ /标题
(CD74
HC192
,
CD74
HC193
,
CD74
HCT19
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
同步计数和异步
加载中
两路输出的N位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC192F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC192 ”, HC193和“ HCT193是异步
可预置BCD十年和二进制加/减同步
柜台上。
CD54HC193F3A
CD54HCT193F3A
CD74HC192E
CD74HC192NSR
引脚
CD54HC192 , CD54HC193 , CD54HCT193 ( CERDIP )
CD74HC192 ( PDIP , SOP , TSSOP )
CD74HC193 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT193 ( PDIP )
顶视图
P1 1
Q1 2
Q0 3
CPD 4
CPU 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
CD74HC192PW
CD74HC192PWR
CD74HC192PWT
CD74HC193E
CD74HC193M
CD74HC193MT
CD74HC193M96
CD74HCT193E
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
工作原理图
BCD /二进制
预设
P0
15
ASYN 。
并行
负载
启用
PL
11
1
P1
10
P2
9
3
2
6
7
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
BCD ( 192 )
BINARY ( 193 )
输出
P3
MASTER 14
RESET
时钟高达
5
时钟向下
4
12 TERMINAL
计数
13
终奌站
倒计时
真值表
时钟
H
X
X
并行
负载
H
H
X
L
时钟高达
H
X
X
RESET
L
L
H
L
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转变,从低到
高层
2
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0-P3
MR
PL
CPU , CPD
单位负载
0.4
1.45
0.85
1.45
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
t
W
CPU , CPD
193
PL
t
W
t
W
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
MR
t
W
2
4.5
6
建立时间
PN为PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
PN为PL
t
H
2
4.5
6
保持时间
CPD到CPU或
CPU为CPD
恢复时间
PL到CPU , CPD
t
REC
t
H
2
4.5
6
2
4.5
6
先生CPU , CPD
t
REC
2
4.5
6
最大频率
CPU , CPD
192
f
最大
CPU , CPD
193
HCT类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
CPU , CPD
193
t
W
t
W
f
最大
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
115
23
20
100
20
17
80
16
14
100
20
17
80
16
14
0
0
0
80
16
14
80
16
14
5
5
5
5
22
24
5
25
29
-
23
-
-
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
145
29
25
125
25
21
100
20
17
125
25
21
100
20
17
0
0
0
100
20
17
100
20
17
5
5
5
4
18
21
4
20
24
-
29
-
-
29
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
175
35
30
150
30
26
120
24
20
150
30
26
120
24
20
0
0
0
120
24
20
120
24
20
5
5
5
3
15
18
3
17
20
-
35
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
5
CD54/74HC192,
CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS163F
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
可预置同步4位加/减计数器
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 P3),通过一个低异步并行实现
负载输入( PL ) 。递增计数器上的低到高
时钟输入的转变(和高层次上的时钟 -
唐氏输入)和递减的低到高的转变
时钟下输入(和高层次上的时钟加速输入) 。
高水平的MR输入覆盖其它输入清除
计数器到零。终端数(进)
变低半个时钟周期的零计数到达之前
并返回到高电平时的零计数。终端
倒计时(借用)在倒计时模式也变
低一半的最大计数之前一个时钟周期(9中的
192和193 15 ),并返回到高的最大
算。级联是通过连接进和影响
借用一个不太显著计数器的输出时钟-UP
和时钟下输入的下一个最大,分别为
显著计数器。
如果一个十进制计数器预置为非法的国家或承担的
非法状态加电时,它将返回到正常
序列中的一个计数的状态图,如图所示。
特点
[ /标题
(CD74
HC192
,
CD74
HC193
,
CD74
HCT19
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
同步计数和异步
加载中
两路输出的N位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC192F3A
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC192 ”, HC193和“ HCT193是异步
可预置BCD十年和二进制加/减同步
柜台上。
CD54HC193F3A
CD54HCT193F3A
CD74HC192E
CD74HC192NSR
引脚
CD54HC192 , CD54HC193 , CD54HCT193 ( CERDIP )
CD74HC192 ( PDIP , SOP , TSSOP )
CD74HC193 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT193 ( PDIP )
顶视图
P1 1
Q1 2
Q0 3
CPD 4
CPU 5
Q2 6
Q3 7
GND 8
16 V
CC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
CD74HC192PW
CD74HC192PWR
CD74HC192PWT
CD74HC193E
CD74HC193M
CD74HC193MT
CD74HC193M96
CD74HCT193E
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
工作原理图
BCD /二进制
预设
P0
15
ASYN 。
并行
负载
启用
PL
11
1
P1
10
P2
9
3
2
6
7
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
BCD ( 192 )
BINARY ( 193 )
输出
P3
MASTER 14
RESET
时钟高达
5
时钟向下
4
12 TERMINAL
计数
13
终奌站
倒计时
真值表
时钟
H
X
X
并行
负载
H
H
X
L
时钟高达
H
X
X
RESET
L
L
H
L
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理,
=转变,从低到
高层
2
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0-P3
MR
PL
CPU , CPD
单位负载
0.4
1.45
0.85
1.45
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC192 , CD54 / 74HC193 , CD54 / 74HCT193
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
t
W
CPU , CPD
193
PL
t
W
t
W
2
4.5
6
2
4.5
6
2
4.5
6
MR
t
W
2
4.5
6
建立时间
PN为PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
PN为PL
t
H
2
4.5
6
保持时间
CPD到CPU或
CPU为CPD
恢复时间
PL到CPU , CPD
t
REC
t
H
2
4.5
6
2
4.5
6
先生CPU , CPD
t
REC
2
4.5
6
最大频率
CPU , CPD
192
f
最大
CPU , CPD
193
HCT类型
脉冲宽度
CPU , CPD
192
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