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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1486页 > CY2SSTV857ZXC-27T
CY2SSTV857-27
差分时钟缓冲器/驱动器
DDR333/PC2700-Compliant
特点
工作频率: 60 MHz至200 MHz的
支持266 , 333 MHz的DDR SDRAM
从1差分输入10差分输出
扩频兼容
低抖动(周期到周期) : < 75
极低的偏移: < PS 100
电源管理控制输入
高阻抗输出时输入时钟< 10兆赫
2.5V操作
与CDC857-2和-3引脚兼容
48引脚TSSOP封装
工业级温度范围。的
–40°
至+ 85°C
符合JEDEC DDR规格
描述
该CY2SSTV857-27是一款高性能,低偏移,
低抖动零延迟缓冲器设计为分配差
时钟在高速应用。该CY2SSTV857-27
产生10差分对时钟输出从一个differ-
无穷区间对时钟输入。此外, CY2SSTV857-27
具有差分反馈时钟输出和输入。这
允许CY2SSTV857-27用作零延迟缓冲器。
当在嵌套的时钟树用作零延迟缓冲器,所述
CY2SSTV857-27锁定到输入参考,并转化
接近零延迟低偏移输出。
框图
引脚配置
3
2
PD #
AVDD
37
16
牛逼EST和
P流erdo W N
1。· GIC
5
6
10
9
20
19
22
23
46
47
44
43
Y0
Y0#
Y1
Y1#
Y2
Y2#
Y3
Y3#
Y4
Y4#
Y5
Y5#
Y6
Y6#
Y7
Y7#
Y8
Y8#
Y9
Y9#
UT FBO
FBO ü T#
VSS
Y0#
Y0
VDDQ
Y1
Y1#
VSS
VSS
Y2#
Y2
VDDQ
VDDQ
LK
LK #
VDDQ
AVDD
AVSS
VSS
Y3#
Y3
VDDQ
Y4
Y4#
VSS
1
2
3
4
5
6
48
47
46
45
44
43
VSS
Y5#
Y5
VDDQ
Y6
Y6#
VSS
VSS
Y7#
Y7
VDDQ
PD #
F B IN
F B IN #
VDDQ
FBOUT #
FBOUT
VSS
Y8#
Y8
VDDQ
Y9
Y9#
VSS
CY2SSTV857-27
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
LK
LK #
F B IN
F B IN #
13
14
39
40
36
35
PLL
29
30
27
26
32
33
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-07464牧师* G
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月25日
CY2SSTV857-27
引脚说明
引脚数
13, 14
35
36
3, 5, 10, 20, 22
2, 6, 9, 19, 23
27, 29, 39, 44, 46
26, 30, 40, 43, 47
32
引脚名称
CLK , CLK #
FBIN #
FBIN
Y(0:4)
Y#(0:4)
Y(9:5)
Y#(9:5)
FBOUT
I / O
[1]
I
I
I
O
O
O
O
O
引脚说明
差分时钟输入。
电动
特征
低压差分输入
反馈时钟输入。
连接到FBOUT #访问的差分输入
PLL 。
反馈时钟输入。
连接到FBOUT用于访问
PLL 。
时钟输出
时钟输出
时钟输出
时钟输出
反馈时钟输出。
连接到FBIN正常
操作。在此输出旁路电容的延迟将控制
参考输入/输出时钟的相位关系。
反馈时钟输出。
连接到FBIN #正常
操作。在此输出旁路电容的延迟将控制
参考输入/输出时钟的相位关系。
掉电#输入。
当PD #设为高电平时,所有的Q和Q #
输出被使能,并切换以相同的频率为时钟。
当设置为低,所有的Q和Q #输出被禁止的Hi- Z和
PLL掉电。
2.5V电源的输出时钟缓冲器。
2.5V电源的PLL 。
当VDDA为GND , PLL是
旁路和CLK直接缓冲到该设备输出。
在禁用( PD # = 0 )时, PLL掉电。
共同点
模拟地
标称值为2.5V
标称值为2.5V
差分输出
差分输出
差分输出
33
FBOUT #
O
37
PD #
I
4, 11,12,15, 21, 28,
34, 38, 45
16
VDDQ
AVDD
1, 7, 8, 18, 24, 25,
31, 41, 42, 48
17
VSS
AVSS
0.0V地面
0.0V模拟
当VDDA绑低, PLL被关闭,
绕过用于测试目的。
零延迟缓冲器
时作为零延迟缓冲器使用的CY2SSTV857-27将
很可能是在嵌套时钟树的应用程序。对于这些应用
系统蒸发散的CY2SSTV857-27提供差分时钟输入对
作为PLL的参考。该CY2SSTV857-27那么可以锁定
参考和转换接近零延迟低偏移
输出。对于正常操作,外部反馈输入,
FBIN ,被连接到所述反馈输出, FBOUT 。通过
反馈输出连接到反馈输入的
通过该装置的传播延迟被消除。该PLL
工作,以便与输入的基准边的输出边缘
从而产生接近零的延迟。参考频率
将影响静态相位PLL的偏移量,从而相对
输入和输出之间的延迟。
电源管理
输出使CY2SSTV857-27的/禁用控制允许
用户实施的功率管理方案进
设计。输出三态/禁用当PD #是
置为低电平(见
表1)。
注意:
1.旁路电容( 0.1μF )应放置在尽可能靠近每个电源正极引脚( <0.2 “)。如果这些旁路电容不能靠近引脚,其
高频滤波特性将通过迹线的引线电感被取消。
文件编号: 38-07464牧师* G
第2 9
CY2SSTV857-27
表1.功能表
输入
AVDD
GND
GND
X
X
2.5V
2.5V
2.5V
PD #
H
H
L
L
H
H
H
CLK
L
H
L
H
L
H
< 10兆赫
CLK #
H
L
H
L
H
L
< 10兆赫
Y
L
H
Z
Z
L
H
高阻
Y#
H
L
Z
Z
H
L
高阻
输出
FBOUT
L
H
Z
Z
L
H
高阻
FBOUT #
H
L
Z
Z
H
L
高阻
PLL
旁路/关
旁路/关
关闭
关闭
On
On
关闭
CLKIN
FBIN
t
(相位误差)
FBOUT
Yx
t
SK ( O)
Yx
Yx
t
SK ( O)
图1.相位误差和偏移波形
CLKIN
YX或FBIN
t
pd
图2.传播延迟时间t
PLH
, t
PHL
文件编号: 38-07464牧师* G
第3 9
CY2SSTV857-27
Yx
t
C( N)
t
C(n+1)
图3.周期到周期抖动
= 2.5"
DDR _SDRAM
代表一个电容性负载
CLK
120
欧姆
CLK #
VTR
FBIN
120
欧姆
FBIN #
FBOUT
FBOUT #
0.3"
VCP
DDR -
SDRAM
120
欧姆
PLL
DDR -
SDRAM
= 0.6" (斯普利特终结者)
输出负载电容为2 DDR -SDRAM负载: 5 pF< CL< 8 pF的
图4.时钟结构# 1
= 2.5"
DDR -SDRAM
代表一个电容性负载
CLK
120欧
CLK #
PLL
= 0.6" (斯普利特终结者)
DDR -SDRAM
DDR -SDRAM
DDR -SDRAM
VTR
FBIN
120欧
FBIN #
FBOUT
DDR -SDRAM
VCP
DDR -SDRAM
120欧
DDR -SDRAM
FBOUT #
0.3"
输出负载capacitancce 4 DDR -SDRAM负载: 10 pF的< < CL 16 pF的
图5.时钟结构# 1
文件编号: 38-07464牧师* G
第4页第9
CY2SSTV857-27
VDDQ
VDDQ
V D D Q / 2
14 pF的
OUT
60° HM
VTR
R
T
= 120° HM
OUT #
60° HM
14 pF的
V D D Q / 2
VCP
权证IV E
图6.差分信号直接使用终端电阻
文件编号: 38-07464牧师* G
第5 9
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