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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1486页 > CXK5T16100TM-12LLX
CXK5T16100TM
-12LLX
65536-word
×
16位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK5T16100TM高通用
高速CMOS静态RAM组织为65536-
字由16位。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK5T16100TM是一个合适的RAM，用于便携
设备与备用电池。
特点
扩展工作温度范围： -25 + 85°C
宽电源电压范围内操作： 2.7 3.6V
快速存取时间：
3.0V操作
3.3V操作
（访问时间）
为120ns （最大值）。
为100ns （最大值）。
44引脚TSOP （ PIastic ）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
框图
A1
A0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A15
A14
GND
卜FF器
VCC
内存
矩阵
512
×
1024
ROW
解码器
内存
矩阵
512
×
1024
VCC
低功耗操作：
待机/ DC操作
1.6μW （典型值） / 3.3mW （典型值）。
100μW （最大值） / 11mW的（最大）
完全静态存储器...无时钟或定时选通
需要
平等机会和循环时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
低电压数据保留： 2.0V （最小值）
400mil 44pin的TSOP （类型
II)
包
GND
CE
UB
LB
OE
WE
控制
I / O门
COLUMN
解码器
PRE
解码器
I / O门
COLUMN
解码器
A13
A12
A11
A10
A9
A8
I / O缓冲器
I / O缓冲器
卜FF器
I/O1
I/O8
I / O9 I / O16
功能
65536字×16位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96405-ST
CXK5T16100TM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A4
1
A3
2
A2
3
A1
4
A0
5
CE
6
I/O1
7
I/O2
8
I/O3
9
I/O4
10
VCC
11
GND
12
I/O5
13
I/O6
14
I/O7
15
I/O8
16
WE
17
A15
18
A14
19
A13
20
A12
21
NC
22
44
A5
43
A6
42
A7
41
OE
40
UB
39
LB
38
I/O16
37
I/O15
36
I/O14
35
I/O13
34
GND
33
VCC
32
I/O12
31
I/O11
30
I/O10
29
I/O9
28
NC
27
A8
26
A9
25
A10
24
A11
23
NC
引脚说明
符号
A0至A15
I / O1到I / O16
CE
LB
UB
WE
OE
V
CC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
字节使能输入端（ I / O1到I / O8 ）
字节使能输入（ I / O9到I / O16 ）
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
描述
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度·时间
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
-0.5到+4.6
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
0.7
-25至+85
-55到+150
235 · 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
℃， s的
1
V
IN
, V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE
H
OE
×
WE
×
LB
×
L
L
L
H
L
H
L
L
×
L
L
H
L
L
H
×
H
×
×
H
UB
×
L
H
L
L
H
L
×
H
I / O1到I / O8
未选择
读
读
高-Z
写
写
不写/ HI-Z
高-Z
高-Z
的I / O9到I / O16
未选择
读
高-Z
读
写
不写/ HI-Z
写
高-Z
高-Z
VCC电流
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
×:
“H”或“L”的
–2–
CXK5T16100TM
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
CC
= 2.7 3.6V
分钟。
2.7
2.4
–0.3
1
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.4
分钟。
3.0
2.0
–0.3
1
（大= -25 + 85°C ， GND = 0V ）
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
V
单位
1
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
DC和工作特性
项
输入漏
当前
输出漏
当前
操作
电源
当前
符号
I
LI
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
或UB = V
IH
或LB = V
IH
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE = V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE
≤
0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
V
CC
– 0.2V
-25至+ 85°C
待机电流
I
SB1
CE
≥
V
CC
– 0.2V
-25至+ 70°C
+25°C
I
SB2
产量
高压
产量
低电压
V
OH
V
OL
CE = V
IH
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
(V
CC
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，TA = -25至+ 85°C ）
分钟。
–1
典型值。
2
—
马克斯。
1
单位
A
I
LO
–1
—
1
A
I
CC1
—
1
3
mA
I
CC2
平均
工作电流
I
CC3
—
35
50
mA
—
10
20
mA
—
—
—
—
2.4
—
—
—
0.48
0.03
—
—
28
14
—
0.6
—
0.4
mA
V
V
A
2
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
–3–
CXK5T16100TM
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号测试条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
输出负载条件
V
IH
= 2.4V
V
IL
= 0.4V
（大= -25 + 85°C ）
条件
V
CC
= 2.7 3.6V
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.6V
TTL
t
R =为5ns
t
F =为5ns
t
R =为5ns
t
F =为5ns
C
L
1.4V
1.4V
C
L
1
= 100pF的， 1TTL
L
1
= 100pF的， 1TTL
1
C
L
包括范围和夹具电容。
–4–
CXK5T16100TM
读周期
（WE =“ H”），
V
CC
= 2.7 3.6V
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
字节使能存取时间（ UB ， LB ）
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
字节使能在低Z输出（ UB ， LB ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
芯片禁用高Z输出（ OE ）
字节禁用输出高Z（ UB ， LB ）
符号
分钟。
120
—
—
—
—
10
10
5
5
—
—
—
马克斯。
—
120
120
60
60
—
—
—
—
40
35
35
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
分钟。
100
—
—
—
—
10
10
5
5
—
—
—
马克斯。
—
100
100
50
50
—
—
—
—
40
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO
t
BO
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
1
t
OHZ
1
t
BHZ
1
1
t
HZ
,
t
OHZ
和
t
BHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
V
CC
= 2.7 3.6V
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节使能，以结束写的
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ， UB ， LB ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
分钟。
120
100
100
100
50
0
70
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
分钟。
100
80
80
80
40
0
70
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
2
2
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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CUD6-02
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CNY172300
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