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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第60页 > CY27H512-45PC
初步
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
CMOS的最佳速度/功耗
高速
t
AA
= 25 ns(最大值) 。 (商用)
t
AA
= 35 ns(最大值) 。 (军事)
动力
275毫瓦最大。
超过85毫瓦少的时候取消
字节宽度的存储器组织
在100%的可再编程
窗口包
EPROM技术
能够承受>2001V的
静电放电
可在
32引脚PLCC
28引脚TSOP I
28针, 600万或塑料
密封浸
32引脚密封LCC
该CY27H512是一种高性能,
512K CMOS EPROM举办64
千字节。它是在工业标准提供
28针, 600万DIP , 32引脚LCC和
PLCC和28引脚TSOP封装我。
这些器件提供高密度存储
加上40MHz的性能。该
CY27H512可在窗口和
不透明的包。窗口封装的人
该设备从低到用UV光被擦除
100 %可重编程。
该CY27H512配备了功率
倒芯片使能( CE)输入和输出
使能(OE ) 。当CE为无效时,
装置掉电,以一个低功率的待机
通过模式。 OE引脚三种状态的出
把不把设备插入支架
通过模式。而CE提供了更低的功耗,
OE提供了更加快速的过渡和
从三个规定的输出。
功能说明
64K ×8高速CMOS
EPROM
存储器单元利用成熟的EPROM
CY27H512
浮栅技术和字节宽
智能编程算法。该
只有12.75 V的EPROM单元需要
超高压和低编程CUR
租金允许团伙编程。去
副使得每个存储单元是
测试了100% ,因为每个位置的狡
十,擦除,并多次行使
以密封之前。每个器件还
测试的AC性能,以保证
该产品满足DC和AC
客户亲后规范限制
编程。
该CY27H512由双方主张读
在CE和OE输入。的内容
由广告选择的存储位置
打扮上输入A
15
-A
0
将出现在
输出
7
-O
0
.
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
掉电
O
6
O
5
多路复用器
O
4
O
3
O
1
可编程
ARRAY
O
2
O
0
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
地址
解码器
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE / V
PP
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC / PLCC
O
7
[1]
H512 2
顶视图
A 15
V
CC
A 14
A 12
A 13
DU
A
15
4
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
OUTPUT ENABLE
OE
解码器
A
1
A
0
NC
O
0
H512 1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A7
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
NC
OE / V
PP
A
10
CE
O
7
O
6
14 15 16 17 1819 20
GND
DU
O
1
O
2
O
3
O
4
5
1.对于只LCC / PLCC :引脚1和17是常见的,绑在模
转速垫。它们不应该被使用。
注意:
赛普拉斯半导体公司
D
3901北一街
1
D
圣荷西
D
CA 95134
O
H512 3
D
408-943-2600
1994年11月
初步
销刀豆网络gurations
CY27H512
(续)
TSOP
顶视图
T
YPE 1
OE / V
PP
A
11
A
9
A
8
A
13
A
14
V
CC
A
15
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
O
2
O
1
O
0
A
0
A
1
A
2
H512 4
选购指南
27H512-25
27H512-30
27H512-35
27H512-45
27H512-55
27H512-70
最大访问时间(纳秒)
CE访问时间(纳秒)
Com'l
米尔
OE访问时间(纳秒)
I
CC[2]
(MA )
电源电流
I
SB[3]
(MA )
按目前的立场
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
25
30
30
35
35
35
40
45
45
45
15
20
50
60
15
25
55
55
55
20
20
50
60
15
25
70
70
70
25
25
50
60
15
25
12
15
15
20
75
75
50
85
15
15
15
25
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南,
未测试)。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
电源电压为地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 5.5V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0V至+ 7.0V
瞬态输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0V为<20 NS
DC编程电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.0V
注意事项:
紫外线擦除。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
(每MIL STD 883 ,方法3015 )
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
环境
范围
温度
V
CC
广告
产业
[4]
军事
[5]
4.
5.
0
_
C至+70
_
C
-40
_
C至+ 85
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
2.
3.
V
CC
=最大,我
OUT
= 0 mA时, F = 10兆赫。
V
CC
=最大值, CE = V
IH
.
请联系赛普拉斯代表工业级温度范围
特定连接的阳离子。
T
A
是?即时on"外壳温度。
2
初步
电气特性
在整个工作范围
[6, 7]
CY27H512
27H512-25
27H512-30
参数
V
OH
27H512-35
分钟。
2.4
27H512-45
27H512-55
27H512-70
分钟。
2.4
描述
输出高
V
oltage
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
马克斯。
马克斯。
单位
V
V
OL
V
IH
输出低V
oltage
输入高电平
V
CC
=最小值,我
OL
= 12.0毫安
保证输入逻辑
高V
oltage所有输入
2.0
0.45
V
CC
+0.5
2.0
0.45
V
CC
+0.5
2.0
0.45
V
CC
+0.5
V
V
V
IL
输入低电平
保证输入逻辑
低V
oltage所有输入
0.8
0.8
0.8
V
I
IX
输入漏
当前
GND < V
IN
& LT ; V
CC
-10
+10
-10
+10
-10
+10
m
m
A
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
F = 10MHz的
米尔
Com'l
-10
+10
-10
+10
-10
+10
A
I
CC
电源电流
75
50
50
mA
85
60
mA
I
SB
按目前的立场
V
CC
=最大,
CE = V
IH
Com'l
米尔
15
15
25
15
25
mA
mA
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
马克斯。
10
单位
pF
pF
_
C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
10
注意事项:
6.
请参见本规范A组分组测试中的最后一页
形成。
7.
看到介绍的CMOS PROM的本数据手册一般在
形成上测试。
交流测试负载和波形
R1 318
5V
产量
R2
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
197
W
R1 318
5V
产量
W
R2
197
所有的输入脉冲
3.0V
90%
90%
10%
W
夹具
范围
5 pF的
INCLUDING
W
10%
GND
& LT ; 3纳秒
& LT ; 3纳秒
(a)
(b)
H512 5
H512 6
相当于:
戴维南等效
121
产量
W
1.91V
3
初步
开关特性
在整个工作范围
参数
t
AA
t
OE
t
HZOE
t
CE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
OH
CY27H512
描述
地址输出
有效
OE为主动
输出有效
OE为无效
高Z
CE主动到
输出有效
CE为无效
高Z
CE主动到
上电
CE为无效
掉电
输出数据保持
27H512-25 27H512-30 27H512-35 27H512-45 27H512-55 27H512-70
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
25
12
12
30
12
0
30
0
0
0
35
0
30
15
15
35
15
0
40
0
35
15
15
35
15
0
40
0
45
15
15
45
15
0
50
0
55
20
20
55
20
0
60
70
25
25
70
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
I
CC
CE
OE
A
0
- A
15
O
0
-O
7
t
CE
地址一
t
AA
数据
t
AA
ADDR B
t
HZOE
数据B
t
OH
t
OE
数据B
t
HZCE
H512 7
t
PU
t
PD
4
初步
擦除特性
CY27H512
光小于4000埃的波长开始清除
CY27H512在窗口包。出于这个原因,不透明
标签应被放置在窗口如果EPROM露出
在阳光或荧光灯照明的时间过长。
紫外光擦除的推荐剂量是一个波
2537埃的最小剂量长度(紫外线强度MUL
25 WSEC /厘米,曝光时间tiplied )
2
。为紫外线灯
用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率,曝光时间将是邑
近因35分钟。该CY27H512需要是在1英寸
擦除时的灯。永久性损坏,可能会导致如
EPROM中暴露于高强度的紫外光下,扩展的pe
荒漠化问题的时间。 7258 WSEC /厘米
2
是建议的最大
用量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯,以及从
第三方软件供应商的数量。有关详细方案
明的信息,包括软件包列表,请
请参阅位于末端的PROM编程信息
本节。编程算法,可以从任何获得
赛普拉斯代表。
表1.编程电气特性
参数
描述
分钟。
马克斯。
单位
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
V
CCP
编程电源
编程电源电流
编程输入电压高
编程输入电压低
编程VCC
12.5
13
50
V
mA
V
V
V
3.0
-0.5
6.0
V
CC
0.4
6.5
表2.模式选择
引脚功能
模式
CE
OE / V
PP
A
0
[8]
数据
A
9
输出禁用
支持
节目
程序校验
禁止程序
签名阅读( MFG )
签名阅读( DEV )
注意:
V
IL
X
V
IH
V
ILP
V
ILP
V
国际水文计划
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
ILP
V
PP
V
IL
V
IL
9.
A
0
A
0
X
A
0
A
0
A
0
V
IL
V
IH
A
9
A
9
X
A
9
A
9
A
9
V
HV[9]
V
HV[9]
O
7
- O
0
高Z
高Z
D
7
- D
0
O
7
- O
0
高Z
34H
1FH
8.
X可以是V
IL
或V
IH
.
V
HV
=12±0.5V
5
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    -
    -
    -
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