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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第60页 > CY14B108K-ZS25XI
CY14B108K ， CY14B108M
8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）用的nvSRAM
实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
商用和工业温度
44和54引脚TSOP II封装
无铅并符合RoHS标准
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为1024K ×8 （ CY14B108K ）或512K ×16
(CY14B108M)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性结合完整
特色实时时钟（ RTC ）
功能说明
赛普拉斯CY14B108K / CY14B108M结合了8兆位
非易失性静态RAM，带有一个全功能的RTC在单片
集成电路。嵌入式非易失性元件断路器中
porate QuantumTrap技术生产世界上最
可靠的非易失性存储器。 SRAM被读出和写入
无限的次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
A
19
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
RTC
X
OUT
X
in
INT
Quatrum
陷阱
2048 X 2048 X 2
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048 X 2
商店
召回
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
动力
控制
A
14
- A
2
列I / O
MUX
A
19
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
BHE
笔记
1.地址
0
- A
19
对于X8的配置和地址
0
- A
18
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-47378修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月30日
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
引脚配置
图1.引脚图： 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
A
18
A
17
A
16
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
19
A
0
– A
18
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
？ DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入用于选择的1,048,576字节的nvSRAM对于X8的配置之一。
地址输入用于选择的nvSRAM对于X16配置的524,288字之一。
输入/输出
双向数据I / O线为X8配置。
用作输入或输出线视
操作。
双向数据I / O的X16配置行。
用作输入或输出线视
操作。
无连接
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
写使能输入，低电平有效。
当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。
控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。
控制DQ
7
- DQ
0
.
水晶连接。
驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。
对于32.768 kHz晶振。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
电源
电容器提供备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCbat
被使用。
电源
电池供应的备份的RTC电源电压。
悬空若V
RTCcap
被使用。
记
4.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-47378修订版* B
第29页2
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
表1.引脚定义
（续）
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
地
描述
中断输出。
可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。
必须连接到该系统的地面。
电源
电源输入到该设备。
3.0V +20%, –10%.
输入/输出
五金店忙（ HSB ） 。
当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。内部弱上拉
电阻保持在该引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。每家商店手术后
HSB被驱动为高电平为短时间标准输出大电流。
电源
自动存储电容。
供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B108K / CY14B108M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B108K / CY14B108M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达200K的存储操作
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
24，用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B108K / CY14B108M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，在器件上电
下来。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B108K/CY14B108M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第5页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
可能会损坏存储的nvSRAM中的数据。
图2.自动存储模式
VCC
SRAM读
该CY14B108K / CY14B108M执行一个读周期时
CE和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-19
OR A
0-18
确定哪一个的
1048576个数据字节或524,288字的16位各自是
访问。字节使能（ BHE ， BLE）确定哪些字节
使能输出，在16位字的情况。当读出的
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期2）。该数据输出反复进行响应，以解决
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚。这仍然有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平，否则我们还是
HSB被拉低。
0.1uF
10kOhm
VCC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。请OE高时，
整个写周期，以避免对通用I数据总线争/ O
线。如果OE保持低电平，内部电路关闭输出
缓冲区吨
HZWE
当我们变低。
文件编号： 001-47378修订版* B
WE
V
帽
V
SS
V
帽
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸15页
帽
。电压
第29页3
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。上拉
最高应放在WE举行期间，上电就无效。
这拉的是，如果WE信号为三态时唯一有效
上电。许多主控板三态上电时的控制。确认
这在使用上拉了起来。当的nvSRAM出来的
电源接通召回时，MPU必须处于活动状态或在WE保持无效
直到MPU脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B108K / CY14B108M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B108K / CY14B108M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态时，
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B108K / CY14B108M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B108K / CY14B108M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
竣工
of
该
商店
操作时，
该
CY14B108K / CY14B108M仍然禁止，直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B108K / CY14B108M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
文件编号： 001-47378修订版* B
第29页4
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
表2.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE ， BHE ， BLE
[3]
X
L
X
L
A
15
- A
0
[5]
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[6]
L
H
L
活跃
[6]
L
H
L
我主动
CC2[6]
L
H
L
活跃
[6]
防止自动存储
所述自动存储功能是通过启动一个自动存储禁用
禁用序列。执行读操作的序列
以类似于软件商店发起相关的方式。要启动
在自动存储禁用序列，行政长官按以下顺序
或OE控制的读操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8B45自动存储禁用
自动存储被重新启用启动的自动存储启用
序列。在执行读操作的序列
方式类似软件RECALL启动。要启动
自动存储使能序列， CE或OE下列顺序
控制读操作必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4B46自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用，手动
STORE操作（硬件或软件）发出以保存
自动存储状态，通过以后的掉电周期。该
一部分来自于工厂自动存储功能。
笔记
5.虽然有关于CY14B108K （在CY14B108M 19条地址线） 20的地址线中，只有13个地址线（甲
14
- A
2
）被用于控制软件模式。
其余的地址线是不在乎。
6. 6个连续地址单元必须按列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
文件编号： 001-47378修订版* B
第29页5
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
8兆位（ 1024 K＆times五百十二分之八K＆times 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
8兆位（ 1024 K＆times五百十二分之八K＆times 16 ）的nvSRAM与实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为1024 K＆times 8 （ CY14B108K ）或有512K × 16
(CY14B108M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯非易失性静态RAM中的数据完整性（的nvSRAM ）
结合全功能的实时时钟（RTC）的
功能说明
赛普拉斯CY14B108K / CY14B108M结合了8兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与一个全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-47378修订版* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年7月13日
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
逻辑框图
[1, 2, 3]
Quatrum
陷阱
2048 X 2048 X 2
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
A
19
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
RTC
X
OUT
X
in
INT
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
商店
召回
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048 X 2
存储/调用
控制
HSB
V
CC
V
帽
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
软件
检测
A
14
- A
2
列I / O
MUX
A
19
- A
0
OE
COLUMN DEC
WE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
19
为× 8配置和地址
0
–A
18
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
文件编号： 001-47378修订版* G
第33 2
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
目录
引脚分配................................................. ............................. 4
引脚定义................................................ .................. 5
设备操作................................................ .............. 6
SRAM读................................................ ....................... 6
SRAM写................................................ ....................... 6
自动存储操作................................................ 6 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 7
硬件RECALL （上电） ....................................... 7
软件商店................................................ ............... 7
软件RECALL ................................................ ............. 7
防止自动存储................................................ 8 .......
数据保护................................................ ................. 9
噪声考虑................................................ 9 .......
实时时钟运行.............................................. 9
nvTime操作................................................ ........ 9
时钟操作................................................ ......... 9
读时钟............................................... ........ 9
设置时钟............................................... .......... 9
备用电源................................................ ............. 9
停止和启动振荡器.......................... 10
校准时钟............................................... .. 10
报警................................................. ........................ 10
看门狗定时器................................................ ........ 10
电源监视器................................................ ........... 11
中断................................................. .................. 11
标志登记................................................ ........... 12
................................................最佳实践................. 17
最大额定值................................................ ........... 18
经营范围................................................ ............. 18
直流电气特性........................................ 18
数据保留和耐力..................................... 19
电容................................................. ................... 19
热阻................................................ ........ 19
AC测试负载............................................... ................. 19
AC测试条件............................................... ......... 19
RTC特征................................................ ....... 20
AC开关特性....................................... 21
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 24
开关波形................................................ .... 24
软件控制的存储和调用循环........ 25
开关波形................................................ .... 25
五金店周期............................................... .. 26
开关波形................................................ .... 26
真值表SRAM操作................................ 27
订购信息................................................ ...... 28
订购代码定义......................................... 28
包图................................................ .......... 29
与缩略语................................................. ....................... 31
文档约定................................................ 31
计量单位............................................... ........ 31
文档历史记录页............................................... .. 32
销售，解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号： 001-47378修订版* G
第33 3
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
A
18
A
17
A
16
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
V
RTCcap
V
RTCbat
记
4.地址扩展为16兆位。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-47378修订版* G
第33 4
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
19
A
0
–A
18
DQ
0
-DQ
7
DQ
0
-DQ
15
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
产量
地
电源
输入/输出
描述
地址输入。用于选择的1,048,576字节的nvSRAM的×8配置之一。
地址输入。用于选择524,288字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I /为× 8配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
电容器提供备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电池供应的备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。 3.0 V + 20 ％ -10 ％ 。
五金店忙（ HSB ）。当低此输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
电源
文件编号： 001-47378修订版* G
第33 5
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
8兆位（ 1024的K×五百十二分之八的K× 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP - II ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为1024 K＆times 8 （ CY14B108K ）或512 K＆times
16 （ CY14B108M ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯非易失性静态RAM中的数据完整性（的nvSRAM ）
结合全功能的实时时钟（RTC）的
功能说明
赛普拉斯CY14B108K / CY14B108M结合了8兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与一个全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
A
19
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
Quatrum
陷阱
2048 X 2048 X 2
商店
召回
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048 X 2
V
CC
V
帽
V
RTCbat
V
RTCcap
动力
控制
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
19
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
19
对于X8的配置和地址
0
- A
18
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-47378修订版* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年3月9日
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
目录
引脚分配................................................. ............................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTime操作................................................ 7 ........
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ...................
热阻................................................ ........
AC测试条件............................................... .........
RTC特征................................................ .......
AC开关特性.......................................
开关波形................................................ ....
开关波形................................................ ....
开关波形................................................ ....
自动存储/上电RECALL .......................................
开关波形................................................ ....
软件控制的存储和调用循环........
开关波形................................................ ....
五金店周期............................................... ..
开关波形................................................ ....
真值表SRAM操作................................
对于X8配置............................................... ...
对于x16配置............................................... 。
订购信息................................................ ......
订购代码定义...........................................
包图................................................ ..........
与缩略语................................................. .......................
文档约定................................................ 。
计量单位............................................... ........
文档历史记录页............................................... ..
销售，解决方案和法律信息......................
全球销售和设计支持.......................
产品................................................. ...................
的PSoC解决方案................................................ .........
17
17
17
18
19
19
20
21
22
22
23
23
24
24
25
25
25
26
26
27
29
29
29
30
31
31
31
31
文件编号： 001-47378修订版* F
第31 2
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
A
18
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
A
17
A
16
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
I / O类型
描述
输入
地址输入。用于选择的1,048,576字节的nvSRAM对于x8的配置之一。
A
0
– A
19
地址输入。用于选择524,288字的nvSRAM对于x16的配置之一。
A
0
– A
18
DQ
0
？ DQ
7
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
DQ
0
？ DQ
15
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
NC
无连接未连接。该管脚没有连接到模具上。
输入
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
WE
地址位置。
输入
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
CE
输入
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
OE
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
输入
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
BHE
输入
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
BLE
产量
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
X
OUT
输入
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
X
in
V
RTCcap
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
V
RTCbat
产量
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
INT
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
V
SS
供电电源输入到该设备。 3.0 V + 20 ％ -10 ％ 。
V
CC
记
4.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-47378修订版* F
第31 3
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
表1.引脚定义
（续）
引脚名称
HSB
I / O类型
描述
输入/输出五金店忙（ HSB ）。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B108K / CY14B108M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B108K / CY14B108M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
25，用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B108K / CY14B108M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B108K/CY14B108M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
CC
SRAM读
该CY14B108K / CY14B108M执行一个读周期时CE
和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-19
OR A
0-18
确定哪一个的
1048576个数据字节或524,288字的16位各自是
访问。字节使能（ BHE ， BLE）确定哪些字节
使能输出，在16位字的情况。当读出的
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期2）。该数据输出反复进行响应，以解决
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚。这仍然有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平，否则我们还是
HSB被拉低。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
WE
V
帽
V
帽
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中，如果它是有效的吨
SD
年底前的时间
一个我们控制写入或CE年底前控制
写。字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
被写入，在16位字的情况。 OE保持在高
在整个写周期，以避免对公共数据总线争用
I / O线。如果OE保持低电平，内部电路关闭输出
缓冲区吨
HZWE
当我们变低。
V
SS
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。请参阅
直流电气
特征
对于V的尺寸16页
帽
。电压
在V
帽
引脚被驱动到V
CC
通过在芯片上的调节器。一
拉起来应该放在我们在拿着它不活跃
电。这种上拉才有效，如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时， MPU必须
主动或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
第31 4
文件编号： 001-47378修订版* F
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B108K / CY14B108M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B108K / CY14B108M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B108K / CY14B108M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B108K / CY14B108M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B108K / CY14B108M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号： 001-47378修订版* F
第31 5
[+ ]反馈
CY14B108K ， CY14B108M
8兆位（ 1024 K＆times五百十二分之八K＆times 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
8兆位（ 1024 K＆times五百十二分之八K＆times 16 ）的nvSRAM与实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）II型
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为1024 K＆times 8 （ CY14B108K ）或有512K × 16
(CY14B108M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯非易失性静态RAM中的数据完整性（的nvSRAM ）
结合全功能的实时时钟（RTC）的
功能说明
赛普拉斯CY14B108K / CY14B108M结合了8兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与一个全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-47378修订版* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年8月10日
CY14B108K ， CY14B108M
逻辑框图
[1, 2, 3]
Quatrum
陷阱
2048 X 2048 X 2
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
A
19
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
BLE
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
RTC
X
OUT
X
in
INT
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
商店
召回
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048 X 2
存储/调用
控制
HSB
V
CC
V
帽
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
软件
检测
A
14
- A
2
列I / O
MUX
A
19
- A
0
OE
COLUMN DEC
WE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
19
为× 8配置和地址
0
–A
18
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
文件编号： 001-47378修订版* I
第34 2
CY14B108K ， CY14B108M
目录
引脚分配................................................. ............................. 4
引脚定义................................................ .................. 5
设备操作................................................ .............. 6
SRAM读................................................ ................ 6
SRAM写................................................ ................. 6
自动存储操作................................................ 6 ....
五金店（ HSB ）操作............................ 6
硬件RECALL （上电） ................................. 7
软件商店................................................ ......... 7
软件RECALL ................................................ 7 .......
防止自动存储................................................ 9 ..
数据保护................................................ ............ 9
实时时钟运行.............................................. 9
nvTime操作................................................ ........ 9
时钟操作................................................ ......... 9
读时钟............................................... ........ 9
设置时钟............................................... ........ 10
备用电源................................................ ........... 10
停止和启动振荡器.......................... 10
校准时钟............................................... .. 10
报警................................................. ........................ 11
看门狗定时器................................................ ........ 11
电源监视器................................................ ........... 11
中断................................................. .................. 11
标志登记................................................ ........... 13
最大额定值................................................ ........... 18
经营范围................................................ ............. 18
直流电气特性........................................ 18
数据保留和耐力..................................... 19
电容................................................. ................... 19
热阻................................................ ........ 19
AC测试负载............................................... ................. 20
AC测试条件............................................... ......... 20
RTC特征................................................ ....... 20
AC开关特性....................................... 21
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 24
开关波形................................................ .... 24
软件控制的存储和调用循环........ 25
开关波形................................................ .... 25
五金店周期............................................... .. 26
开关波形................................................ .... 26
真值表SRAM操作................................ 27
订购信息................................................ ...... 28
订购代码定义......................................... 28
包图................................................ .......... 29
与缩略语................................................. ....................... 31
文档约定................................................ 31
计量单位............................................... ........ 31
文档历史记录页............................................... .. 32
销售，解决方案和法律信息...................... 34
全球销售和设计支持....................... 34
产品................................................. ................... 34
的PSoC解决方案................................................ ......... 34
文件编号： 001-47378修订版* I
第34 3
CY14B108K ， CY14B108M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
XOUT
XIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[4]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
A
18
A
17
A
16
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
XOUT
XIN
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
V
RTCcap
V
RTCbat
记
4.地址扩展为16兆位。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-47378修订版* I
第34 4
CY14B108K ， CY14B108M
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
19
A
0
–A
18
DQ
0
-DQ
7
DQ
0
-DQ
15
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
out[5]
X
in[5]
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
电源
电源
产量
地
电源
输入/输出
描述
地址输入。用于选择的1,048,576字节的nvSRAM的×8配置之一。
地址输入。用于选择524,288字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I /为× 8配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
水晶连接。驱动器上的水晶开始了。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
电容器提供备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电池供应的备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。 3.0 V + 20 ％ -10 ％ 。
五金店忙（ HSB ）。当低此输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
RTCcap[5]
V
RTCbat[5]
INT
[5]
V
SS
V
CC
HSB
V
帽
电源
记
5.悬空如果不使用RTC功能。
文件编号： 001-47378修订版* I
第34 5
查看更多CY14B108K-ZS25XIPDF信息
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