1CY 27C2 56
传真号： 3013
CY27C256
32K ×8位CMOS EPROM
特点
宽转速范围
- 45纳秒到200纳秒（商用和军用）
低功耗
- 248毫瓦（商业）
- 303毫瓦（军事）
低待机功耗
- 小于83毫瓦时取消
±10%
电源容限
能够在装备有擦除窗口CERDIP包
提供可重编程。当暴露于UV光，
EPROM的擦除和可重新编程。该MEM-
储器电池使用经过验证的EPROM浮栅技术，
字节宽的智能编程算法。
该CY27C256提供了更低的功耗和苏的优势
perior性能和编程的产量。在EPROM单元
只需要12.5V为超电压和低电流再
quirements允许团伙编程。在EPROM单元
允许每个存储单元进行测试的100％ ，因为每个
位置写入，擦除，并多次行使前
以封装。每个EPROM还测试了在AC perfor-
曼斯保证客户在编程后，对
产品满足直流和交流的技术指标。
读CY27C256是通过将活性来实现
在OE和CE LOW信号。该存储器位置的内容
由地址线寻址（A
0
- A
14
）将变得可用上
输出线（O
0
- O
7
).
功能说明
该CY27C256是一个高性能的32768个字由8位
CMOS EPROM 。当禁用（ CE HIGH ）时， CY27C256
自动断电进入低功率待机模式。
该CY27C256封装在工业标准的600密耳
DIP ， PLCC ，和TSOP封装。该CY27C256也可用
逻辑框图
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
掉电
O
1
COLUMN
地址
O
2
O
3
地址
解码器
O
4
ROW
地址
256 x 1024
可编程
ARRAY
8× 1的128
多路复用器
O
7
销刀豆网络gurations
DIP /扁平
O
6
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6 27C256 23
22
7
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
V
CC
A
14
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
27c256–2
LCC / PLCC
[1]
4 3 2 1 32 31 30
29
5
28
27C256
6
27
7
26
8
25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
14151617 181920
O
5
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
27c256–3
O
0
CE
27c256–1
OE
注意：
1.对于PLCC只：引脚1和17是常见的，绑在模片固定垫。因此，他们必须是杜（不使用）的PLCC封装。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1993年5月 - 修订1994年8月
CY27C256
选购指南
27C256-45 27C256-55
最大访问时间（纳秒）
最大
操作
电流（mA ）
待机电流
（MA ）
Com'l
米尔
Com'l
米尔
45
45
55
15
20
45
15
55
45
55
15
20
55
20
27C256-70
70
45
55
15
20
70
25
27C256-90 27C256-120 27C256-150 27C256-200
90
45
55
15
20
90
30
120
45
55
15
20
120
30
150
45
55
15
20
150
40
200
45
55
15
20
200
40
芯片选择时间（纳秒）
输出使能时间（纳秒）
销刀豆网络gurations
28引脚TSOP
顶视图
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
A
14
V
CC
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
27C256T
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
O
2
O
1
O
0
A
0
A
1
A
2
27c256–4
32针TSOP
T
OP VIEW
OE
1
A
19
A
8
A
3
A
1
NC
4
A
1
V
CC
P
V
P
NC
2
A
1
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
27C256
NC
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
O
2
O
1
O
0
NC
A
0
A
1
A
2
27c256–5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度................................. -65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用............................................. -55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压.............................................- 3.0 V至+ 7.0V
DC编程电压............................................... ..... 13.0V
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
UV曝光................................................ 7258 WSEC /厘米
2
2
CY27C256
工作范围
范围
广告
产业
[2]
军事
[3]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
-40
°
C至+ 85
°
C
-55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V
±10%
电气特性
在整个工作范围
[4]
27C256-45, 55, 70, 90,
120, 150, 200
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入电流
输出漏电流
输出短路电流
[6]
电源电流
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 16.0毫安
[5]
保证输入逻辑高电压对所有
输入
保证输入逻辑低电压所有
输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
IN
=V
IH
,
I
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
,
OE = V
IH
V
CC
=最大值， CE = V
IH
广告
军事
广告
军事
广告
军事
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
3.0
0.4
12
2.0
–0.3
–10
–10
–40
–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
+40
–90
45
55
15
20
13
50
V
mA
V
V
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
I
SB
待机电源电流
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
2.联系赛普拉斯为代表的工业级温度范围内的信息。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5. I
OL
= 12.0毫安军事设备。
6.出于测试的目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
7.请参阅Introduction to CMOS PROM中本数据手册上关于测试的一般信息。
3
CY27C256
开关波形
t
PD
I
CC
供应
当前
A
0
- A
14
地址
50%
t
PU
POWER- DOWN BY控CE
50%
OE ，CE
t
AA
t
OH
O
0
- O
7
以前的数据有效
(t
HZOE
)
t
HZCE
数据有效
(t
OE
)
t
ACE
高Z
27c256–8
擦除特性
光小于4000的波长下开始删除
27C256的窗口包。出于这个原因，不透明
标签应放置在窗口，如果在EPROM是EX-
所构成太阳光或荧光灯照明的情况下长期
的时间。
紫外光的推荐剂量为擦除是
波长为2537埃的最小剂量（紫外线强度mul-
通过曝光时间的25 WSEC / cm2）的tiplied 。对于紫外线
灯用12毫瓦/平方厘米
2
额定功率，曝光时间将
大约35分钟。该CY27C256需要
表1. CY27C256模式选择。
模式
A
14
-A
0
读
输出禁用
掉电
A
14
-A
0
A
14
-A
0
A
14
-A
0
OE
V
IL
V
IH
X
在擦除过程中1英寸的灯。永久性损坏
可能会导致如果EPROM暴露于高强度的UV光
对于延长的时间周期。 7258 WSEC /厘米
2
是时建议
谁料最大剂量。
编程模式
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件封装的列表
年龄，请参阅EPROM编程信息接收双相指令
编在本部分的末尾。编程算法可
从任何赛普拉斯销售代表索取。
引脚功能
[8]
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
PP
X
[9]
X
X
O
7
-O
0
O
7
-O
0
高Z
高Z
注意事项：
8. X可以是V
IL
或V
IH
9. V
PP
不应超过V
CC
在读模式下。
5
