CGY 121一
功能框图：
VD1 （3）
VD2 （1）
引脚/ -VG （ 4 ）
的Pout （1）
VCON （ 6 ）
控制
电路
GND（ 2,5）
针＃
1
2
3
4
5
6
名字
VD2 /
噘
RF- GND
VD1
VG /针
RF- GND
CON组fi guration
漏极电压二段/ RF- 0utput
漏极电压第一阶段
在电流控制电路的负电压（ -4V ） / RF-输入
VCONTROL
正电压增益控制（ 0V .... 3V ）
西门子股份公司。
2
半导体集团
2
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
CGY 121一
电气特性
（ TA = 25 ° C，F = 900兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 3V ; I = 45毫安
1分贝增益压缩
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
符号
民
17
-
-
48
-
典型值
19
11
10
53
14
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
电气特性
(
T
A = 25 ° C，F = 1800兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 3V ; I = 45毫安
1分贝增益压缩
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
DC特性
特征
栅极电流（引脚4 ）
Vg=-4V
控制电流（引脚6 ）
VG = -4V ; VCON = 0V 3V ...
电源电流
VG = -4V ; VCON = 3V
西门子股份公司。
符号
民
15.5
-
-
48
-
典型值
17.5
10
8.5
53
14
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
符号
Ig
Ic
Id
民
-
-
-
典型值
1.0
0.5
45
最大
-
-
-
单位
mA
mA
mA
3
半导体集团
3
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
CGY 121一
零件清单
频率
C1，C2 （西门子大小0603 ）
C3 ， C4 （西门子大小0603 ）
C5 （西门子大小0603 ）
L1 （的Coilcraft 0805CS - 150XKBC ）
L2 （的Coilcraft 0805CS - 270XMBC ）
R1 （西门子B 54102 - A1271 - J60 ）
R2 （西门子B 54102 - A1120 - J60 ）
R3
900兆赫
22 pF的
100 nF的
47 nF的
15 nH的
27 nH的
270欧姆
12欧姆
6.8欧姆
0603
0603
0603
0805
0805
0805
0805
0805
应用电路
F = 1900 MHz的
Vd
C3
C6
3
R2
R3
C4
L1
产量
1
6
2,5
输入
50欧姆C1
R1
4
CGY121
C2
50 OHM
C5
Vg
GND
VCONTROL
西门子股份公司。
5
半导体集团
5
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
CGY 121 B
功能框图：
VD1 （3）
VD2 （1）
引脚/ -VG （ 4 ）
的Pout （1）
VCON （ 6 ）
控制
电路
GND（ 2,5）
针＃
1
2
3
4
5
6
VD2 /
噘
RF- GND
VD1
VG /针
RF- GND
CON组fi guration
漏极电压二段/ RF- 0utput
漏极电压第一阶段
在电流控制电路的负电压（ -4V ） / RF-输入
VCONTROL
正电压增益控制（ 0V .... 3V ）
西门子股份公司。
2
半导体集团
2
04.08.98
HL HF PE的GaAs / HB
1998-11-01
CGY 121 B
电气特性
（ TA = 25 ° C，F = 900兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 5V ; I = 70毫安
1分贝增益压缩
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
符号
民
-
-
-
-
-
典型值
21.5
15
11
55
16
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
电气特性
(
T
A = 25 ° C，F = 1800兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 5V ; I = 70毫安
1分贝增益压缩
VD = 5V ; I = 70毫安; VCON = 3V
DC特性
特征
栅极电流（引脚4 ）
Vg=-4V
控制电流（引脚6 ）
VG = -4V ; VCON = 0V 3V ...
电源电流
VG = -4V ; VCON = 3V
西门子股份公司。
符号
民
-
-
-
-
-
典型值
19.5
10
8
55
16
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
符号
Ig
Ic
Id
民
-
-
-
典型值
1.0
0.5
70
最大
-
-
-
单位
mA
mA
mA
3
半导体集团
3
04.08.98
HL HF PE的GaAs / HB
1998-11-01
CGY 121 B
增益与VCONTROL和温度
工作条件： VD = 3V ， V G = -4V ，ID = 70毫安中，f = 900MHz的，引脚= -10dBm
30
20
10
增益（分贝）
0
-10
-20°C
25°C
-30
70°C
-20
-40
0,0
0,5
1,0
1,5
VCONTROL [V]的
2,0
2,5
3,0
应用电路
F = 900兆赫
Vd
C3
R2
R3
C4
L1
3
L2
产量
1
输入
50欧姆C1
R1
4
CGY121
6
2,5
C2
50 OHM
C5
Vg
GND
VCONTROL
西门子股份公司。
4
半导体集团
4
04.08.98
HL HF PE的GaAs / HB
1998-11-01
CGY 121 B
C1
R1
CGY 121
C3
L1
R2
C5
L2
R3
C4
C2
零件清单
频率
C1，C2 （西门子大小0603 ）
C3 ， C4 （西门子大小0603 ）
C5 （西门子大小0603 ）
L1 （的Coilcraft 0805CS - 150XKBC ）
L2 （的Coilcraft 0805CS - 270XMBC ）
R1 （西门子B 54102 - A1271 - J60 ）
R2 （西门子B 54102 - A1120 - J60 ）
R3
900兆赫
22 pF的
100 nF的
47 nF的
15 nH的
27 nH的
270欧姆
12欧姆
6.8欧姆
0603
0603
0603
0805
0805
0805
0805
0805
西门子股份公司。
5
半导体集团
5
04.08.98
HL HF PE的GaAs / HB
1998-11-01
CGY 121一
功能框图：
VD1 （3）
VD2 （1）
引脚/ -VG （ 4 ）
的Pout （1）
VCON （ 6 ）
控制
电路
GND（ 2,5）
针＃
1
2
3
4
5
6
名字
VD2 /
噘
RF- GND
VD1
VG /针
RF- GND
CON组fi guration
漏极电压二段/ RF- 0utput
漏极电压第一阶段
在电流控制电路的负电压（ -4V ） / RF-输入
VCONTROL
正电压增益控制（ 0V .... 3V ）
西门子股份公司。
2
半导体集团
2
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
CGY 121一
电气特性
（ TA = 25 ° C，F = 900兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 3V ; I = 45毫安
1分贝增益压缩
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
符号
民
17
-
-
48
-
典型值
19
11
10
53
14
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
电气特性
(
T
A = 25 ° C，F = 1800兆赫， V G = -4V ， RS = RL = 50
除非另有规定编）
特征
功率增益
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输入回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
输出回波损耗
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
增益控制范围
VCON = 3 V ... 0V ; VD = 3V ; I = 45毫安
1分贝增益压缩
VD = 3V ; I = 45毫安; VCON = 3V
DC特性
特征
栅极电流（引脚4 ）
Vg=-4V
控制电流（引脚6 ）
VG = -4V ; VCON = 0V 3V ...
电源电流
VG = -4V ; VCON = 3V
西门子股份公司。
符号
民
15.5
-
-
48
-
典型值
17.5
10
8.5
53
14
最大
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
G
RL
in
RL
OUT
dG
P1
dB
符号
Ig
Ic
Id
民
-
-
-
典型值
1.0
0.5
45
最大
-
-
-
单位
mA
mA
mA
3
半导体集团
3
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
CGY 121一
零件清单
频率
C1，C2 （西门子大小0603 ）
C3 ， C4 （西门子大小0603 ）
C5 （西门子大小0603 ）
L1 （的Coilcraft 0805CS - 150XKBC ）
L2 （的Coilcraft 0805CS - 270XMBC ）
R1 （西门子B 54102 - A1271 - J60 ）
R2 （西门子B 54102 - A1120 - J60 ）
R3
900兆赫
22 pF的
100 nF的
47 nF的
15 nH的
27 nH的
270欧姆
12欧姆
6.8欧姆
0603
0603
0603
0805
0805
0805
0805
0805
应用电路
F = 1900 MHz的
Vd
C3
C6
3
R2
R3
C4
L1
产量
1
6
2,5
输入
50欧姆C1
R1
4
CGY121
C2
50 OHM
C5
Vg
GND
VCONTROL
西门子股份公司。
5
半导体集团
5
23.06.98
HL HF PE运用GaAs1
1998-11-01
