CY27C128自动断电
进入低功率待机模式。该
D
调速范围宽
CY27C128打包在工业
45纳秒到200纳秒（商业和
标准的600密耳DIP和LCC封装。
军事）
该CY27C128也是核证减排量可
D
低功耗
DIP封装装有一个擦除
窗口提供了可重编程。
248毫瓦（商业）
当暴露于UV光，对EPROM
303毫瓦（军事）
被擦除，并且可以被重新编程。该
D
低待机功耗
电池使用
超过83毫瓦少的时候取消
memorygate technologyproven EPROM
漂浮的
而在宽字节
D
± 10 ％电源容差
智能编程算法。
功能说明
该CY27C128提供的优势
性能
该CY27C128是一种高性能低功耗和优异的EPROM单元和
规划产量。该
re
由8位CMOS EPROM 16,384字。张塌塌米仅12.5V为超电压，
当禁用（ CE HIGH ）时，
特点
128K （ 16K ×8位） CMOS EPROM
CY27C128
和低电流要求的允许
帮派编程。在EPROM单元人
低每个存储单元进行测试
100％，因为每个区域被写入
进，擦除，并多次行使
以密封之前。每个EPROM是
还测试AC性能到瓜耳
antee客户程序后，
该产品将满足直流和交流
技术指标。
读CY27C128完成
通过OE置低电平信号
CE 。该存储器位置的内容
由地址线寻址（A
0
- A
13
)
将成为可在输出线
(O
0
- O
7
).
逻辑框图
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
COLUMN
A
2
A
1
A
0
地址
O
5
ROW
地址
128 x 1024
可编程
ARRAY
8× 1的128
多路复用器
O
7
O
6
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
O
4
A
3
A
2
A
1
O
3
A
0
O
0
O
1
O
2
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
销刀豆网络gurations
DIP /扁平
28
27
26
25
24
27C128
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
PGM
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
C128 2
O
1
掉电
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
27C128
LCC / PLCC
[1]
V
PP
V
CC
PGM
A 12
A7
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
A 13
O
C128 3
5
DU
DU
地址
解码器
14 15 16 17 1819 20
GND
1
2
3
O
4
O
O
O
0
CE
OE
C128 1
选购指南
27C128-45 27C128-55 27C128-70 27C128-90 27C128-120 27C128-150 27C128-200
最大访问时间（纳秒）
45
55
70
90
120
150
200
最大
45
45
45
45
45
45
45
操作
[2]
Com'l
55
55
55
55
55
55
55
米尔
电流（mA ）
15
15
15
15
15
15
15
待机电流Com'l
（MA ）
( A)
20
20
20
20
20
20
20
米尔
芯片选择时间（纳秒）
45
55
70
90
120
150
200
输出使能时间（纳秒）
15
20
25
30
30
40
40
注意事项：
1.对于PLCC只：引脚1和17是常见的，绑在芯片粘接2.加入2毫安/ MHz的交流电源组件。
垫。因此，他们必须是杜（不使用）的PLCC封装。
赛普拉斯半导体公司
D
3901北一街
1
D
圣荷西
D
CA 95134
O
D
408-943-2600
1994年2月
CY27C128
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55
_
C至+ 125
_
C
电源电压为地电位。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.0V至+ 7.0V
DC编程电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.0V
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
电气特性
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
UV曝光。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7258 WSEC /厘米
2
工作范围
环境
范围
温度
V
CC
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产业
[3]
军事
[4]
0
_
C至+70
_
C
-40
_
C至+ 85
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
5V ±10%
5V ±10%
5V ±10%
在整个工作范围
[5]
27C128-45, 55, 70, 90,
120, 150, 200
参数
描述
测试条件
分钟。
马克斯。
单位
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入电流
输出漏电流
输出短路电流
[7]
电源电流
[2]
V
CC
=最小值，我
OH
= - 4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 16.0毫安
[6]
保证输入逻辑高电压
所有的输入
保证输入逻辑低电压
所有的输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
IN
=V
IH
,
I
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
,
OE = V
IH
V
CC
=最大值， CE = V
IH
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军事
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军事
2.4
0.4
2.0
-0.3
-10
-10
-40
-20
V
CC
0.8
+10
+10
+40
-90
45
55
15
20
12
3.0
0.4
13
50
V
V
V
V
m
A
m
A
mA
mA
I
SB
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
待机电源电流
mA
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
[8]
描述
测试条件
V
mA
V
V
电容
参数
马克斯。
单位
C
IN
C
OUT
注意事项：
输入电容
输出电容
T
A
= 25
_
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
5 0V
6
7.
8.
10
10
pF
pF
3.
4.
5.
请联系赛普拉斯代表工业TEM信息
温度范围内的规格。
T
A
是？即时on"外壳温度。
请参见本规范A组分组测试中的最后一页
形成。
I
OL
= 12.0毫安军事设备。
出于测试目的，而不是多个输出的时间应该是
短路。短路测试持续时间不应超过30秒。
看到介绍的CMOS PROM的本数据手册一般在
形成上测试。
2
QQ：2881677436 复制
