高速超低功率SRAM
32K字×8位
CS18LV02565
概述
该CS18LV02565是一款高性能，高速度，超低功耗CMOS静态随机
存取记忆体组织为32,768字由8位和操作的一个4.5到5.5V的电源电压。
先进的CMOS工艺和电路技术同时提供高速，超低功耗特性
以及在5.0V操作55 / 70ns的最大访问时间。轻松扩展内存由提供
低电平有效芯片使能（ / CE）和低电平有效输出使能（ / OE ） 。
该CS18LV02565具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV02565可在JEDEC标准的28引脚TSOP I
（ 8x13.4毫米） ， SOP （ 330万）和PDIP （ 600 mil）的包。
特点
宽工作电压： 4.5 5.5V
超低功耗： 2毫安@ 1MHz的（最大） ， VCC = 5.0V 。
1.0微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间： 55 / 70ns的。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容。
数据保持电源电压低至1.5V 。
易于扩展与/ CE和/ OE选项。
产品系列
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度快（纳秒）
待机电流（典型值）。
I
CCSB1
1.0微安
（VCC = 5.0V ）
套餐类型
28 SOP
0~70
o
C
55/70
28 TSOP I
28 PDIP
骰子
28 SOP
CS18LV02565
4.5~5.5V
1.5微安
（VCC = 5.0V ）
-40~85
o
C
55/70
28 TSOP I
28 PDIP
骰子
2
修订版2.0
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
32K字×8位
CS18LV02565
功能
引脚说明
名字
A0 – A14
TYPE
输入
地址输入，用于在RAM选择32768 ×8位字中的一个
/ CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，读取数据或写
/ CE
输入
到设备。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并在
备用电源模式。 DQ管脚将处于高阻态时，
设备被取消。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读取和写入操作。
/ WE
输入
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
/ OE
输入
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
4
修订版2.0
晶发保留更改产品或规格，恕不另行通知。
高速超低功率SRAM
32K字×8位
CS18LV02565
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5~5.5V
4.5~5.5V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
传导
VIN=0V
VI/O=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
5
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CS18LV02565
概述
该CS18LV02565是一款高性能，高速度，超低功耗CMOS静态随机
存取记忆体组织为32,768字由8位和操作的一个4.5到5.5V的电源电压。
先进的CMOS工艺和电路技术同时提供高速，超低功耗特性
以及在5.0V操作55 / 70ns的最大访问时间。轻松扩展内存由提供
低电平有效芯片使能（ / CE）和低电平有效输出使能（ / OE ） 。
该CS18LV02565具有自动断电功能，从而降低功率消耗
显著当芯片被取消。该CS18LV02565可在JEDEC标准的28引脚TSOP I
（ 8x13.4毫米） ， SOP （ 330万）和PDIP （ 600 mil）的包。
特点
宽工作电压： 4.5 5.5V
超低功耗： 2毫安@ 1MHz的（最大） ， VCC = 5.0V 。
1.0微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间： 55 / 70ns的。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容。
数据保持电源电压低至1.5V 。
易于扩展与/ CE和/ OE选项。
产品系列
产品系列
工作温度。
VCC范围
速度快（纳秒）
待机电流（典型值）。
I
CCSB1
1.0微安
（VCC = 5.0V ）
套餐类型
28 SOP
0~70
o
C
55/70
28 TSOP I
28 PDIP
骰子
28 SOP
CS18LV02565
4.5~5.5V
1.5微安
（VCC = 5.0V ）
-40~85
o
C
55/70
28 TSOP I
28 PDIP
骰子
2
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高速超低功率SRAM
32K字×8位
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功能
引脚说明
名字
A0 – A14
TYPE
输入
地址输入，用于在RAM选择32768 ×8位字中的一个
/ CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，读取数据或写
/ CE
输入
到设备。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并在
备用电源模式。 DQ管脚将处于高阻态时，
设备被取消。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读取和写入操作。
/ WE
输入
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
/ OE
输入
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
4
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高速超低功率SRAM
32K字×8位
CS18LV02565
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5~5.5V
4.5~5.5V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
传导
VIN=0V
VI/O=0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
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