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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1578页 > CY25402FSXIT
初步
CY25402
CY25422
两个PLL可编程时钟发生器
扩频
特点
两个完全集成的锁相环( PLL)的
输入频率范围:
- 外部晶振: 8 48 MHz的
- 外部参考: 8 166 MHz的时钟
宽工作输出频率范围
- 3至166 MHz的
可编程扩频调制频率
30 120 kHz的利盟轮廓范围
中心差: ± 0.125 %到± 2.5 %
向下传播: -0.25 %至-5 %
有选项来选择四种不同的频率选择特性
频率
低抖动,高精度输出
最多三个时钟输出
可编程输出驱动强度
无干扰的输出,而开关频率
四个独立的输出电压: 3.3V , 3.0V , 2.5V和
1.8V
8引脚SOIC封装
商用和工业温度范围
好处
多种高性能的PLL允许合成
频率无关
非易失编程定制PLL频率,
扩展频谱特性,驱动强度,晶体负载
电容,和输出频率
两个扩频PLL的能力与利盟简介
为最大限度减少电磁干扰
扩频PLL的可禁用或启用
锁相环可以被编程为系统频率裕
试验
符合复杂系统的关键时序要求
设计
适用于PC ,消费电子和网络应用
能够合成自如标准频率
标准和低功耗的应用程序兼容性
系统
框图
XIN
XOUT
OSC
产量
分频器
DRIVE
实力
控制
CLK1
CLK2
CLK3
FS0
FS1
SSON
MUX
控制
逻辑
PLL1
(SS)
PLL2
(SS)
PD # / OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-12565修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月2日
[+ ]反馈
初步
CY25402
CY25422
引脚配置
XIN
VDD
CLK1
CLK2/FS0
1
2
3
4
8 Ld的SOIC
8
7
6
5
XOUT
GND
CLK3/SSON
PD#/OE/FS1
引脚说明 - 内存的可编程2 -PLL器件2扩频锁相环
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
XIN
VDD
CLK1
CLK2/FS0
PD#/OE/FS1
CLK3/SSON
GND
XOUT
名字
输入
动力
产量
输出/输入
输入
输出/输入
动力
产量
I / O
晶振或时钟输入
电源
可编程时钟输出
可编程时钟输出或FS0
掉电,输出使能或FS1
可编程时钟输出或SSON
电源地
晶振输出
为中心的传播是从± 0.125 %到± 2.50 % 。的范围为
倒价差为-0.25 %至-5.0 % 。联系工厂
较小或较大的扩散比例的量,如果需要的话。
输入到CY25402和CY25422可以是一个晶体或
一个时钟信号。输入频率范围为晶体是8MHz
48 MHz和时钟信号是8 MHz到166 MHz的。
该CY25402和CY25422有多达三个时钟输出
与每个输出有三种可能的输入sources.There是
两个频率选择线FS( 1:0 ),提供一个选项,以
选择两个PLL之间四个不同的频率集。
每个输出具有可编程的输出分频器选项。产量
1有八种可能的分频值和输出2-3有四
可能的分频值最大的灵活性。 2位或3
位输出分频器进行编程,提供了广泛的输出
频率范围。
输出是无故障时,频率切换使用
输出分频器。输出具有一个可预测的相位
如果时钟源是一样的PLL和分频器的关系
值是2,3 ,4或6 。
该CY25402和CY25422是采用8引脚SOIC
包与商业和工业的操作温度
范围。
表1.电源电压选项
设备
CY25402
CY25422
V
DD
电源电压
2.5V , 3.0V或3.3V
1.8V
描述
概述
该CY25402和CY25422是两个可编程PLL
扩频时钟发生器用于降低EMI发现
在高速数字电子系统。 PLL都有
扩频能力。扩频功能是
打开或关闭使用控制销SSON 。
具有两个PLL的优点是,单个设备可以
产生多达两个独立的频率从一个单一的
晶体或参考输入频率。通常,一个设计
最多需要两个振荡器,以获得相同的结果与
单CY25402或CY25422 。
该器件采用赛普拉斯专有的PLL和传播
频谱时钟( SSC )技术,合成和调控
输入时钟的频率。通过频率调制
时钟,测得的电磁干扰的基波和谐波
频率被大大降低。这种减少在辐射
能量显著减少了与符合成本
监管机构(EMC)的要求和改善
时间进入市场,而不会降低系统的性能。
该CY25402和CY25422使用工厂/现场可编程
配置存储阵列,以提供定制的
输出频率,频率选择选项,传播字符
像传播率和调制频率开创性意义,
输出驱动强度和晶体负载电容。一
定制设备使用Cyberclocks配置
TM
软件或联系工厂。
传播百分比编程为中心扩散
或向下扩散与传播的各种比例。范围
文件编号: 001-12565修订版**
第2页8
[+ ]反馈
初步
CY25402
CY25422
绝对最大条件
参数
V
DD
V
IN
T
S
ESD
HBM
UL-94
MSL
描述
电源电压
输入电压
温度,贮藏
ESD保护(人体
人体模型)
可燃性等级
湿度敏感度等级
相对于V
SS
非功能性
条件
分钟。
–0.5
–0.5
–65
2000
V-0
马克斯。
4.5
+150
单位
V
°C
V
DD
+ 0.5伏
MIL -STD -883方法3015
@在1月8日。
SOIC封装
1
推荐工作条件
参数
V
DD1
V
DD2
V
DD3
V
DD4
T
AC
T
AI
C
负载
t
PU
工作电压, 3.3V
工作电压, 3.0V
工作电压, 2.5V
工作电压, 1.8V
商业环境温度
工业环境温度
马克斯。负载电容
上电时间为所有V
DD
引脚,以达到规定的最低电压(电源斜坡绝
是单调)
描述
分钟。
3.0
2.7
2.25
1.65
0
–40
0.05
典型值。
MAX 。 UNIT
3.6
3.3
2.75
1.95
+70
+85
15
500
V
V
V
V
°C
°C
pF
ms
DC电气规格
参数
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
ILX
V
IHX
描述
输出低电压,所有的CLK引脚
输出高电压,所有的CLK引脚
除XIN所有输入
除XIN所有输入
输入低电压,时钟输入到XIN引脚
输入高电压,时钟输入到XIN引脚
条件
所有V
DD
的水平,我
OL
= 8毫安
所有V
DD
的水平,我
OH
= -8毫安
所有V
DD
水平
所有V
DD
水平
所有V
DD
水平
所有V
DD
水平
分钟。
0
V
DD
– 0.4
–0.3
0.8 * V
DD
–0.3
1.44
典型值。
马克斯。
0.4
V
DD
0.2 * V
DD
V
DD
+ 0.3
0.36
2.0
10
1
1
10
12
7
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
mA
pF
I
ILPDOE
I
IHPDOE
I
ILSR
I
IHSR
I
DD[1]
C
IN
输入低电平电流, PD # / OE和FS0,1引脚V
IN
= V
SS
(内部上拉= 100K的典型值)
输入高电流, PD # / OE和FS0,1引脚V
IN
= V
DD
(内部上拉= 100K的典型值)
输入低电平电流, SSON引脚
输入高电流, SSON引脚
电源电流
输入电容 - 除了XIN所有输入
V
IN
= V
SS
(内部上拉下来= 100K的典型值)
V
IN
= V
DD
(内部上拉下来= 100K的典型值)
所有的时钟运行, CL = 0
SSON , OE , PD #或FS输入
1.配置依赖。
文件编号: 001-12565修订版**
第3页8
[+ ]反馈
初步
CY25402
CY25422
AC电气规格
参数
F
IN
(晶)
F
IN
(CLOCK )
F
OUT
DC
DC
描述
晶振频率
输入时钟频率( XIN )
输出时钟频率
条件
分钟。
8
8
3
45
典型值。马克斯。单位
50
48
166
166
55
兆赫
兆赫
兆赫
%
输出占空比不同的参考输出占空比所有时钟被定义
图2 ;
t
1
/t
2
,
Ⅴ的50%的
DD
参考输出占空比
参考文献在敏45 % ,最高55 %
40
0.8
0.8
-
-
60
3
%
V / ns的
V / ns的
ps
ns
ms
E
R
E
F
T
CCJ1
T
LTJ
T
10
CLK1-3上升沿率
CLK1-3下降沿率
周期到周期抖动
长期抖动
PLL锁定时间
V
DD
=所有, 20%至80 %的V
DD
V
DD
=所有, 20%至80 %的V
DD
配置依赖。看
表2
配置依赖。看
表2
表2.配置举例抖动
参考
27MHz
27MHz
48兆赫
48兆赫
描述
T
CCJ1
T
LTJ
T
CCJ1
T
LTJ
最大抖动( ps的)上
输出1 ( 48MHz的)
155
770
135
535
最大抖动( PS )上输出2
( 27兆赫)
255
580
225
575
最大抖动( ps的)上
输出3 ( 166兆赫)
170
630
100
520
推荐水晶规范SMD封装
参数
FMIN
FMAX
R1(max)
C0(max)
CL( MAX)的
DL (最大)
最小频率
最大频率
最大动态电阻(ESR)
最大旁路电容
最大并行负载电容
最大的晶体驱动电平
描述
范围1范围2范围3
8
14
135
4
18
300
14
28
50
4
14
300
28
48
30
2
12
300
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
pF
μW
推荐水晶规范通孔封装
参数
FMIN
FMAX
R1(max)
C0(max)
CL( MAX)的
DL (最大)
最小频率
最大频率
最大动态电阻(ESR)
最大旁路电容
最大并行负载电容
最大的晶体驱动电平
描述
范围1范围2范围3
8
14
90
7
18
1000
14
24
50
7
12
1000
24
32
30
7
12
1000
单位
兆赫
兆赫
Ω
pF
pF
μW
文件编号: 001-12565修订版**
第4页8
[+ ]反馈
初步
CY25402
CY25422
测试和测量设置
图1.测试和测量设置
V
DDS
0.1
μF
DUT
输出
C
负载
GND
电压和时序定义
图2.占空比的定义
t
1
t
2
V
DD
Ⅴ的50%的
DD
时钟
产量
0V
图3. ER = ( 0.6× V
DD
) /t
3
, EF = ( 0.6× V
DD
) /t
4
t
3
t
4
V
DD
80 %的V
DD
Ⅴ的20%的
DD
0V
时钟
产量
文件编号: 001-12565修订版**
第5页8
[+ ]反馈
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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