中央
符号
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
TM
CXTA44
表面贴装
NPN硅
高压
晶体管
民
40
50
45
20
20
7.0
130
兆赫
pF
pF
最大
200
单位
半导体公司
电气特性:
持续
测试条件
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 50毫安
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=100mA
IC = 10毫安, F = 10MHz时
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
SOT- 89案例 - 机械外形
底部视图
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最大最小
最大
符号最小值
A
0.055 0.067 1.40
1.70
B
4°
4°
C
0.014 0.018 0.35
0.46
D
0.173 0.185 4.40
4.70
E
0.064 0.074 1.62
1.87
F
0.146 0.177 3.70
4.50
G
0.090 0.106 2.29
2.70
H
0.028 0.051 0.70
1.30
J
0.014 0.019 0.36
0.48
K
0.017 0.023 0.44
0.58
L
0.059
1.50
M
0.118
3.00
SOT- 89 ( REV : R4 )
前导码:
1 )发射
2 )集电极
3 )基
标识代码:全型号
R4 ( 2004年20月)
中央
符号
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
TM
CXTA44
表面贴装
NPN硅
高压
晶体管
民
40
50
45
20
20
7.0
130
兆赫
pF
pF
最大
200
单位
半导体公司
电气特性:
测试条件
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 50毫安
持续
VCE = 10V , IC =百毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安, F = 10MHz时
VCB = 20V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
SOT- 89案例 - 机械外形
A
B
E
F
G
H
1
C
J
L
M
2
K
R3
3
前导码:
1)
辐射源
2 )集电极
3 )基
R2 ( 2001年17月)