CXK5V16100TM
-85LLX/10LLX
65536-word
×
16位高速CMOS静态RAM
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描述
CXK5V16100TM是一种通用的高速
CMOS静态RAM组织为65536字经
16位。运行在一个单一的3.3V电源这一点，
异步集成电路是适合于高速和低
功耗应用中，备用电池
需要弥补非易失性。
特点
扩展工作温度范围： -25 + 85°C
快速存取时间：
-85LLX
-10LLX
（访问时间）
85ns （最大）
为100ns （最大值）。
功能
65536-word
×
16位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
44引脚TSOP （ PIastic ）
低功耗操作：
待机/ DC操作
1.7μW （典型值） / 3.3mW （典型值）。
3.3V单电源供电： 3.3V ± 0.3V
完全静态存储器：无时钟或定时选通
需要
平等机会和循环时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
低电压数据保留： 2.0V （最小值）
400mil 44针TSOP （II型）包
框图
A1
A0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A15
A14
GND
VCC
内存
矩阵
512
×
1024
ROW
解码器
内存
矩阵
512
×
1024
VCC
卜FF器
GND
CE
UB
LB
OE
WE
控制
I / O门
COLUMN
解码器
PRE
解码器
I / O门
COLUMN
解码器
A13
A12
A11
A10
A9
A8
I / O缓冲器
I / O缓冲器
卜FF器
I/O1
I/O8
I / O9 I / O16
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93869A57-PP
CXK5V16100TM
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
（大= -25 + 85°C ， GND = 0V ）
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
DC和工作特性
项
输入漏
当前
输出漏
当前
操作
电源
当前
符号
I
LI
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
或UB = V
IH
或LB = V
IH
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE = V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE
≤
0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
V
CC
– 0.2V
-25至+ 85°C
I
SB1
CE
≥
V
CC
– 0.2V
-25至+ 70°C
-25至+ 40°C
+25°C
I
SB2
产量
高压
产量
低电压
V
OH
V
OL
CE = V
IH
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
85LLX
10LLX
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， GND = 0V ，TA = -25至+ 85°C ）
分钟。
–1
典型值。
—
马克斯。
1
单位
A
I
LO
–1
—
1
A
I
CC1
—
—
—
1
40
35
3
55
50
mA
I
CC2
平均
工作电流
I
CC3
mA
—
10
20
mA
—
—
—
—
—
2.4
—
—
—
—
0.5
0.03
—
—
40
20
4
2
0.6
—
0.4
mA
V
V
A
待机电流
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
–3–
CXK5V16100TM
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号测试条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，TA = -25至+ 85°C ）
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
产量
负载条件
85ns
100ns
条件
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.6V
TTL
t
R =为5ns
t
F =为5ns
1.4V
C
L
= 30pF的， 1TTL
C
L
= 100pF的， 1TTL
C
L
C
L
包括范围和夹具电容。
–4–
CXK5V16100TM
读周期
（WE =“ H”），
-85LLX
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间（ CE ）
字节使能存取时间（ UB ， LB ）
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出中能以低Z输出（ OE）的
字节使能在低Z输出（ UB ， LB ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
芯片禁用高Z输出（ OE ）
字节禁用输出高Z（ UB ， LB ）
符号
分钟。
85
—
—
—
—
10
10
5
5
—
—
—
马克斯。
—
85
85
40
40
—
—
—
—
35
30
30
-10LLX
分钟。
100
—
—
—
—
10
10
5
5
—
—
—
马克斯。
—
100
100
50
50
—
—
—
—
40
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO
t
BO
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
BLZ
t
HZ
t
OHZ
t
BHZ
t
HZ
,
t
OHZ
和
t
BHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
-85LLX
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节使能，以结束写的
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ， UB ， LB ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
分钟。
85
70
70
70
35
0
60
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
-10LLX
分钟。
100
80
80
80
40
0
70
0
5
5
5
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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