CXK5T8257BTM/BYM/BM
-10LLX/12LLX
32768-word
×
8位高速CMOS静态RAM
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该CXK5T8257BTM / BYM / BM是262,144位高
高速CMOS静态RAM组织为32768字
由8位。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK5T8257BTM / BYM / BM是一个合适的RAM
用于便携式设备，备用电池。
特点
扩展工作温度范围： -25 + 85°C
宽电源电压范围内操作： 2.7 3.6V
快速存取时间：
3.0V操作
3.3V操作
-10LLX
-12LLX
-10LLX
（访问时间）
为100ns （最大值）。
为120ns （最大值）。
85ns （最大）
CXK5T8257BM
28引脚SOP （塑胶）
CXK5T8257BTM
28引脚TSOP （塑胶）
CXK5T8257BYM
28引脚TSOP （塑胶）
-12LLX
为100ns （最大值）。
低待机电流： 7.0μA （最大值）。
低功耗数据保持： 2.0V （最小值）
可在许多包
CXK5T8257BTM/BYM
8mm
×
13.4毫米28引脚TSOP封装
CXK5T8257BM
450mil 28引脚SOP封装
功能
32768-word
×
8位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
框图
A14
A13
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
512
×
512
V
CC
GND
A10
A4
A3
A2
A1
A0
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
OE
卜FF器
WE
I / O缓冲器
CE
I/O1
I/O8
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE96509-ST
CXK5T8257BTM/BYM/BM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A14 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CE
A10
I / O1 11
I / O2 12
I / O 3 13
GND 14
28 V
CC
27我们
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE
21 A10
20 CE
19 I / O8
18 I / O7
17 I / O6
16个I / O5
15 I / O4
引脚说明
符号
A0到A14
I / O1到I / O8
CE
WE
OE
V
CC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
CXK5T8257BTM
（标准引脚）
CXK5T8257BYM
（标准引脚）
CXK5T8257BM
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度·时间
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
-0.5到+4.6
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
0.7
-25至+85
-55到+150
235 · 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
℃， s的
1
V
IN
, V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE
H
L
L
L
OE
×
H
L
×
WE
×
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O1到I / O8
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
CC
当前
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
×:
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;或\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
–2–
CXK5T8257BTM/BYM/BM
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
CC
= 2.7 3.6V
分钟。
2.7
2.4
–0.3
1
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.4
分钟。
3.0
2.2
–0.3
1
（大= -25 + 85°C ， GND = 0V ）
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.6
V
单位
1
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
直流特性
项
符号
(V
CC
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，TA = -25至+ 85°C ）
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE = V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100％ ，余
OUT
= 0毫安
CE
≥
V
CC
– 0.2V
CE = V
IH
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2.0毫安
10LLX
12LLX
-25至+ 85°C
-25至+ 70°C
+25°C
I
SB2
输出高
电压
输出低
电压
V
OH
V
OL
分钟。
–0.5
–0.5
典型值。
2
—
—
马克斯。
0.5
0.5
A
单位
输入漏电流I
LI
输出漏
当前
I
LO
工作电源
电源电流
I
CC1
—
—
—
—
—
—
—
2.4
—
0.9
18
3
18
—
—
0.12
0.06
—
—
2
mA
35
4
35
7.0
3.5
—
0.7
—
V
0.4
mA
A
平均开工
I
CC2
当前
I
SB1
待机电流
2
V
CC
= 3.3V ， TA = 25℃
3
I
CC2
= 21毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
4
I
CC3
= 40毫安的3.3V工作电压（V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
–3–
CXK5T8257BTM/BYM/BM
读周期
（WE =“ H”），
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
马克斯。
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。
马克斯。
-12LLX
分钟。
马克斯。
-12LLX
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
地址访问时间
t
CO
芯片使能存取时间（ CE ）
t
OE
芯片使能到输出有效
t
OH
从地址变更持有芯片
t
LZ
芯片使能在低Z输出（ CE ）
t
OLZ
输出使能在低Z输出（ OE ）
t
HZ
1
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
t
OHZ
1
读周期时间
100
—
—
—
20
10
10
—
—
—
100
100
50
—
—
—
35
35
120
—
—
—
20
10
10
—
—
—
120
120
60
—
—
—
40
35
85
—
—
—
20
10
10
—
—
—
85
85
50
—
—
—
35
35
100
—
—
—
20
10
10
—
—
—
100
100
50
—
—
—
35
35
ns
1
t
HZ
和
t
OHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，也没有被提及
为输出电压电平。
写周期
V
CC
= 2.7 3.6V
项
符号
-10LLX
分钟。
马克斯。
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
-10LLX
分钟。
马克斯。
-12LLX
分钟。
马克斯。
-12LLX
分钟。
马克斯。
单位
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
2
100
80
80
35
0
60
0
0
0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
120
100
100
50
0
70
0
0
0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
85
80
80
35
0
60
0
0
0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
100
80
80
35
0
60
0
0
0
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
ns
2
t
WHZ
被定义为科目为输出转向高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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