CXK5B41020TM
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262144-word
×
4位高速双CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
CXK5B41020TM是高速1M位的Bi -CMOS
静态RAM 4位组织为262144字。
运行在一个单一的3.3V电源这种异步
集成电路是适合于高速且低功耗的
应用程序。
特点
3.3V单电源供电： 3.3V ± 0.3V
快速访问时间
低待机电流：
低功耗工作
封装阵容
双重的Vcc / VSS
CXK5B41020TM 400mil 32引脚TSOP封装
为12ns （最大）
10mA（最）
792mW （最大）
功能
262144字
×
4位的静态RAM
结构
硅栅双CMOS IC
32引脚TSOP （ PIastic ）
框图
A16
A17
A10
A9
A14
A15
A12
A11
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
256
×
4096
引脚配置
（ TOP VIEW ）
NC
VCC
A3
A2
A1
A0
GND
CE
I/O1
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
32
A4
31
A5
30
A6
29
A7
28
A8
27
OE
26
I/O4
25
GND
24
VCC
23
I/O3
22
A9
21
A10
20
A11
19
A12
18
A13
17
NC
引脚说明
符号
A0到A17
I / O1到I / O4
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+ 3.3V电源
地
无连接
GND
9
A6
A13
A5
A4
A3
A0
A2
A1
A7
A8
I / O门
COLUMN
解码器
I/O2
10
WE
11
A17
12
A16
13
A15
14
A14
15
NC
16
卜FF器
WE
OE
CE
I / O缓冲器
I / O1 I / O4
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93726-ST
CXK5B41020TM
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功率dissipaiton
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
–0.5
1
到4.6
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
–0.5
1
到V
CC
+ 0.5
1.5
2
0至+70
-55到+150
235 10
单位
V
V
V
W
°C
°C
° C秒
焊接温度时间Tsolder
1 VCC ，V
IN
, V
I / O
= -2.0V最小。脉冲宽度小于5ns的。
2气流
≥
1m/s.
真值表
CE
H
L
L
L
OE
×
L
×
H
WE
×
H
L
H
模式
未选择
读
写
输出禁用
I / O1到I / O4
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
当前
I
SB1
, I
SB2
I
CC
I
CC
I
CC
×:
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;或\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
IL
= -2.0V最小。脉冲宽度小于5ns的。
–2–
CXK5B41020TM
电气特性
DC特性
项
输入漏电流
符号
I
LI
（VCC = 3.3V ± 0.3V ， GND = 0V ，TA = 0 + 70 ° C）
条件
V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
or
OE = V
IH
or
WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
周期：最小。
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE = V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
周期：最小。
占空比= 100 ％
CE = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
分钟。
–10
典型值。
—
最大
+10
单位
A
输出漏电流
I
LO
–10
—
+10
A
平均工作电流
I
CC
—
—
220
mA
I
SB1
待机电流
I
SB2
—
—
10
mA
—
2.4
—
—
—
—
100
—
0.4
mA
V
V
输出高电压
输出低电压
VCC = 3.3V ， TA = 25℃
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
V
OH
V
OL
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
典型值。
—
—
最大
5
7
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
（VCC = 3.3V ± 0.3V ，TA = 0 + 75 ° C）
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
输出负载条件
条件
V
IH
= 3.0V
V
IL
= 0.0V
I / O
输出负载（ 1 ）
Zo=50
I / O
输出负载（ 2 ） *
1
3.3V
1179
t
R = 2ns的
t
F = 2ns的
1.4V
图。 1
R
L
=50
V
L
=1.4V
5pF
2
868
1.
t
LZ
, t
OLZ
, t
HZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
2.
包括范围和夹具电容
图。 1
–3–
CXK5B41020TM
读周期
项
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
输出数据保持时间
芯片使能在低Z输出（ CE ）
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE ）
输出禁止在高Z输出（ OE ）
符号
-12
分钟。
12
—
—
—
3
3
0
0
0
马克斯。
—
12
12
6
—
—
—
6
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
OH
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
转变是从与图规定的装货稳定的电压测量± 200mV的。 1 1-（ 2）。
这个参数进行采样，而不是100％测试。
写周期
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据有效到写结束
从写结束数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出借给写的活跃
写在高Z输出
符号
-12
分钟。
12
10
10
8
0
10
0
0
4
0
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
OW
t
WHZ
转变是从与图规定的装货稳定的电压测量± 200mV的。 1 1-（ 2）。
这个参数进行采样，而不是100％测试。
–4–
QQ：2881677436 复制
