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1N935BUR - 1 , 1N937BUR - 1和1N938BUR - 1适用车型
JAN , JANTX , JANTXV和JANS
每MIL -PRF- 156分之19500
温度补偿齐纳二极管基准二极管
无铅封装用于表面安装
9.0伏的齐纳电压
冶金结合,双封堵施工
1N935BUR - 1直通1N938BUR - 1
CDLL935通CDLL938B
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
DC功耗: 500毫瓦@ + 50°C
功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 10
A @ 25℃ & V
R
= 6伏
电气特性
@ 25 ° C,除非另有规定ED 。
暗淡
D
F
G
G1
S
CDI
TYPE
齐纳
电压
VZ @ I ZT
齐纳
TEST
当前
我ZT
最大
电压
温度
有效
齐纳
温度
范围
温度
阻抗
稳定性
系数
ZZT
V ZT
最大
(注1 )
(注2 )
mV
67
139
184
34
70
92
13
28
37
6.7
13.9
19
°C
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
MILLIMETERS
英寸
最小值最大值最小值最大值
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF 。
.100 REF 。
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
CDLL935
CDLL935A
CDLL935B
CDLL936
CDLL936A
CDLL936B
CDLL937
CDLL937A
CDLL937B
CDLL938
CDLL938A
CDLL938B
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
图1
设计数据
案例:
DO- 213AA ,完全密封
玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 )
铅表面处理:
锡/铅
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
安装面选择:
扩展的轴向系数
( COE )这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
齐纳阻抗叠加上lZTA 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10%。
观察到的在整个温度范围内,即允许的最大变化,
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制,根据JEDEC标准5号。
注2
6湖街,劳伦斯,马萨诸塞州01841
电话( 978 ) 620-2600
传真( 978 ) 689-0803
网址: http://www.microsemi.com
99
钯,额定功率
耗散( mW)的
CDLL935
THRU
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TL ,环境温度( ° C)
CDLL938B
图2
功率降额曲线
100
50
40
30
20
齐纳阻抗Z
(欧姆)
ZT
10
5
4
3
2
1
5
6
7
8
9
工作电流LZT (毫安)
10
科幻gure 3
齐纳阻抗VS.工作电流
+.0015
温度变化系数( % / ° C)
+.0010
+.0005
0
-.0005
-.0010
-.0015
5
6
7
8
工作电流LZT (毫安)
9
10
图4
温度系数典型改变
并且更改工作电流
100
1N935BUR - 1 , 1N937BUR - 1和1N938BUR - 1适用车型
JAN , JANTX , JANTXV和JANS
每MIL -PRF- 156分之19500
温度补偿齐纳二极管基准二极管
无铅封装用于表面安装
9.0伏的齐纳电压
冶金结合,双封堵施工
1N935BUR - 1直通1N938BUR - 1
CDLL935通CDLL938B
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
DC功耗: 500毫瓦@ + 50°C
功率降额: 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 10
A @ 25℃ & V
R
= 6伏
电气特性
@ 25 ° C,除非另有规定ED 。
CDI
TYPE
齐纳
电压
VZ @ I ZT
齐纳
TEST
当前
我ZT
最大
电压
温度
齐纳
温度
范围
阻抗
稳定性
ZZT
V
ZT
最大
(注1 )
(注2 )
mV
67
139
184
34
70
92
13
28
37
6.7
13.9
19
°C
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
0至+ 75
-55到+100
-55到+150
有效
温度
系数
MILLIMETERS
英寸
DIM最小值最大值最小值最大值
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF 。
.100 REF 。
S
0.03 MIN 。
0.001 MIN 。
CDLL935
CDLL935A
CDLL935B
CDLL936
CDLL936A
CDLL936B
CDLL937
CDLL937A
CDLL937B
CDLL938
CDLL938A
CDLL938B
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
8.55 - 9.45
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
图1
设计数据
案例:
DO- 213AA ,完全密封
玻璃柜。 ( MELF , SOD- 80 , LL34 )
铅表面处理:
锡/铅
极性:
二极管与操作
带状(阴极)端阳性。
安装位置:
任。
安装面选择:
扩展的轴向系数
( COE )这个装置大约是
+ 6PPM / ℃。在安装的COE
地面系统应选择
提供一个合适的符合这种
装置。
注1
齐纳阻抗叠加上lZTA 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10%。
观察到的在整个温度范围内,即允许的最大变化,
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制,根据JEDEC标准5号。
注2
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com
耗散( mW)的
钯,额定功率
CDLL935
THRU
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TL ,环境温度( ° C)
CDLL938B
图2
功率降额曲线
100
50
40
30
20
齐纳阻抗Z
(欧姆)
ZT
10
5
4
3
2
1
5
6
7
8
9
工作电流LZT (毫安)
10
科幻gure 3
齐纳阻抗VS.工作电流
+.0015
温度变化系数( % / ° C)
+.0010
+.0005
0
-.0005
-.0010
-.0015
5
6
7
8
工作电流升
(MA )
ZT
9
10
图4
温度系数典型改变
并且更改工作电流
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Microchip Technology
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24902
DO-213AA
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