CXK582000TM/YM/M
-85LL/10LL
262144-word
×
8位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK582000TM / YM / M是一款高速CMOS
静态RAM由8位， 262144字。
A
多晶硅
TFT
CELL
技术
实现
非常低的待机电流和更高的数据
保持稳定性。
特殊特征是低功耗和
高速电路板封装阵容。
该CXK582000TM / YM / M是一个合适的RAM，用于
便携设备与备用电池。
特点
快速访问时间
-85LL
-10LL
（访问时间）
85ns （最大）
为100ns （最大值）。
CXK582000M
32引脚SOP （ PIastic ）
CXK582000TM
32引脚TSOP （ PIastic ）
CXK582000YM
32引脚TSOP （ PIastic ）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
低待机电流
40μA （最大值）。
低数据保持电流
24μA （最大值）。
+ 5V单电源： 4.5V至5.5V 。
低电压保日期： 2.0V （最小值）
广阔的封装阵容
CXK582000TM/YM
8mm
×
20毫米32针
TSOP封装
CXK582000M
525mil 32引脚
SOP封装
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A17
A16
A14
A12
A7
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
2048
×
1024
V
CC
GND
功能
262144字×8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
WE
CE1
CE2
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
卜FF器
I / O缓冲器
I / O1 I / O8
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E94234-ST
CXK582000TM/YM/M
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.2
–0.3
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
5.0
—
—
马克斯。
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
直流特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，TA = 0 + 70 ° C）
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE1
≤
0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
VCC - 0.2V
0至+ 70°C
CE2
≤
0.2V
CE1
≥
VCC - 0.2V 0 + 40°C
or
CE2
≥
VCC - 0.2V
+25°C
-85LLX
-10LLX
分钟。
–1
–1
（典型值） *
—
—
马克斯。
+1
+1
单位
A
A
工作电源
当前
I
CC1
—
—
—
7
45
40
15
80
70
mA
I
CC2
mA
平均工作电流
I
CC3
—
12
24
mA
—
—
—
—
2.4
—
—
—
1.4
0.6
—
—
40
8
4
3
—
0.4
mA
V
V
A
待机电流
I
SB1
{
I
SB2
输出高电压
输出低电压
V
CC
= 5V ， TA = 25℃
V
OH
V
OL
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 1.0毫安
–3–
CXK582000TM/YM/M
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号测试conditons
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 0 + 70 ° C）
条件
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.8V
TTL
t
R =为5ns
t
F =为5ns
1.5V
C
L
= 100pF的， 1TTL
C
L
输入和输出参考电平
输出负载条件
C
L
包括范围和夹具电容。
–4–
CXK582000TM/YM/M
读周期
（WE =“ H”），
项
读周期时间
符号
-85LL
分钟。
马克斯。
—
85
85
85
45
—
—
—
25
25
（大= 0至+ 70 ° C）
-10LL
分钟。
100
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
RC
t
AA
地址访问时间
t
CO1
芯片使能存取时间（ CE1 ）
t
CO2
芯片使能存取时间（ CE2 ）
t
OE
输出使能到输出有效
t
OH
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
LZ1
,
t
LZ2
t
OLZ
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
HZ1
,
t
HZ2
t
OHZ
输出禁止在高Z输出（ OE ）
85
—
—
—
—
15
10
5
—
—
t
HZ1
, t
HZ2
和T
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
简称为输出电压电平。
写周期
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE1 ， CE2 ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
-85LL
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
（大= 0至+ 70 ° C）
-10LL
分钟。
100
70
70
45
0
70
0
5
5
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
85
65
65
35
0
60
0
5
5
10
—
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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