【过程TRIACCPQ15016安培， 600伏三端双向可控硅芯片流程细节过程模具尺寸模具厚度MT1绑】,IC型号CPQ150,CPQ150 PDF资料,CPQ150经销商,ic,电子元器件-51电子网

过程

TRIAC

CPQ150

16安培， 600伏三端双向可控硅芯片

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

MT1绑定焊盘面积

门接合焊盘面积

顶面金属化

背面金属化

玻璃钝化MESA

MILS 150 ×150 MILS

MILS 8.6 ±0.6 MILS

68.9 MILS X 118 MILS

39.4 MILS X 39.4 MILS

艾尔 - 45,000

铝/钼/镍/银 - 32,000

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

466

主体装置类型

CQ220-16B系列

CQDD -16M系列

BACKSIDE MT2

145亚当斯大街

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R1 （ 2005年19 -5月）

过程

CPQ150

典型电气特性

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R1 （ 2005年19 -5月）

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