CXK581000ATM/AYM/AM/AP
描述
该CXK581000ATM / AYM / AM / AP是高速
CMOS静态RAM组织为131072字经
8位。
多晶硅TFT电池技术实现了极低
由电流和更高的数据保持稳定站立─ 。
特殊特征是低功耗，高
速度和广泛的封装阵容。
该CXK581000ATM / AYM / AM / AP IA上合适
RAM的便携式设备与备用电池。
特点
快速存取时间：
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/55SL
（访问时间）
55ns （最大）
CXK581000AM
32引脚SOP （塑胶）
CXK581000ATM
32引脚TSOP （塑胶）
-55LL/70LL/10LL
-55SL/70SL/10SL
131072-word
×
8位高速CMOS静态RAM
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
CXK581000AYM
32引脚TSOP （塑胶）
CXK581000AP
32引脚DIP （塑料）
-70LL/70SL
70ns的（最大）
-10LL/10SL
为100ns （最大值）。
低待机电流：
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/70LL/10LL
20μA （最大值）。
-55SL/70SL/10SL
12μA （最大值）。
低数据保持电流
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
-55LL/70LL/10LL
12μA （最大值）。
-55SL/70SL/10SL
4μA （最大）
+ 5V单电源： + 5V ± 10 ％
低电压数据保留： 2.0V （最小值）
广阔的封装阵容
CXK581000ATM/AYM
8mm
×
20毫米32引脚TSOP封装
CXK581000AM
525mil 32引脚SOP封装
CXK581000AP
600mil 32引脚DIP封装
框图
A10
A11
A9
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
V
CC
卜FF器
ROW
解码器
内存
矩阵
1024
×
1024
GND
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
卜FF器
I / O门
COLUMN
解码器
OE
功能
131072-word
×
8位的静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
卜FF器
WE
I / O缓冲器
CE1
CE2
I / O 1
I / O 8
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E92756D53-PP
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
引脚配置（顶视图）
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
引脚说明
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
符号
A0到A16
CE1 ， CE2
WE
OE
VCC
GND
NC
描述
地址输入
芯片使能1 ， 2输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
I / O1到I / O8数据输入输出
CXK581000ATM
（标准引脚）
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
NC
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
CXK581000AYM
（镜像引脚）
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CE1
A10
OE
GND
CXK581000AM
CXK581000AP
绝对最大额定值
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
CXK581000AP
CXK581000ATM/AYM/AM
（ TA = 25℃ ， GND = 0V ）
等级
-0.5到+7.0
–0.5
到V
CC
+0.5
–0.5
到V
CC
+0.5
CXK581000AP
CXK581000ATM/AYM/AM
1.0
0.7
0至+70
-55到+150
260 10
235 10
W
°C
℃， s的
单位
V
V
IN
,V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE1
H
×
L
L
L
CE2
×
L
H
H
H
OE
×
×
H
L
×
WE
×
×
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I / O引脚
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
CC
当前
I
SB1
, I
SB2
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
×:
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;或\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
DC推荐工作条件
项
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.2
–0.3
（大= 0至+ 70 ° C， GND = 0V ）
典型值。
5.0
—
—
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
–2–
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
电气特性
直流特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电源电流
符号
I
LI
I
LO
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
I / O
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 ％
I
OUT
= 0毫安
CE1
≤
0.2V
CE2
≥
V
CC
– 0.2V
V
IL
≤
0.2V
V
IH
≥
V
CC
– 0.2V
0至+ 70°C
CE2
≤
0.2V
待机电流
I
SB1
or
LL
2
0至+ 40℃的
+25°C
0至+ 70°C
SL
3
0至+ 40℃的
+25°C
I
SB2
输出高
电压
输出低
电压
V
OH
V
OL
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= 2.1毫安
55LL/55SL
70LL/70SL
10LL/10SL
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，TA = 0 = + 70 ° C）
分钟。
–1
–1
典型值。
1
—
—
马克斯。
1
1
A
单位
I
CC1
—
—
—
—
7
45
40
35
15
90
70
60
mA
I
CC2
平均开工
当前
I
CC3
—
10
20
—
—
—
—
—
—
—
2.4
—
—
—
0.7
—
—
0.3
0.6
—
—
20
4
2
12
2.4
1
3
—
V
0.4
mA
A
{
CE2
≥
V
CE1
≥
V
CC
– 0.2V
CC
– 0.2V
1 V
CC
= 5V ， TA = 25℃
2对于-55LL / 70LL / 10LL
3对于-55SL / 70SL / 10SL
–3–
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
I / O容量
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
—
—
（ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
典型值。
—
—
马克斯。
7
8
单位
pF
注）
这个参数进行采样，而不是100％测试。
AC特性
AC测试条件
项
输入脉冲高电平
输入脉冲低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入和输出参考电平
-55LL/55SL
输出负载条件
-70LL/70SL
-10LL/10SL
C
L
包括范围和夹具电容。
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 0 + 70 ° C）
条件
V
IH
= 2.2V
V
IL
= 0.8V
TTL
测试电路
t
R =为5ns
t
F =为5ns
1.5V
C
L
= 30pF的， 1TTL
C
L
= 100pF的， 1TTL
C
L
–4–
CXK581000ATM/AYM/AM/AP
读周期
（WE = ＆ QUOT ; H ＆ QUOT ; ）
-55LL/55SL
项
读周期时间
符号
分钟。
55
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
55
55
55
30
—
—
—
25
25
-70LL/70SL
分钟。
70
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
70
70
70
40
—
—
—
25
25
-10LL/10SL
分钟。
100
—
—
—
—
15
10
5
—
—
马克斯。
—
100
100
100
50
—
—
—
35
35
ns
单位
t
RC
t
AA
地址访问时间
t
CO1
芯片使能存取时间（ CE1 ）
t
CO2
芯片使能存取时间（ CE2 ）
t
OE
输出使能到输出有效
t
OH
从地址变更输出保持
t
LZ1
,
t
LZ2
芯片使能在低Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
OLZ
输出使能在低Z输出（ OE ）
芯片禁用高Z输出（ CE1 ， CE2 ）
t
HZ1
,
t
HZ2
t
OHZ
输出禁止在高Z输出（ OE ）
简称为输出电压电平。
t
HZ1
,
t
HZ2
和
t
OHZ
被定义为所需的输出时间转向高阻抗状态，并且不
写周期
-55LL/55SL
项
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间（ WE）
写恢复时间（ CE1 ， CE2 ）
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
分钟。
55
50
50
25
0
40
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
-70LL/70SL
分钟。
70
60
60
30
0
50
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
-10LL/10SL
分钟。
100
70
70
40
0
70
0
0
0
10
—
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
ns
单位
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
WR
t
WR1
t
OW
t
WHZ
t
WHZ
被定义为所需的输出转向到高阻抗状态的时间，并且不被称为
输出电压电平。
–5–
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