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CXG1013N
1.7 2.0 GHz的低噪声放大器/下变频混频器
描述
该CXG1013N是一个低噪声放大器/下
变频混频器的MMIC ,使用索尼的设计
砷化镓J-FET的过程。
特点
低噪音
NF = 1.8分贝(典型值)。
在1.9 GHz的
(低噪声放大器)
低失真
输入IP3 = -0.5 dBm的(典型值)。
(混频器)
低LO输入功率运行
单3.0V电源工作
16引脚SSOP封装
应用
日本数字无绳电话( PHS)
DECT
PCN
在1.9 GHz的
-12 dBm的
绝对最大额定值
( TA = 25 ° C)
电源电压
V
DD
6
工作温度
储存温度
功耗
消耗电流
I
DD
(低噪声放大器)
I
DD
( LO放大器)
I
DD
(混频器, IF放大器)
输入功率
工作条件
就给电压
20
10
20
+5
mA
mA
mA
DBM
TOPR
TSTG
P
D
-35至+85
SSOP - 16P - L01 (塑料)
V
°C
-65至+150°C
150
mW
P
IN
结构
砷化镓J-FET MMIC
3.0
V
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
—1—
E96623-TE
CXG1013N
电气特性
V
DD
= 3.0 V,F
RF
= 1.9 GHz的,女
LO
= 1.66千兆赫,P
LO
= -12 dBm时,当50 kΩ的I / O匹配;除非另有说明
( TA = 25 ° C)
消耗电流
功率增益
噪音低噪声系数
扩音器
输入IP3
隔离
消耗电流
混频器
转换增益
噪声系数
输入IP3
LO至RF泄漏等级
消耗电流
符号
I
DD
G
P
NF
IIP3
I
SO
I
DD
G
C
NF
IIP3
P
LK
I
DD
分钟。
12.5
–8
25
7
–3
典型值。
2.5
14.5
1.8
–5
30
5.5
9
7.2
–0.5
–19
8.0
马克斯。
3.5
16.5
2.6
8.0
11
9.2
–14
10.0
单位
mA
dB
dB
DBM
dB
mA
dB
dB
DBM
DBM
mA
当无信号
当无信号
测量条件
当无信号
框图
LNA
LNA的RF
IN
LO
IN
LO放大器
IF放大器
IF
OUT
MIX RF
IN
LNA的RF
OUT
引脚配置
1
LNA的RF
IN
NC
GND
GND
LO
IN
V
DD
( LO AMP )
16PIN SSOP (塑料)
16
LNA的RF
OUT
/V
DD
(LNA)
NC
NC
GND
GND
MIX RF
IN
IF OUT / V
DD
( MIX , IF AMP)
—2—
CXG1013N
推荐线路
L1
LNA的RF
IN
L2
C1
L3
C2
LNA的RF
OUT
R1
L4
V
DD
(LNA)
C13
C12
C11
1
2
3
4
5
L7
C3
16
15
14
C5
C6
13
12
L5
LO
IN
L8
C14
6
7
8
L9
11
C15
10
R2
L6
MIX RF
IN
9
IF
OUT
C4
C7
L10
C9
C10
V
DD
( MIX , IF AMP)
V
DD
( LO AMP )
C8
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
8.2 nH的
10 nH的
2.2 nH的
2.2 nH的
8.2 nH的
22 nH的
6.8 nH的
3.3 nH的
10 nH的
L10
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
68 nH的
100 pF的
100 pF的
100 pF的
7 pF的
1000 pF的
10 nF的
1000 pF的
10 nF的
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
R1
R2
1000 pF的
10 nF的
100 pF的
1000 pF的
10 nF的
1000 pF的
0.1 F
1 k
620
—3—
CXG1013N
推荐评估板
50mm
LNA的RF
IN
L1
C13
C12
C11
L8 L7C3
L9
C6 L4
C5
L2
C1
C2
LNA的RF
OUT
L3
R1
L5
L6
MIX RF
IN
C9
C7C10 C4
C8
L10
LO
IN
IF
OUT
GND
V
DD
(LNA)
V
DD
( LO AMP )
V
DD
( MIX , IF AMP)
R2
C15 C14
GND
V
DD
( MIX , IF AMP)
V
DD
( LO AMP )
V
DD
(LNA)
玻璃纤维基环氧树脂的4层电路板( 2
×
厚度为0.3mm )
GND为第2和第3层。
—4—
CXG1013N
代表特征的例子
( TA = 25 ° C)
LNA块P
OUT
,IM3
10
VS
.
P
IN
10
MIX块P
OUT
,IM3
VS
.
P
IN
P
OUT
- 射频输出功率(dBm )
P
OUT
-IF输出功率(dBm )
P
OUT
-10
P
OUT
-10
-30
IM3
-50
V
DD
=3.0V
f
RF1
=1.9GHz
f
RF2
=1.9006GHz
-30
IM3
-50
V
DD
=3.0V
f
RF1
=1.9GHz
f
RF2
=1.9006GHz
f
LO
=1.66GHz
P
LO
=-12dBm
-70
-70
-90
-40
-30
-20
-10
0
-90
-35
-25
-15
-5
5
P
IN
-RF输入功率(dBm)
P
IN
-RF输入功率(dBm)
MIX G座
C
, NF
10
VS
.
P
LO
15
4
MIX块IIP3 ,P
LK
VS
.
P
LO
-5
-10
G
C-
转换增益(dB )
NF噪声系数(dB )
IIP3 ,输入IP3 ( dBm的)
Gc
8
6
4
2
0
-25
13
11
9
7
5
2
IIP3
V
DD
=3.0V
f
RF
=1.9GHz
f
LO
=1.66GHz
0
-2
P
LK
-15
-20
V
DD
=3.0V
f
RF
=1.9GHz
f
LO
=1.66GHz
NF
-4
-6
-25
-25
-30
-20
-15
-10
-5
0
5
-20
-15
-10
-5
0
5
P
LO
-lo输入功率(dBm)
P
LO
-lo输入功率(dBm)
—5—
P
LK
-lo至RF泄漏等级
( dBm的)
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    -
    -
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联系人:刘先生
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