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CXA2598M
PDIC的CD -R / RW
描述
该CXA2598M是PDIC （光检测器IC ）
开发作为一个光检测器的光拾取
对CD -R / RW 。光电二极管和I -V放大器工作
在高速（ 100MHz的） 。当强光
写操作期间发射，延迟或振铃不
的发生是因为限幅器电路被包含在
的I- V放大器。
聚焦伺服：
散光的方法
PD- S-12 （塑料）
跟踪伺服：差动推挽法
特点
IV放大器（电流 - 电压转换电路）
除了A至D的信号的RF输出
宽带（ 100MHz的典型值）
输出限幅电路
小透明模压封装（ SOP ）
应用
光头的CD -R / RW
结构
双极硅单片IC
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
电源电压
V
CC
工作温度
TOPR
储存温度
TSTG
允许功耗P
D
工作条件
电源电压
5.5
V
°C
°C
mW
-10至+70
-40至+85
300
V
CC
4.5 5.5
V
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E00342-PS
CXA2598M
电气和光学特性
项
消耗电流
输出失调电压（ A至D ）
输出失调电压（ E至H ）
输出偏移电压（RF）的
符号
I
CC
VOFF
VOFF
VOFF
条件
在黑暗中
在黑暗中， VC参考
在黑暗中， VC参考
在黑暗中， VC参考
（A + B） - （C + D ） ，在黑暗中
输出失调电压差
-Voff
（A + D） - （B + C） ，在黑暗中
（ A + C ） - （B + D ） ，在黑暗中
（E + G） - （F + H），在黑暗中
失调温度漂移（ A至H ）
失调温度漂移（ RF ）
输出电压（ A至D ）
输出电压（ E至H ）
输出电压（RF）的
ΔVoff / T
ΔVoff / T
V
O
V
O
Vo
在黑暗中
在黑暗中
λ
= 780nm的宝= 10μW
λ
= 780nm的宝= 10μW
λ
= 780nm的宝= 10μW
λ
= 780nm的宝= 500μW
λ
= 780nm的
宝= 10μW
DC
， 4μWp -P
100kHz的参考， -3dB
λ
= 780nm的
宝= 10μW
DC
， 4μWp -P
100kHz的参考， -3dB
λ
= 780nm的
宝= 10μW
DC
， 4μWp -P
100kHz的参考， -3dB
λ
= 780nm的
宝= 10μW
DC
， 4μWp -P
35MHz/100kHz
λ
= 780nm的
宝= 10μW
DC
， 4μWp -P
35MHz/100kHz
100kHz至35MHz时
100kHz至35MHz时
输出为500mV
→
5mV
输出为500mV
→
5mV
输出为500mV
→
0.5mV
—
—
(V
CC
= 5.0V, V
C
= 2.5V ，TA = 25 ° C）
分钟。
—
–30
–25
–100
–20
–20
–20
–20
–100
–1.0
82
338
165
3.9
60
典型值。
16
0
0
0
0
0
0
0
—
—
110
450
220
4.0
100
马克斯。
25
30
25
100
20
20
20
20
100
1.0
138
563
275
—
—
单位
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μV/°C
毫伏/°C的
mV
mV
mV
V
兆赫
最大输出电压（ A至H， RF ）V
O
频率响应1 （ A至D ）
fc
频率响应1 （E到H）
fc
12
20
—
兆赫
频率响应1 （RF）的
fc
60
100
—
兆赫
频率响应2 （ A至D ）
G
–0.5
0
0.5
dB
频率响应2 （RF）的
群时延差（ A至D ）
群时延差（ RF ）
建立时间1 （ A至D ）
建立时间1 （E到H）
建立时间2 （ A至D ）
压摆率（ A至D ）
压摆率（ E至H ）
G
ΔGD
ΔGD
Tset1
Tset1
Tset2
SR
SR
–1.0
—
—
—
—
—
200
40
0.5
0.5
0.5
—
—
—
—
—
1.0
2
2
40
70
70
—
—
dB
ns
ns
ns
ns
ns
V / μs的
V / μs的
注1 ）
输出失调电压： Vc为基准。
注2 ）
输出电压： Vc为基准。然而，偏移电压被排除在外。
注3 ）
输出电压，偏移温度漂移，频率响应，群时延差，建立时间
压摆率：设计的确认。
注4 ）
测量由光输入：测量由发射的光的每一个的中心制成
–2–
光电二极管。
CXA2598M
测量电路
VCC
1
VCC
GND 12
2
Ho
进入11
3
Ao
做10
4
Bo
Co
9
5
Fo
Eo
8
6
Vc
Vc
RF
7
所有负载都2.5kΩ // 20pF的。
光电探测器的位置
顶视图
12
7
45 ℃下
E
C
D
包中心
1
H
G
A
B
F
6
0.52
从光电探测器的中心偏离
X，Y ：
±0.2
Z :
±0.2
θ
:
±2°
参考
表面
表面检测
在indident光
（单位：毫米）
–3–
CXA2598M
光电图案尺寸
（单位：微米）
40
16
0
16
0
C
F
E
A
B
5
5
5
40
16
0
H
G
D
45 ℃下
16
0
5
电路框图
GND
12
Go
11
Do
10
Co
9
Eo
8
RF
7
R
2
R
1
R
1
R
2
G
D
C
E
敖博合作做
H
A
B
F
R
2
R
1
R
1
R
2
1
V
CC
2
Ho
3
Ao
4
Bo
5
Fo
6
Vc
R
1
= 29kΩ ，R
2
= 118k
A， B，C ， D，E ， F，G和H是光电二极管。 （光灵敏度：约0.40A / W）
–4–
CXA2598M
引脚说明
PIN号
符号
I / O
等效电路
描述
3
4
9
10
Ao
Bo
Co
Do
3
O
4
9
10
电压信号输出转换
从光信号
2
5
8
11
Ho
Fo
Eo
Go
2
O
5
8
11
118k
电压信号输出转换
从光信号
7
RF
O
7
除了敖做信号输出
12
GND
对于双电源供电
：负电源
对于一个单一的电源
： GND
6
V
C
I
6
对于双电源供电
： GND
对于一个单一的电源
：中心电压输入
1
V
CC
I
–5–
正电源。
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