CX1SM AT晶体
8 MHz到250 MHz的
微型表面贴装AT石英晶体
基本模式：
为8 MHz - 250 MHz的
第三泛音模式： 48兆赫 - 160兆赫
实际尺寸
描述
STATEK的微型CX1SM AT的无铅陶瓷晶体
包被设计为表面安装在印刷
电路板或混合基质。由于其坚固的设计，
此产品已被广泛接受的行业。
SIDE VIEW
玻璃盖
X
XXX
S
陶瓷盖
特点
包装尺寸
专为采用表面贴装应用
红外线，气相，或环氧安装技术
低调密封陶瓷封装
优异耐老化性
可用玻璃或陶瓷盖
高冲击和抗振动能力
可定制设计
提供完整的军事试验
设计的，并在美国制造的
应用
D
A
顶部
底部
E
D
B
E
C
医
输液泵
监控设备
工业，计算机通信&
仪器仪表
过程控制
环境控制
遥测
军用航空&
通讯
卫星指挥与控制
驾驶舱电子
灵巧弹药
定时装置（引信）
典型
暗淡
A
B
C
D
E
英寸
0.315
0.140
-
0.045
0.060
mm
8.00
3.56
-
1.14
1.52
最大
英寸
0.330
0.155
0.055
0.070
mm
8.38
3.94
1.40
1.78
见下文
厚度（ DIM C）最大
玻璃盖
英寸
SM1
SM2/SM4
SM3/SM5
0.065
0.067
0.070
mm
1.65
1.70
1.78
陶瓷盖
英寸
0.070
0.072
0.075
mm
1.78
1.83
1.90
10107 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
01
Pb
N
IO
IS
O
90
特定网络阳离子
终端
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
基频
10兆赫32兆赫155.52兆赫
动生阻抗R
1
()
动感电容C
1
(fF)
品质因数Q （ K）
并联电容C
0
（PF ）
校准公差
1
负载电容
驱动电平
频率 - 温度
稳定性
1,3
2
30
5.5
100
2.2
+
_
25
6.2
30
2.3
15
4.0
30
2.3
称号
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
终止
镀金（无铅）
焊接镀
浸焊剂
镀焊锡（无铅）
焊锡浸胶（无铅）
260
O
下进行20秒。
最大过程温度
为100ppm或更严格的要求
建议提出的土地格局
20 pF的求f
≤
50兆赫
10 pF的对于f > 50兆赫
500
W
MAX对于f
≤
50兆赫
200
W
MAX在f > 50兆赫
+
_
+
_
0.070 (1.78)
0.160 (4.06)
50ppm至
+
_
+
_
10ppm的（商业）
0.270 (6.86)
英寸（毫米）
100ppm至
+
_
100ppm至
5 ppm的MAX
20 PPM （工业）
+
_
30ppm的（军事）
老龄化，第一年
4
冲击，生存
5
振动，生存
6
工作温度。范围
（优于1PPM提供）
等效电路
3000克， 0.3毫秒，半正弦
20克， 10-2,000赫兹正弦扫频
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260
O
下进行20秒。
R
1
动感电阻率L
1
动态电感
C
1
动感电容C
0
旁路电容
C
0
1
L
1
C
1
R
1
2
储存温度。范围
最大过程温度
1.提供其他公差。联系工厂。
2.除非另有规定。
3.不包括校准公差。频率稳定度的过度的特性
温遵循的AT厚度切变模式。
4. 5ppm的MAX低于40 MHz的频率。对于更严格的公差和更高的频率
联系工厂。
5.可用震荡走高的版本。参见数据表模型CX1HGSM AT （ 10108 ） 。
6.每MIL -STD- 202G ，方法204D ，条件D.随机振动测试也可提供。
封装选项
托盘包装
16毫米胶带，7“或13”的卷轴
每EIA 481 （见卷带式数据手册10109 ）
HOW TO ORDER CX1SM AT晶体
CX1
“S”如有特殊
或自定义
设计。
空白，如果标准。
S
O.T. = 3
RD
O.T.模式
空白=基本
模式
C
C =陶瓷盖
空白=玻璃盖
SM1 - 32.0M
频率
M =兆赫
,
100
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
/
100
频率
在稳定
TEMP 。 RANGE
（单位：ppm ）
/
—
/
I
SM1 =镀金（无铅）
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
SM4 =焊料电镀（无铅）
SM5 =浸锡（无铅）
OR
—
/
—
/
200
总
频率
公差
（单位：ppm ）
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I
= -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
/
I
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I
= -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
10107 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
01
Pb
N
IO
IS
O
90
CX1SM水晶
530 kHz至2.1 MHz的
低调，微型表面贴装石英晶体
描述
该CX1SM石英晶体器件的无铅设计
用于表面安装在印刷电路板上或混合
基材。它们密封在一个坚固的，
微型陶瓷封装。该CX1SM水晶
使用STATEK开发的光电制造
光刻工艺，并设计了利用
通过产生数以百万计的晶体的获得的经验
工业，商业，军事和医疗应用。
最大过程温度应不超过260
O
C.
特点
实际尺寸
SIDE VIEW
玻璃盖所示
包装尺寸
扩张模式
非常适合与微处理器使用
专为低功耗应用
兼容混合动力或PC板包装
低老化
提供完整的军事试验
非常适合电池供电的应用
设计的，并在美国制造的
D
A
顶部
底部
E
D
B
E
C
等效电路
典型值。
暗淡
A
B
C
D
E
DIM“ C”
最大
SM1
英寸
0.315
0.140
-
0.045
0.060
mm
8.00
3.56
-
1.14
1.52
英寸
0.330
0.155
0.055
0.070
马克斯。
mm
8.38
3.94
1.40
1.78
C
0
1
L
1
C
1
R
1
2
见下文
R
1
动感电阻率L
1
动态电感
C
1
动感电容C
0
旁路电容
玻璃盖
英寸
0.065
0.067
0.070
mm
1.65
1.70
1.78
陶瓷盖
英寸
0.070
0.072
0.075
mm
1.78
1.83
1.90
建议提出的土地格局
0.070 (1.78)
SM2
SM3
0.160 (4.06)
英寸（毫米）
0.270 (6.86)
10129 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
基本
弦外之音
频率范围（赫兹）
555 614 1.0M的1.4 M1.8432 M 2.1M
串联电阻，R
1
(
)
串联电阻，R
1
最大
动态电容，C
1
(fF)
品质因数Q（ K）
并联电容，C
0
（PF ）
校准公差*
+
_
+
_
+
_
600
275
500
775
300
475
3 k
2.5
170
1.2
3.6
260
1.3
2.0
190
1.1
1.5
100
1.0
2.8
110
1.3
2.6
70
1.3
低调CX微型表面贴装晶体是理想
用于小型化，高密度，电池供电的便携式产品。
在CX水晶设计皮尔斯振荡器（单
逆变器）电路提供非常低的电流消耗，
高稳定性。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在
与C PI -网络电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为15 250ppm的上述晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
在CX晶体校准公差是由影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
为500ppm （0.05％）
为1000ppm （0.1％）
驱动电平
10000ppm的（1.0％）
3
W
最大
负载电容**
7 pF的
转折点（T
0
)**
35
O
C
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
2
在拐点温度T
0
按： F-F
0
=
K（ T形
0
)
f
0
功能模式
老龄化，第一年
冲击，生存
振动，生存
工作温度。范围
伸展
5 ppm的MAX
750克高峰， 0.3毫秒，
1
/
2
正弦
10克RMS ， 201,000 Hz的随机
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55
O
C至+ 125
O
C
260
O
下进行20秒。
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
f
0
=
f
S
1
+
储存温度。范围
最大过程温度
*提供更严格的公差。
**可用其他值。
[
C
1
2(C
0
+ C
L
)
]
(2)
终端
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
其中f
S
C
1
C
0
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
OSC
频率（F
O
)
封装选项
CX1SM
- 托盘包装
- 磁带和卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
HOW TO ORDER CX1SM晶体
CX1
S
C
SM1
1.0M,
频率
K =千赫
M =兆赫
扩音器
R
A
500
/ M
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
校准
S =客户指定
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
C
G
CX1
XTAL
C
D
10129 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
QQ：2881677436 复制
