CAT93C66
4 KB Microwire串行EEPROM CMOS
特点
高速运转： 2MHz的
1.8V至5.5V电源电压范围
可选x8或x16内存组织
顺序读取
软件写保护
上电时疏忽造成的写保护
低功耗CMOS技术
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业温度范围
符合RoHS标准的8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP和
8 ，垫TDFN封装
有关订购信息，请参见第15页。
描述
该CAT93C66是一个4 -KB的CMOS串行EEPROM
它的组织结构或者256个寄存器16的设备
位（ ORG引脚为V
CC
）或8位寄存器512 （ORG
销在GND ） 。每个寄存器可以写入（或读）
连续使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C66
功能顺序读取和自定时内部写
与自动清零。片上上电复位电路
防止在加电的内部逻辑
错误状态。
引脚配置
PDIP （ L）
SOIC （ V， X）
TSSOP （ Y）
TDFN （ VP2 ， ZD4 ） *
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 ORG
5 GND
NC
V
CC
CS
SK
功能符号
V
CC
SOIC （W）的
1
2
3
4
8 ORG
7 GND
6 DO
5 DI
ORG
CS
SK
DI
CAT93C66
DO
*采用3x3mm TDFN （ ZD4 ）包仅适用于冷冲模版本E，可得
（不推荐用于新设计）
GND
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
无连接
注意：当ORG引脚连接到VCC时， x16组织
被选中。当它被连接到地，所述x8组织是
选择。如果ORG引脚悬空，则内部上拉
设备将选择x16组织
2007 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1089牧师P号
CAT93C66
绝对最大额定值
(1)
参数
储存温度
电压的任何引脚对地
(2)
可靠性的特点
(3)
符号
NEND
(4)
TDR
参数
耐力
数据保留
民
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
评级
-65到+150
-0.5到+6.5
单位
°C
V
直流工作特性（新产品，模具REV 。 G）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有规定。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2 ）在任何引脚的直流输入电压应不大于V低于-0.5V更低或更高
CC
+ 0.5V 。在转换过程中，在任何引脚上的电压可能会
下冲至不超过-1.5V或过冲少不超过V更
CC
+ 1.5V，对于小于20毫微秒周期。
（ 3 ）这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
（ 4 ）块模式，V
CC
= 5V ，25°C
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
， CS = GND
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OL
= 1毫安
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OH
= -100A
民
最大
1
500
2
1
1
1
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
2.4
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
0.2
V
CC
- 0.2
文档。 1089牧师P号
2
2007 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT93C66
直流工作特性（成熟的产品，模具REV E - 不推荐用于新
外观设计）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
， CS = GND
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OL
= 1毫安
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OH
= -100A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
民
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
引脚电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V
符号
C
OUT(1)
C
IN(1)
注意事项：
（ 1 ）这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
2007 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。 1089牧师P号
CAT93C66
交流特性
(1)
（新产品，模具摹REV 。 ）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有规定。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
交流特性
(1)
（成熟的产品，模具REV é - 不推荐用于新设计）
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
笔记
:
(1)
(2)
根据“交流测试条件测试条件“表中。
这些参数都和最初设计或工艺变更，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
V
CC
= 1.8V - 5.5V
民
200
0
400
400
1
1
400
10
1
1
1
1
DC
250
最大
V
CC
= 2.5V - 5.5V
民
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.5
0.5
0.5
0.5
DC
500
最大
V
CC
= 4.5V - 5.5V
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
0.25
0.25
0.25
0.25
DC
1000
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
文档。 1089牧师P号
4
2007 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
CAT93C66
上电时序
(1) (2)
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
笔记
:
（ 1 ）这些参数，并初步设计或过程的变化，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
输出负载
≤
50纳秒
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
电流源I
OLmax
/I
OHMAX
; CL = 100pF的
设备操作
该CAT93C66是一个4096位的非易失性存储器
旨在与业界标准微处理器的应用
处理机。该CAT93C66可以组织成任
的16位或8位寄存器。当组织为X16 ，
7 11位指令控制的读，写，
擦除装置的操作。当组织为X8 ，
7 12位指令控制的读，写，
擦除装置的操作。该CAT93C66工作
在一个单一的电源，并会产生芯片，所述
在任何写操作所需的高电压。
指令，地址和写入数据的时钟
插入时钟（SK）的上升沿DI引脚。
DO引脚通常处于高阻抗状态
从设备中读取数据时，或当除
检查后，写操作就绪/忙状态。
串行通信协议如下所述定时
在图1中示出。
指令集
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A8-A0
A8-A0
A8-A0
11XXXXXXX
00XXXXXXX
10XXXXXXX
01XXXXXXX
x16
A7-A0
A7-A0
A7-A0
11XXXXXX
00XXXXXX
10XXXXXX
01XXXXXX
x8
数据
x16
评论
读出地址An - A0
清除地址AN - A0
写地址的 - A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
就绪/忙碌状态可以启动后确定
内部写周期，通过选择器（ CS高）
和查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而DO高表示
该装置已准备好进行下一条指令。如果需要的话，
DO引脚可被放回高阻抗
芯片中的状态通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入选择
DI引脚。 DO引脚将进入高阻抗状态
在时钟（SK）的上升沿。配售DO引脚
成为高阻抗状态，建议在
应用DI引脚和DO引脚都被
绑在一起，形成一个共同的DI / O引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 8位
地址（一个额外的位，当组织X8 ）和
写操作的一个16位的数据字段（8位为X8
机构） 。该指令格式示于
指令集表。
D7-D0
D15-D0
D7-D0
D15-D0
2007 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
5
文档。 1089牧师P号
CAT93C66
4 KB Microwire串行EEPROM CMOS
特点
高速运转： 2MHz的
1.8V至5.5V电源电压范围
可选x8或x16内存组织
顺序读取
软件写保护
上电时疏忽造成的写保护
低功耗CMOS技术
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
符合RoHS标准的8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP和
8 ，垫TDFN封装
有关订购信息，请参见第15页。
描述
该CAT93C66是一个4 -KB的CMOS串行EEPROM
它的组织结构或者256个寄存器16的设备
位（ ORG引脚为V
CC
）或8位寄存器512 （ORG
销在GND ） 。每个寄存器可以写入（或读）
连续使用DI （或DO ）引脚。该CAT93C66
功能顺序读取和自定时内部写
与自动清零。片上上电复位电路
防止在加电的内部逻辑
错误状态。
引脚配置
PDIP （ L）
SOIC （ V， X）
TSSOP （ Y）
TDFN （ VP2 ， ZD4 ） *
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 ORG
5 GND
NC
V
CC
CS
SK
功能符号
V
CC
SOIC（ W）*
1
2
3
4
8 ORG
7 GND
6 DO
5 DI
ORG
CS
SK
DI
CAT93C66
DO
*采用3x3mm TDFN （ ZD4 ）和SOIC （ W）旋转销出包
仅适用于冷冲模版本E，可得（不推荐用于新设计）
引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
V
CC
GND
ORG
NC
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
电源
地
存储器组织
无连接
GND
注意：当ORG引脚连接到VCC时， x16组织
被选中。当它被连接到地，所述x8组织是
选择。如果ORG引脚悬空，那么内部上拉
设备将选择x16组织
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1
文档。编号MD -1089修订版牛逼
CAT93C66
绝对最大额定值
(1)
参数
储存温度
电压的任何引脚对地
(2)
可靠性的特点
(3)
符号
NEND
(4)
TDR
参数
耐力
数据保留
民
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
评级
-65到+150
-0.5到+6.5
单位
°C
V
直流工作特性（新产品，模具REV 。 G）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，除非另有规定。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
（写）
电源电流
（READ ）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
V
IN
= GND或V
CC
,
CS = GND ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
,
CS = GND ORG =浮动
或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CS = GND
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OL
= 1毫安
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OH
= -100A
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
民
最大
1
500
2
4
1
2
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
2.4
0.2
V
CC
- 0.2
注意事项：
（ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或那些在此操作部分中列出的以外的任何其他条件的装置的操作
规范是不是暗示。暴露于任何绝对最大额定值长时间会影响器件的性能和可靠性。
（ 2 ）在任何引脚的直流输入电压应不大于V低于-0.5V更低或更高
CC
+ 0.5V 。在转换过程中，在任何引脚上的电压可能会
下冲至不超过-1.5V或过冲少不超过V更
CC
+ 1.5V，对于小于20毫微秒周期。
（ 3 ）这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
（ 4 ）块模式， VCC = 5V ，25°C
文档。编号MD -1089修订版牛逼
2
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特性如有变更，恕不另行通知
CAT93C66
直流工作特性（成熟的产品，模具REV E - 不推荐用于
新设计）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流（写）
电源电流（读）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
测试条件
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
f
SK
= 1MHz时， V
CC
= 5.0V
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
， CS = GND
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OL
= 2.1毫安
4.5V
≤
V
CC
< 5.5V ，我
OH
= -400A
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OL
= 1毫安
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5V ，我
OH
= -100A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.1
2
0
V
CC
x 0.7
民
最大
3
500
10
10
1
1
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
单位
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
引脚电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V
符号
C
OUT(1)
C
IN(1)
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
注意：
（ 1 ）这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
2009 SCILLC 。版权所有
特性如有变更，恕不另行通知
3
文档。编号MD -1089修订版牛逼
CAT93C66
交流特性
(1)
（新产品，模具摹REV 。 ）
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，除非另有规定ED 。
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
交流特性
(1)
（成熟的产品，模具REV é - 不推荐用于新设计）
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ(2)
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
参数
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
1
1
1
1
250
DC
V
CC
= 1.8V - 5.5V
民
200
0
400
400
1
1
400
10
0.5
0.5
0.5
0.5
500
DC
最大
V
CC
= 2.5V - 5.5V
民
100
0
200
200
0.5
0.5
200
10
0.25
0.25
0.25
0.25
1000
最大
V
CC
= 4.5V - 5.5V
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
10
最大
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ms
s
s
s
s
千赫
单位
笔记
:
(1)
(2)
根据“交流测试条件测试条件“表中。
这些参数都和最初设计或工艺变更，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
4
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特性如有变更，恕不另行通知
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CAT93C66
上电时序
(1) (2)
符号
t
PUR
t
PUW
参数
上电到读操作
上电到写操作
最大
1
1
单位
ms
ms
笔记
:
（ 1 ）这些参数，并初步设计或过程的变化，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
(2) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
输出负载
≤
50纳秒
0.4V至2.4V
0.8V, 2.0V
0.2V
CC
到0.7V
CC
0.5V
CC
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
4.5V
电流源I
OLmax
/I
OHMAX
; CL = 100pF的
设备操作
该CAT93C66是一个4096位的非易失性存储器
旨在与业界标准微处理器的应用
处理机。该CAT93C66可以组织成任
的16位或8位寄存器。当组织为X16 ，
7 11位指令控制的读，写，
擦除装置的操作。当组织为X8 ，
7 12位指令控制的读，写，
擦除装置的操作。该CAT93C66工作
在一个单一的电源，并会产生芯片，所述
在任何写操作所需的高电压。
指令，地址和写入数据的时钟
插入时钟（SK）的上升沿DI引脚。
DO引脚通常处于高阻抗状态
从设备中读取数据时，或当除
检查后，写操作就绪/忙状态。
串行通信协议如下所述定时
在图1中示出。
指令集
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
地址
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
A8-A0
A8-A0
A8-A0
11XXXXXXX
00XXXXXXX
10XXXXXXX
01XXXXXXX
x16
A7-A0
A7-A0
A7-A0
11XXXXXX
00XXXXXX
10XXXXXX
01XXXXXX
x8
数据
x16
评论
读出地址An - A0
清除地址AN - A0
写地址的 - A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
就绪/忙碌状态可以启动后确定
内部写周期，通过选择器（ CS高）
和查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而DO高表示
该装置已准备好进行下一条指令。如果需要的话，
DO引脚可被放回高阻抗
芯片中的状态通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入选择
DI引脚。 DO引脚将进入高阻抗状态
在时钟（SK）的上升沿。配售DO引脚
成为高阻抗状态，建议在
应用DI引脚和DO引脚都被
绑在一起，形成一个共同的DI / O引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 8位
地址（一个额外的位，当组织X8 ）和
写操作的一个16位的数据字段（8位为X8
机构） 。该指令格式示于
指令集表。
D7-D0
D15-D0
D7-D0
D15-D0
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特性如有变更，恕不另行通知
5
文档。编号MD -1089修订版牛逼
CAT93C66 ， CAT93W66
4 KB Microwire串行CMOS
EEPROM
描述
该CAT93C66是4 KB的CMOS串行EEPROM器件是
作为组织或者256个寄存器的16位（ ORG引脚为V
CC
）或512
8位（ ORG引脚为GND）的寄存器。该CAT93W66功能X16
内存的组织而已。每个寄存器可以写入（或读）
连续使用DI （或DO ）引脚。该器件具有顺序
阅读和自定时自动清零内部写。片上
上电复位电路，防止供电的内在逻辑
在错误的状态。
特点
http://onsemi.com
SOIC8
V，W *后缀
CASE 751BD
UDFN8
HU4后缀
CASE 517AZ
TDFN8*
VP2后缀
CASE 511AK
高速运行： 4兆赫（ 5 V ） ， 2兆赫（ 1.8 V ）
1.8 V至5.5 V电源电压范围
可选x8或x16存储器组织： CAT93C66
自定时写周期，自动清除
顺序读取
软件写保护
上电时无意写保护
低功耗CMOS技术
百万编程/擦除周期
百年数据保留
工业和扩展温度范围
8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP ， 6引脚SOT- 23 ， 8 ，垫TDFN和
UDFN封装
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并符合RoHS
柔顺
V
CC
V
CC
PDIP8
L结尾
CASE 646AA
TSSOP8
后缀
CASE 948AL
SOIC8
X后缀
CASE 751BE
SOT236
TB后缀
CASE 527AJ
引脚配置
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 ORG
5 GND
NC
V
CC
CS
SK
1
2
3
4
8 ORG
7 GND
6 DO
5 DI
ORG
CS
SK
DI
CAT93C66
DO
CS
SK
DI
CAT93W66
DO
PDIP （L） ，SOIC （ V，X ） ，
TSSOP （ Y） ， TDFN （ VP2 ） * ，
UDFN （ HU4 ）
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8 V
CC
7 NC
6 NC
5 GND
SOIC（ W）*
DO
GND
DI
1
2
3
6 V
CC
5 CS
4 SK
GND
GND
SOT- 23 （ TB） **
图1.功能符号
CAT93C66可选择的组织：
TDFN （ VP2 ）
CAT93W66
*不推荐用于新设计
**可用CAT93C66 SOT- 23 6针的X8
组织。联系厂方。
当ORG引脚连接到V
CC
，在x16组织是
选择。当它被连接到地，所述x8组织是
选择。如果ORG引脚悬空，那么内部上拉
设备会选择x16组织。
CAT93W66 ：
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第16页。
该器件工作在仅x16模式。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年4月
启示录11
1
出版订单号：
CAT93C66/D
CAT93C66 ， CAT93W66
表1.引脚功能
引脚名称
CS
SK
DI
DO
功能
芯片选择
时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
引脚名称
V
CC
GND
ORG （注1 ）
NC
功能
电源
地
存储器组织
无连接
1. ORG引脚可用于只有CAT93C66 。
表2.绝对最大额定值
参数
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压（注2 ）
评级
65
+150
0.5
为+6.5
单位
°C
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2.任何引脚的直流输入电压应不低于
0.5
伏或高于V
CC
+ 0.5V的转换过程中，在任何引脚上的电压可能会
下冲，以不低于
1.5
V或超调量不超过V更
CC
+ 1.5伏，对于小于20毫微秒周期。
表3.可靠性的特点
（注3）
符号
N
结束
（注4 ）
T
DR
耐力
数据保留
参数
民
1,000,000
100
单位
编程/擦除周期
岁月
3.这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
4.块模式，V
CC
= 5 V ，25°C 。
表4.直流工作特性
成熟的产品
(
V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
=
40°C
至+ 125 ℃，除非另有说明）。
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
参数
电源电流
（写）
电源电流
（READ ）
电源电流
（待机） （ x8模式）
电源电流
（待机） （ x16模式）
输入漏电流
f
SK
= 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
f
SK
= 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
,
CS = GND ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
， CS = GND
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CS = GND
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V，I
OL
= 2.1毫安
测试条件
民
最大
1
500
单位
mA
mA
mA
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
2.4
2
4
1
2
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
输出漏电流
mA
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
V
V
V
V
V
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V，I
OH
=
400
mA
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V，I
OL
= 1毫安
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V，I
OH
=
100
mA
0.2
V
CC
0.2
V
V
http://onsemi.com
2
CAT93C66 ， CAT93W66
表5.直流工作特性
新产品（启高）
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。 ）
符号
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
参数
电源电流（写）
电源电流（读出）
待机电流
（ x8模式）
待机电流
（ x16模式）
输入漏电流
写，V
CC
= 5.0 V
阅读， DO开放，女
SK
= 2兆赫，V
CC
= 5.0 V
V
IN
= GND或V
CC
CS = GND ， ORG = GND
V
IN
= GND或V
CC
CS = GND ，
ORG =浮动或V
CC
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
CS = GND
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
＆ LT ; 5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
＆ LT ; 4.5 V
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V，I
OL
= 3毫安
4.5 V
≤
V
CC
< 5.5 V，I
OH
=
400
mA
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V，I
OL
= 1毫安
1.8 V
≤
V
CC
< 4.5 V，I
OH
=
100
mA
V
CC
0.2
2.4
0.2
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
I
LO
V
IL1
V
IH1
V
IL2
V
IH2
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
输出漏
当前
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 125°C
0.1
2
0
V
CC
x 0.7
测试条件
民
最大
1
500
2
5
1
3
1
2
1
2
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.2
V
CC
+ 1
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
单位
mA
mA
mA
I
LI
表6.引脚电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= +5.0 V)
符号
C
OUT
（注5 ）
C
IN
（注5 ）
TEST
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ， ORG ）
条件
V
OUT
= 0 V
V
IN
= 0 V
民
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
5.这些参数，并初步设计或过程的变化影响，根据相应的AEC -Q100标准的参数进行测试后，
和JEDEC测试方法。
表7.电时序
（注6,7）
符号
t
PUR
t
PUW
上电到读操作
上电到写操作
参数
最大
1
1
单位
ms
ms
6.这些参数，并初步设计或过程的变化，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
7. t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到指定的操作可以启动。
表8.交流测试条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
时序参考电压
输入脉冲电压
时序参考电压
输出负载
≤
50纳秒
0.4 V至2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2 V
CC
0.7 V
CC
0.5 V
CC
电流源I
OLmax
/I
OHMAX
; CL = 100 pF的
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
4.5 V
≤
V
CC
≤
5.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
1.8 V
≤
V
CC
≤
4.5 V
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3
CAT93C66 ， CAT93W66
表9.交流特性
成熟的产品
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ，T
A
=
40°C
至+ 125 ℃，除非另有说明。 ） （注8）
范围
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
（注9 ）
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
参数
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
据“交流8.测试条件测试条件“表中。
9，这些参数和初始设计或工艺变更，根据相应的影响参数进行测试后，
AEC -Q100和JEDEC测试方法。
表10.交流特性
新产品（启高）
(V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ， TA =
40°C
至+ 125°C ，除非另有规定编）
V
CC
= 1.8 V
5.5 V
符号
t
CSS
t
CSH
t
DIS
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
HZ
（注10 ）
t
EW
t
CSMIN
t
SKHI
t
SKLOW
t
SV
SK
最大
CS建立时间
CS保持时间
DI建立时间
DI保持时间
输出延迟到1
输出延迟为0
输出延迟到高阻
编程/擦除脉冲宽度
最低CS低电平时间
最低SK高时间
最低SK低电平时间
输出延迟到状态有效
最大时钟频率
DC
0.25
0.25
0.25
0.25
2000
DC
参数
民
50
0
100
100
0.25
0.25
100
5
0.1
0.1
0.1
0.1
4000
最大
V
CC
= 4.5 V
5.5 V
民
50
0
50
50
0.1
0.1
100
5
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ms
ms
ms
ms
ms
千赫
10，此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
http://onsemi.com
4
CAT93C66 ， CAT93W66
设备操作
该CAT93C66是一个4096位的非易失性存储器
旨在与业界标准的微处理器使用。
该CAT93C66可以组织16任寄存器
位或8位。当组织为X16 ， 7 11位
指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。当组织为X8 ，七
12位指令控制的读，写和擦除
该装置的操作。该CAT93W66工作在X16
唯一模式。该器件采用单电源供电
并且将产生的片上，在所需的高电压
任何写操作。
指令，地址和写入的数据读入
DI引脚上的时钟（ SK ）的上升沿。 DO引脚为
通常在高阻抗状态，在读取数据时，除了
从设备上，或检查时，就绪/忙状态
在写操作后。串行通信协议
遵循图2所示的时序。
表11.指令集
地址
指令
读
抹去
写
EWEN
EWDS
ERAL
WRAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
11
01
00
00
00
00
x8
（注11 ）
A8A0
A8A0
A8A0
11XXXXXXX
00XXXXXXX
10XXXXXXX
01XXXXXXX
x16
A7A0
A7A0
A7A0
11XXXXXX
00XXXXXX
10XXXXXX
01XXXXXX
D7D0
D15D0
D7D0
D15D0
数据
x8
（注11 ）
x16
评论
读出地址An - A0
清除地址AN - A0
写地址的 - A0
写使能
写禁止
清除所有地址
写的所有地址
就绪/忙碌状态可开始后确定
内部写周期，通过选择器（ CS高点）和
查询DO管脚; DO低表明写
操作未完成，而溶解氧高表示该
设备准备好接收下一个指令。如果有必要，在DO
销可以放回到高阻抗状态中
芯片通过移动一个虚拟的“ 1 ”进入DI引脚选择。在DO
销将进入上的上升沿为高阻抗状态
时钟（SK） 。把DO引脚进入高阻
状态，建议在应用中的DI引脚和
DO引脚都被捆绑在一起，形成一个共同的DI / O
引脚。
发送到设备的所有指令的格式是一个
逻辑“1”的起始位， 2位（或4位）操作码， 8位的地址
（当组织X8的一个附加位）和用于写入
操作的16位数据字段（8位为X8的组织）。
该指令的格式显示在指令集表。
11. x8的内存组织仅可用于在CAT93C66 。
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