【SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245512×18, 1】,IC型号CV235-7PAGG4,CV235-7PAGG4 PDF资料,CV235-7PAGG4经销商,ic,电子元器件-51电子网

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

512

18位组织阵列（ SN74V215 ）

1024

18位组织阵列

(SN74V225)

2048

18位组织阵列

(SN74V235)

4096

18位组织阵列

(SN74V245)

7.5纳秒的读/写周期时间

3.3-V V

， 5 - V输入容限

首先， Word或标准落空

定时

单或双寄存器缓冲空

和满的标志

在深度和宽度易于扩展

异步或重合阅读并

写时钟

异步或同步

可编程几乎空

几乎满标志使用默认设置

半满标志功能

输出使能放输出数据总线的

高阻抗状态

高性能亚微米CMOS

技术

封装在64引脚薄型四方扁平封装

DSP与微处理器接口控制

逻辑

提供DSP无缝连接德州

仪器TMS320的DSP

描述

该SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235和SN74V245都非常高速，低功耗的CMOS时钟先入

先出（ FIFO ）存储器。它们支持时钟频率高达133 MHz和有读存取时间快

5纳秒。这些DSP Sync FIFO存储器功能部件的读写等应用中使用的控制

DSP到处理器的通信， DSP到模拟前端（ AFE），缓冲剂，网络，视频，和数据

通信。

这些都是同步FIFO ，这意味着每个端口采用同步接口。所有数据传输

通过一个端口被选通到连续（自由运行）端口时钟的由使能信号由低到高的跳变。

连续时钟的每个端口是彼此独立的，并且可以是异步或重合。

在使每个端口被配置为提供与DSP，微处理器，和/或一个简单的接口

总线通过一个同步接口控制。输出使能（ OE ）输入控制的三态输出。

在同步FIFO有两个固定的标志，空标志/输出就绪（ EF / OR）和全旗/输入就绪（ FF / IR ），

和两个可编程的标志，几乎是空的（ PAE ），几乎满（ PAF ）。的偏置负载

可编程的标志是通过一个简单的状态机控制，并且通过确定的负载销（LD）的启动。一

半满标志（ HF）时，可以使用FIFO用于在一个单一的设备配置。

两种操作模式，时间可能与这些设备：第一字落空（ FWFT ）模式和

标准模式。

在FWFT模式中，写入到一个空的FIFO的第一个字是直接时钟至数据输出线3后

在RCLK信号的转换。的读使能（ REN）不必被断言为访问的第一个字。

在标准模式中，写入到一个空的FIFO的第一个字上不显示的数据输出线，除非

执行特定的读操作。读操作，其中包括激活REN ，使上升

RCLK边缘，并搬移从内部存储器中的字的数据输出线。

这些设备是深度扩展的，使用菊花链方法或FWFT模式。在XI和XO引脚

用于扩展的FIFO中。在深度扩展配置中，第一负载（佛罗里达州）的接地的第一设备上并

设置为高为菊花链中的所有其他设备。

该SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235和SN74V245的特点是操作从0° C至70 ℃。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

DSP - SYNC和TMS320是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2002年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

PAG包装

（ TOP VIEW ）

D15

D14

D13

D12

D11

D10

D16

D17

GND

RCLK

任

GND

EF /或

Q17

Q16

GND

Q15

Q14

Q13

GND

Q12

Q11

Q10

GND

PAE

WCLK

文

WXI

PAF

RXI

FF / IR

WXO / HF

RXO

GND

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

功能框图

D0–D17

WCLK

文

写控制

逻辑

旗

逻辑

写

指针

RAM阵列

512

18, 1024

18,

2048

18, 4096

输入

OFFSET

FF / IR

PAF

EF /或

PAE

HF / （ WXO ）

WXI

（ HF ） / WXO

RXI

RXO

读

指针

扩张

逻辑

读控制

逻辑

RESET

逻辑

产量

Q0–Q17

RCLK

任

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

终端功能

终奌站

名字

D0–D17

号

1–16, 63,

I / O

数据输入。数据输入一个18位的总线。

内存空/有效数据可用标志。在标准模式中， EF功能被选择。 EF指示

FIFO存储器是否为空。在FWFT模式下， OR功能被选择。 OR表示是否

有可在输出有效数据。

内存满/空标志可用。在标准模式中， FF功能被选择。 FF表示是否

FIFO存储器已满。在FWFT模式中，IR功能被选择。红外光谱指示是否有空间

可用于写入到FIFO存储器中。

模式选择。在单个设备或宽度扩展配置，FL与WXI和RXI在一起，

确定该模式是标准模式或第一字下通（ FWFT ）模式，以及是否

PAE / PAF标志是同步或异步的（见表4）。在菊花链深度扩张

构，佛罗里达接地的第一装置（第一负载装置）上，并设置为高在所有的其它设备

菊花链。

地

读/写控制。当LD为低时，在输入端D0- D11，数据被写入偏移量和深度的寄存器

在WCLK的低到高的转变，当温低。当LD为低时，数据在输出端Q0- Q11

从偏移和深度寄存器读取在RCLK的低到高转变时，REN低。

输出使能。当OE为低电平时，数据输出总线是有效的。如果OE为高电平时，输出数据总线是在

高阻抗状态。

可编程几乎空标志。当PAE是低时，FIFO几乎是空的，基于偏移

编程到FIFO中。默认的复位偏移量是63空SN74V215 ，和127的空

为SN74V225 ， SN74V235和SN74V245 。

可编程几乎满标志。当血小板活化因子为低时，FIFO几乎充满，基于该偏置编程

在FIFO中。默认的复位偏移量是63全的SN74V215 ，和127从完全的SN74V225 ，

SN74V235和SN74V245 。

描述

EF /或

FF / IR

GND

30, 35, 40,

46, 51, 55,

PAE

PAF

28, 29, 31,

32, 34,

36–39, 41,

42, 44, 45,

47, 48, 50,

52, 53

Q0–Q17

数据输出。数据输出为18位的总线。

RCLK

任

读时钟。当REN为低电平时，数据被从FIFO中读出上一个低到高的RCLK的过渡，如果FIFO

是不是空的。

读使能。当任为低电平时，数据从FIFO读取RCLK每低到高的转变。当

REN为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据没有被从FIFO中读出，如果EF是低的。

复位。当RS被设置为低电平，内部读和写指针被设置为在RAM阵列的第一位置，

FF和PAF变高，而PAE和EF变低。上电后最初的写操作之前，需要进行重置。

阅读扩张。在单个设备或宽度扩展配置， RXI ， FL及WXI在一起，

确定该模式是标准模式或FWFT模式，以及是否PAE / PAF标志是

同步或异步的（见表4）。在菊花链深度扩展配置，是RXI

连接到RXO （读扩展出）以前的设备。

最后位置读取标志。在深度扩展配置中，一个脉冲从RXO发送到的下一个RXI

当在FIFO中的最后位置读出装置。

电源电压。 + 3.3 V电源引脚。

RXI

RXO

VCC

WCLK

22, 33, 43,

49, 56

写时钟。当温低时，数据被写入到FIFO的WCLK的，如果在FIFO由低到高的跳变

没有满。

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

终端功能（续）

终奌站

名字

文

号

I / O

描述

写使能。当温低时，数据被写入FIFO的WCLK每一个从低到高的转变。

当温高时，在FIFO保持之前的数据。数据不被写入到FIFO中，如果FF为低。

宽度扩展。在单个设备或宽度扩展配置， WXI ， FL及RXI在一起，

确定该模式是标准模式或FWFT模式，以及是否PAE / PAF标志是

同步或异步的（见表4）。在菊花链的深度扩展配置， WXI是

连接到WXO （扩写出来）之前的设备。

半满标志。在单个设备或宽度膨胀结构中，所述装置是以上半满时

HF为低。在深度扩展配置中，一个脉冲从WXO发送的下一个设备时，以WXI

在FIFO中的最后位置被写入。

WXI

WXO / HF

详细说明

输入：

在数据（ D0 - D17 ）

数据输入为18位宽度的数据。

控制：

复位（RS）

当RS为低电平复位完成。在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置为

第一个位置。复位之后写操作前开机才能进行必需的。半满标志（ HF）的

和可编程几乎满标记（PAF）被复位到吨后高

RSF

。可编程几乎空标志（ PAE ）

被重置为低吨后

RSF

。的满标志（ FF ）复位高。空标志（ EF ）复位为低在标准模式下，

但重置到高FWFT模式。在复位时，输出寄存器被初始化为全零，并且所述偏移

寄存器初始化为默认值。

写时钟（ WCLK ）

写周期开始于WCLK低到高的转变。数据建立时间和保持时间必须满足与

对于WCLK低到高的转变。

写和读时钟可以是异步或重合。

写使能（ WEN ）

当温较低时，数据可以被加载到在每个WCLK周期，如果上升沿在FIFO RAM阵列

设备是不完整的。数据被存储在RAM阵列顺序地和独立于任何正在进行读操作。

当温高时，没有新的数据被写在每个WCLK周期RAM阵列中。

为了防止数据溢出在标准模式下， FF变低，抑制了进一步的写操作。完成后

一个有效的读取周期， FF变为高电平，使写发生。在FF标志更新上WCLK的上升沿。

为了防止数据溢出的FWFT模式， IR变为高电平，抑制进一步的写操作。完成后

一个有效的读取周期，IR变为低电平，使写发生。红外标志被更新了的WCLK的上升沿。

当FIFO满时在任一FWFT或标准模式，WEN被忽略。

读时钟（ RCLK ）

数据可以被读取输出的RCLK低到高的转变，当OE为低。

写和读时钟可以是异步或重合。

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

512

18位组织阵列（ SN74V215 ）

1024

18位组织阵列

(SN74V225)

2048

18位组织阵列

(SN74V235)

4096

18位组织阵列

(SN74V245)

7.5纳秒的读/写周期时间

3.3-V V

， 5 - V输入容限

首先， Word或标准落空

定时

单或双寄存器缓冲空

和满的标志

在深度和宽度易于扩展

异步或重合阅读并

写时钟

异步或同步

可编程几乎空

几乎满标志使用默认设置

半满标志功能

输出使能放输出数据总线的

高阻抗状态

高性能亚微米CMOS

技术

封装在64引脚薄型四方扁平封装

DSP与微处理器接口控制

逻辑

提供DSP无缝连接德州

仪器TMS320的DSP

描述

该SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235和SN74V245都非常高速，低功耗的CMOS时钟先入

先出（ FIFO ）存储器。它们支持时钟频率高达133 MHz和有读存取时间快

5纳秒。这些DSP Sync FIFO存储器功能部件的读写等应用中使用的控制

DSP到处理器的通信， DSP到模拟前端（ AFE），缓冲剂，网络，视频，和数据

通信。

这些都是同步FIFO ，这意味着每个端口采用同步接口。所有数据传输

通过一个端口被选通到连续（自由运行）端口时钟的由使能信号由低到高的跳变。

连续时钟的每个端口是彼此独立的，并且可以是异步或重合。

在使每个端口被配置为提供与DSP，微处理器，和/或一个简单的接口

总线通过一个同步接口控制。输出使能（ OE ）输入控制的三态输出。

在同步FIFO有两个固定的标志，空标志/输出就绪（ EF / OR）和全旗/输入就绪（ FF / IR ），

和两个可编程的标志，几乎是空的（ PAE ），几乎满（ PAF ）。的偏置负载

可编程的标志是通过一个简单的状态机控制，并且通过确定的负载销（LD）的启动。一

半满标志（ HF）时，可以使用FIFO用于在一个单一的设备配置。

两种操作模式，时间可能与这些设备：第一字落空（ FWFT ）模式和

标准模式。

在FWFT模式中，写入到一个空的FIFO的第一个字是直接时钟至数据输出线3后

在RCLK信号的转换。的读使能（ REN）不必被断言为访问的第一个字。

在标准模式中，写入到一个空的FIFO的第一个字上不显示的数据输出线，除非

执行特定的读操作。读操作，其中包括激活REN ，使上升

RCLK边缘，并搬移从内部存储器中的字的数据输出线。

这些设备是深度扩展的，使用菊花链方法或FWFT模式。在XI和XO引脚

用于扩展的FIFO中。在深度扩展配置中，第一负载（佛罗里达州）的接地的第一设备上并

设置为高为菊花链中的所有其他设备。

该SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235和SN74V245的特点是操作从0° C至70 ℃。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

DSP - SYNC和TMS320是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2002年，德州仪器

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

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18, 2048

18, 4096

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PAG包装

（ TOP VIEW ）

D15

D14

D13

D12

D11

D10

D16

D17

GND

RCLK

任

GND

EF /或

Q17

Q16

GND

Q15

Q14

Q13

GND

Q12

Q11

Q10

GND

PAE

WCLK

文

WXI

PAF

RXI

FF / IR

WXO / HF

RXO

GND

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

功能框图

D0–D17

WCLK

文

写控制

逻辑

旗

逻辑

写

指针

RAM阵列

512

18, 1024

18,

2048

18, 4096

输入

OFFSET

FF / IR

PAF

EF /或

PAE

HF / （ WXO ）

WXI

（ HF ） / WXO

RXI

RXO

读

指针

扩张

逻辑

读控制

逻辑

RESET

逻辑

产量

Q0–Q17

RCLK

任

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达拉斯，德克萨斯州75265

SN74V215 ， SN74V225 ， SN74V235 ， SN74V245

512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

终端功能

终奌站

名字

D0–D17

号

1–16, 63,

I / O

数据输入。数据输入一个18位的总线。

内存空/有效数据可用标志。在标准模式中， EF功能被选择。 EF指示

FIFO存储器是否为空。在FWFT模式下， OR功能被选择。 OR表示是否

有可在输出有效数据。

内存满/空标志可用。在标准模式中， FF功能被选择。 FF表示是否

FIFO存储器已满。在FWFT模式中，IR功能被选择。红外光谱指示是否有空间

可用于写入到FIFO存储器中。

模式选择。在单个设备或宽度扩展配置，FL与WXI和RXI在一起，

确定该模式是标准模式或第一字下通（ FWFT ）模式，以及是否

PAE / PAF标志是同步或异步的（见表4）。在菊花链深度扩张

构，佛罗里达接地的第一装置（第一负载装置）上，并设置为高在所有的其它设备

菊花链。

地

读/写控制。当LD为低时，在输入端D0- D11，数据被写入偏移量和深度的寄存器

在WCLK的低到高的转变，当温低。当LD为低时，数据在输出端Q0- Q11

从偏移和深度寄存器读取在RCLK的低到高转变时，REN低。

输出使能。当OE为低电平时，数据输出总线是有效的。如果OE为高电平时，输出数据总线是在

高阻抗状态。

可编程几乎空标志。当PAE是低时，FIFO几乎是空的，基于偏移

编程到FIFO中。默认的复位偏移量是63空SN74V215 ，和127的空

为SN74V225 ， SN74V235和SN74V245 。

可编程几乎满标志。当血小板活化因子为低时，FIFO几乎充满，基于该偏置编程

在FIFO中。默认的复位偏移量是63全的SN74V215 ，和127从完全的SN74V225 ，

SN74V235和SN74V245 。

描述

EF /或

FF / IR

GND

30, 35, 40,

46, 51, 55,

PAE

PAF

28, 29, 31,

32, 34,

36–39, 41,

42, 44, 45,

47, 48, 50,

52, 53

Q0–Q17

数据输出。数据输出为18位的总线。

RCLK

任

读时钟。当REN为低电平时，数据被从FIFO中读出上一个低到高的RCLK的过渡，如果FIFO

是不是空的。

读使能。当任为低电平时，数据从FIFO读取RCLK每低到高的转变。当

REN为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据没有被从FIFO中读出，如果EF是低的。

复位。当RS被设置为低电平，内部读和写指针被设置为在RAM阵列的第一位置，

FF和PAF变高，而PAE和EF变低。上电后最初的写操作之前，需要进行重置。

阅读扩张。在单个设备或宽度扩展配置， RXI ， FL及WXI在一起，

确定该模式是标准模式或FWFT模式，以及是否PAE / PAF标志是

同步或异步的（见表4）。在菊花链深度扩展配置，是RXI

连接到RXO （读扩展出）以前的设备。

最后位置读取标志。在深度扩展配置中，一个脉冲从RXO发送到的下一个RXI

当在FIFO中的最后位置读出装置。

电源电压。 + 3.3 V电源引脚。

RXI

RXO

VCC

WCLK

22, 33, 43,

49, 56

写时钟。当温低时，数据被写入到FIFO的WCLK的，如果在FIFO由低到高的跳变

没有满。

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512

18, 1024

18, 2048

18, 4096

DSP的SYNC第一入先出存贮器

SCAS636E - 2000年4月 - 修订2002年9月

终端功能（续）

终奌站

名字

文

号

I / O

描述

写使能。当温低时，数据被写入FIFO的WCLK每一个从低到高的转变。

当温高时，在FIFO保持之前的数据。数据不被写入到FIFO中，如果FF为低。

宽度扩展。在单个设备或宽度扩展配置， WXI ， FL及RXI在一起，

确定该模式是标准模式或FWFT模式，以及是否PAE / PAF标志是

同步或异步的（见表4）。在菊花链的深度扩展配置， WXI是

连接到WXO （扩写出来）之前的设备。

半满标志。在单个设备或宽度膨胀结构中，所述装置是以上半满时

HF为低。在深度扩展配置中，一个脉冲从WXO发送的下一个设备时，以WXI

在FIFO中的最后位置被写入。

WXI

WXO / HF

详细说明

输入：

在数据（ D0 - D17 ）

数据输入为18位宽度的数据。

控制：

复位（RS）

当RS为低电平复位完成。在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置为

第一个位置。复位之后写操作前开机才能进行必需的。半满标志（ HF）的

和可编程几乎满标记（PAF）被复位到吨后高

RSF

。可编程几乎空标志（ PAE ）

被重置为低吨后

RSF

。的满标志（ FF ）复位高。空标志（ EF ）复位为低在标准模式下，

但重置到高FWFT模式。在复位时，输出寄存器被初始化为全零，并且所述偏移

寄存器初始化为默认值。

写时钟（ WCLK ）

写周期开始于WCLK低到高的转变。数据建立时间和保持时间必须满足与

对于WCLK低到高的转变。

写和读时钟可以是异步或重合。

写使能（ WEN ）

当温较低时，数据可以被加载到在每个WCLK周期，如果上升沿在FIFO RAM阵列

设备是不完整的。数据被存储在RAM阵列顺序地和独立于任何正在进行读操作。

当温高时，没有新的数据被写在每个WCLK周期RAM阵列中。

为了防止数据溢出在标准模式下， FF变低，抑制了进一步的写操作。完成后

一个有效的读取周期， FF变为高电平，使写发生。在FF标志更新上WCLK的上升沿。

为了防止数据溢出的FWFT模式， IR变为高电平，抑制进一步的写操作。完成后

一个有效的读取周期，IR变为低电平，使写发生。红外标志被更新了的WCLK的上升沿。

当FIFO满时在任一FWFT或标准模式，WEN被忽略。

读时钟（ RCLK ）

数据可以被读取输出的RCLK低到高的转变，当OE为低。

写和读时钟可以是异步或重合。

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