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过程

小信号晶体管

PNP - 高电压晶体管芯片

CP595

中央

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

12,550

主体装置类型

2N5680

外延平面

30× 30密耳

7.0 MILS

8.0× 8.0 MILS

7.6× 7.6 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 10,000A

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110

传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R2 （2002年1月）

中央

过程

CP595

半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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传真：（ 631 ） 435-1824

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R2 （2002年1月）

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