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300瓦的瞬态电压抑制器
CT系列-G
指令（RoHS设备）
特点
（ 16kV的） IEC 61000-4-2等级
美国的8/20额定瞬态
五个工作电压（ 5 ，12，15 ，24， 36）的
应用
瞬态/ ESD抑制
局域网/广域网
外设
机顶盒
电路原理图
1
1
1
1
1
CTA
- 14针
SOIC
CTB
= 8引脚
SOIC
CTC
= 8引脚
SOIC
CTD
= 6针
SOT23-6
CTE
- 3针
SOT-23
应用原理
双向
GND
收发器
连接器
收发器
连接器
单向
GND
Vp
（瞬态）
V
钳
0
v
300瓦的瞬态电压抑制器
产品规格:(
TA = 25
o
C )
等级
峰值脉冲功率（ 8/20美国）
工作温度。范围
焊接温度
5V伏特性（ 5V0 ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
12伏特性（ 12V ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
V
C
通道钳位电压
峰值脉冲电流
I
PP
15伏特性（ 15V ）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
C
T
电容
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
24伏特性（ 24V）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
峰值脉冲电流
I
PP
36伏的特性（ 24V）
符号
特征
反向击穿电压
V
BD
反向漏电流
I
L
电容
C
T
通道钳位电压
V
C
I
PP
峰值脉冲电流
符号
P
PK
T
J
T
L
价值
300
-55到+125
260 （10秒）
单位
瓦
o
C
o
C
民
6.0
典型值
最大
10
350
10
17
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 5v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
13.3
典型值
最大
1
120
20
12
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 12v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
16.7
典型值
最大
1
75
24
10
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 15v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
26.7
典型值
最大
1
50
43
5
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 24v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
民
37
典型值
最大
1
40
40
3
单位
V
uA
pF
V
安培
测试条件
I
F
= 1毫安
@ V
BD
= 36v
@ 1MHz的
8 / 20us的， 1安培
8月20日美国
订货信息：
CTA
TYPE
CTA
CTB
CTC
CTD
CTE
N14
封装代码
从下面的表
24V
电压
5V0, 12V
15V, 24V, 36V
-G
符合RoHS
300瓦
瞬态电压抑制器
包装信息：
尺寸（毫米）
L
a
p
c
w
W
p
d
e
H
d
p
e
W
SOT-23
W
SOT23-6
L
L
包
CODE
N08
N14
S03
S06
包
动力
0.4 w
0.6 w
0.225 w
0.225 w
数
引脚
08
14
3
6
L + 0.2
4.83
8.66
2.92
2.92
W + 0.2
5.99
5.99
2.30
2.80
w + 0.2
3.81
3.81
0.95
1.20
p + 0.2
1.60
1.60
1.91
1.91
e
+ 0.1
1.27
1.27
0.95
0.95
A + 0.1
0.41
0.41
0.53
0.53
d
+ 0.1
0.66
0.66
0.43
0.43
H
+ 0.2
0.95
0.95
0.95
0.95
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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