CSD87331Q3D
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SLPS283A
–
2011年9月
–
经修订的2012年1月
同步降压NexFET功率模块
1
特点
半桥电源模块
高达27V V
IN
高达15A的操作
在10A 91 ％的系统效率
高频率工作（高达1.5MHz ）
高密
–
SON 3.3毫米
×
3.3-mm
脚印
优化5V栅极驱动器
低开关损耗
超低电感套餐
符合RoHS
无卤
无铅端子电镀
描述
该CSD87331Q3D NexFET功率块是
针对同步降压应用而优化设计
提供大电流，高效率，和高
在小3.3毫米频率能力
×
3.3-mm
轮廓。优化5V栅极驱动应用中，这
产品提供了能够提供一个灵活的解决方案
当任何5V配对的高密度电源
从外部控制器/驱动器的栅极驱动。
TEXT增加了间距
顶视图
V
IN
V
IN
T
G
T
GR
1
8
V
SW
V
SW
V
SW
B
G
P0116-01
2
2
P
GND
（引脚9 ）
3
7
6
4
5
应用
同步降压转换器
–
高频率的应用
–
高电流，低占空比应用
多相同步降压转换器
POL DC- DC转换器
IMVP ， VRM和VRD应用
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD87331Q3D
包
儿子
3.3-mm
×
3.3-mm
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
典型电路
96
88
80
72
64
56
48
V
GS
= 5V
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.3V
L
OUT
= 1.0H
f
SW
= 500kHz的
T
A
= 25C
典型电源模块效率
和功率损耗
6
5
3
2
1
0
0
5
10
输出电流（A ）
15
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权
2011-2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
功率损耗（ W）
效率（％）
4
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经修订的2012年1月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
(1)
参数
V
IN
以P
GND
V
SW
以P
GND
电压范围
V
SW
以P
GND
(10ns)
T
G
给T
GR
B
G
以P
GND
脉冲电流额定值，我
DM
功耗，P
D
雪崩能量E
AS
同步FET ，我
D
= 42A， L = 0.1mH
控制用FET ，我
D
= 24A ，L = 0.1mH
–55
-8
-8
条件
价值
民
最大
30
30
32
10
10
45
6
88
29
150
V
V
V
V
V
A
W
mJ
°C
单位
工作结温和存储温度范围，T
J
, T
英镑
(1)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
T
A
= 25° （除非另有说明）
参数
栅极驱动电压，V
GS
输入电源电压，V
IN
开关频率f
SW
工作电流
工作温度，T
J
C
BST
= 0.1μF （最小值）
条件
民
4.5
最大
8
27
1500
15
125
单位
V
V
千赫
A
°C
电源模块性能
(1)
T
A
= 25° （除非另有说明）
参数
功率损耗，P
损失（1）
V
IN
静态电流，I
QVIN
(1)
条件
V
IN
= 12V, V
GS
= 5V, V
OUT
= 1.3V,
I
OUT
= 10A ，女
SW
= 500kHz的，
L
OUT
= 1μH ，T
J
= 25C
T
G
给T
GR
= 0V B
G
以P
GND
= 0V
民
典型值
1.3
10
最大
单位
W
A
测量六10 μF （ TDK C3216X5R1C106KT或同等学历）陶瓷电容器制成横放在V
IN
以P
GND
销和
使用高电流的5V驱动IC。
热信息
T
A
= 25 ° C（除非另有说明）
热公制
R
θJA
R
θJC
(1)
(2)
2
结到环境的热阻（闵醋）
(1)
结到环境的热阻（最大铜）
(1) (2)
民
典型值
最大
149
80
36
3.1
单位
结到外壳热阻（上包）
(1)
结到外壳热阻（P
GND
针）
(1)
° C / W
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司上一个1.5英寸（ 0.071毫米厚）的Cu垫
×
1.5-inch
(3.81-cm
×
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4板。
θJC
由设计规定，同时
θJA
由用户的董事会决定
设计。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
）铜。
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典型电源模块的器件特性
测试条件： V
IN
= 12V, V
DD
= 5V ，女
SW
= 500kHz的，V
OUT
= 1.3V ，L
OUT
= 1μH ，我
OUT
= 15A ，T
J
= 125 ℃，除非另有说明
否则。
4
3.5
3
功率损耗（ W）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
3
5
7
9
输出电流（A ）
11
13
15
功率损耗，归
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
50
25
0
25
50
75
100
结温（ OC ）
125
150
图1.功率损耗与输出电流
20
20
图2.功耗与温度
15
输出电流（A ）
输出电流（A ）
400LFM
200LFM
100LFM
纳特CONV
0
10
20
30
40
50
60
环境温度（ ℃）
70
80
90
15
10
10
5
5
400LFM
200LFM
100LFM
纳特CONV
0
10
20
30
40
50
60
环境温度（ ℃）
70
80
90
0
0
图3.安全工作区
–
PCB垂直安装
(1)
20
图4.安全工作区
–
PCB水平安装
(1)
15
输出电流（A ）
10
5
0
0
20
40
60
80
100
电路板温度（ ℃）
120
140
图5.典型的安全工作区
(1)
(1)
典型的电源模块系统特性曲线的基础上做出的PCB设计与测量
4.0 “ （宽）的尺寸
×
3.5” (L)
×
0.062 “ （H）和6铜的1盎司层。铜的厚度。请参见应用部分
对于详细的解释。
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典型电源模块器件特性（续）
测试条件： V
IN
= 12V, V
DD
= 5V ，女
SW
= 500kHz的，V
OUT
= 1.3V ，L
OUT
= 1μH ，我
OUT
= 15A ，T
J
= 125 ℃，除非另有说明
否则。
TEXT增加了间距
1.6
1.5
17.2
14.3
1.6
1.5
TEXT增加了间距
17.1
14.3
SOA温度调（ C ）
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
200
350
500
8.6
5.7
2.9
0.0
2.9
5.7
8.6
11.4
650 800 950 1100 1250 1400 1550
开关频率（kHz ）
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
3
5
7
9
11
13
15
输入电压（ V）
17
19
21
23
8.6
5.7
2.9
0.0
2.9
5.7
8.6
11.4
图6.归一化功率损耗与开关频率的
TEXT增加了间距
1.8
1.7
22.5
19.7
1.6
1.5
图7.归一化功率损耗与输入电压
TEXT增加了间距
16.9
14.1
SOA温度调（ C ）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
输出电压（V）
4
4.5
5
14.1
11.2
8.4
5.6
2.8
0
2.8
5.6
5.5
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
输出电感（ μH ）
0.9
1
8.4
5.6
2.8
0
2.8
5.6
8.4
11.2
1.1
图8.归一化功率损耗与输出电压
图9.归一化功率损耗与输出电感
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SOA温度调（ C ）
功率损耗，归
功率损耗，归
1.6
16.9
1.4
11.2
SOA温度调（ C ）
功率损耗，归
功率损耗，归
1.4
11.4
1.4
11.4
5
QQ：2880707522 复制
