透射式光敏（组图lnterrupters ）
CNZ1120
(ON1120)
照片lnterrupter
对于接触SW ，目标检测
■
概观
CNZ1120是一个光电耦合器，其中一个高效率的GaAs
红外发光二极管作为发光元件，
和一个高灵敏度光电晶体管用作光检测
元素。这两个元件被布置为彼此面对，
并在它们之间传递对象被检测到。
19.0
±0.35
10.0
±0.3
A
(2.0)
6.2
±0.25
单位：mm
14.0
±0.2
3.0
±0.2
■
特点
2-C0.5
发射和检测元件之间的间隙宽，适合
厚板检测
间隙为10mm
响应速度快：吨
r
, t
f
=
6
s
（典型值）。
所述外部壳体是用可见光截止树脂成型体。的情况下
没有开口，所以光传感器是不容易容易
输出衰减从灰尘或颗粒得到的
A'
3.0分钟。
(15.5)
2-0.45
(2.54)
美国证券交易委员会。 A-A'
2
3
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
输入（淡
反向电压
功耗
*1
符号
V
R
I
F
P
D
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
等级
3
50
75
20
5
20
100
5
to
+60
15
to
+65
单位
V
mA
mW
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：阳极
2 ：阴极
3 ：收藏家
1
4
4 ：发射器
PISTR104-014套餐
（注） （ ）尺寸为参考
发光二极管）正向电流
输出（照片集电极 - 发射极电压
晶体管）
（基地开）
发射极 - 集电极电压
（基地开）
集电极电流
集电极耗散功率
*2
温度
工作环境温度
储存温度
注）* 1 ：输入功率降额的比例为1.88毫瓦/ ℃，
T
a
≥
25°C.
* 2 ：输出功率降额比为2.50毫瓦/°C的
在T
a
≥
25°C.
■
电气，光学特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
输入
正向电压
特性反向电流
产量
集电极 - 发射极截止电流
特点（基本开）
集电极 - 发射极电容
转让
集电极电流
上升时间
*
下降时间
*
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
C
C
I
C
t
r
t
f
I
F
=
50毫安
V
R
=
3 V
条件
民
典型值
1.2
最大
1.5
10
200
单位
V
A
nA
pF
mA
V
CE
=
10 V，I
F
=
0毫安，我
D
=
0毫安
V
CE
=
10 V，F
=
1兆赫
V
CE
=
10 V，I
F
=
20毫安，R
L
=
100
I
F
=
50毫安，我
C
=
0.1毫安
V
CC
=
10 V，I
C
=
1毫安，R
L
=
100
6
6
1.0
5
特征集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
0.4
V
s
s
注） 1。输入和输出由电实施。
2.此设备的设计被忽视的辐射。
3. *：开关时间测量电路
SIG 。在
V
CC
（输入脉冲）
（输出脉冲）
t
r
t
f
90%
10%
t
r
：上升时间
t
f
：下降时间
SIG 。出
50
R
L
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年4月
SHG00032BED
1
安全事项
■
本产品含有砷化镓（GaAs ） 。
危险
砷化镓粉末和蒸气会危害人体健康，如果吸入或
摄入。不燃烧，破坏，剪，切割掉，或化学解散
解决该产品。按照相关法令进行处理。
本品应排除的形式一般工业废弃物或
生活垃圾。
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
透射式光敏（光遮断器）
CNZ1120
光遮断器
对于接触SW ，目标检测
概观
CNZ1120是一个光电耦合器，其中一个高效率的GaAs
红外发光二极管作为发光元件，
和一个高灵敏度光电晶体管用作光检测
元素。这两个元件被布置为彼此面对，
并在它们之间传递对象被检测到。
19.0±0.35
10.0±0.3
A
14.0±0.2
3.0±0.2
(2.0)
单位：mm
6.2±0.25
2-C0.5
特点
发射和检测元件之间的间隙宽，适合
厚板检测
差距：10毫米
响应速度快：吨
r
, t
f
= 6
s
（典型值）。
所述外部壳体是用可见光截止树脂成型体。该
情况下不具有开口部，所以光传感器是不容易敏感
到输出衰减从灰尘或颗粒得到的
3.0分钟。
A'
(15.5)
2-0.45
(2.54)
美国证券交易委员会。 A-A'
2
3
2
3
1
4
1
引脚连接
4
（注） （ ）尺寸为参考
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
反向电压（DC）的
输入（淡
正向工作电流（DC）的
发光二极管）
功耗
集电极电流
符号等级
V
R
I
F
P
D
*1
单位
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
*1
3
50
75
20
20
5
100
-5到+60
-15至+65
I
C
输出（照片集电极到发射极电压V
首席执行官
晶体管）
发射极到集电极电压V
ECO
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
P
C*2
T
OPR
T
英镑
输入功率降额比例
1.0毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
*2
输出功率降额比例
1.33毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
正向电压（ DC）的
输入
特征反向电流（DC）的
收藏家Cuto FF电流
产量
特征集电极到发射极电容
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
C
C
V
R
= 3V
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安，我
D
= 0毫安
*1
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
1.0
6
0.4
5
条件
I
F
= 50毫安
民
典型值
1.2
最大
1.5
10
200
单位
V
A
nA
pF
mA
s
V
集电极电流
I
C
V
CE
= 10V ，我
F
= 20mA下，R
L
= 100
转让
响应时间
t
r
, t
f*2
V
CC
= 10V ，我
C
= 1毫安，R
L
= 100
特征
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
F
= 50mA时我
C
= 0.1毫安
*1
*2
I
D
：漏电流引起的散射光
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
（输入脉冲）
Sig.OUT （输出脉冲）
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
：延迟时间
t
r
：上升时间（所需要的时间的集电极电流增加
从10％到90％的其最终值的）
t
f
：下降时间（所需的集电极电流的时间减少
从90％到其初始值的10％）
,,
,
,
50
R
L
1
透射式光敏（光遮断器）
CNZ1120
光遮断器
对于接触SW ，目标检测
概观
CNZ1120是一个光电耦合器，其中一个高效率的GaAs
红外发光二极管作为发光元件，
和一个高灵敏度光电晶体管用作光检测
元素。这两个元件被布置为彼此面对，
并在它们之间传递对象被检测到。
19.0±0.35
10.0±0.3
A
14.0±0.2
3.0±0.2
(2.0)
单位：mm
6.2±0.25
2-C0.5
特点
发射和检测元件之间的间隙宽，适合
厚板检测
差距：10毫米
响应速度快：吨
r
, t
f
= 6
s
（典型值）。
所述外部壳体是用可见光截止树脂成型体。该
情况下不具有开口部，所以光传感器是不容易敏感
到输出衰减从灰尘或颗粒得到的
3.0分钟。
A'
(15.5)
2-0.45
(2.54)
美国证券交易委员会。 A-A'
2
3
2
3
1
4
1
引脚连接
4
（注） （ ）尺寸为参考
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
反向电压（DC）的
输入（淡
正向工作电流（DC）的
发光二极管）
功耗
集电极电流
符号等级
V
R
I
F
P
D
*1
单位
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
*1
3
50
75
20
20
5
100
-5到+60
-15至+65
I
C
输出（照片集电极到发射极电压V
首席执行官
晶体管）
发射极到集电极电压V
ECO
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
P
C*2
T
OPR
T
英镑
输入功率降额比例
1.0毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
*2
输出功率降额比例
1.33毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
正向电压（ DC）的
输入
特征反向电流（DC）的
收藏家Cuto FF电流
产量
特征集电极到发射极电容
符号
V
F
I
R
I
首席执行官
C
C
V
R
= 3V
V
CE
= 10V ，我
F
= 0毫安，我
D
= 0毫安
*1
V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
1.0
6
0.4
5
条件
I
F
= 50毫安
民
典型值
1.2
最大
1.5
10
200
单位
V
A
nA
pF
mA
s
V
集电极电流
I
C
V
CE
= 10V ，我
F
= 20mA下，R
L
= 100
转让
响应时间
t
r
, t
f*2
V
CC
= 10V ，我
C
= 1毫安，R
L
= 100
特征
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
F
= 50mA时我
C
= 0.1毫安
*1
*2
I
D
：漏电流引起的散射光
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
（输入脉冲）
Sig.OUT （输出脉冲）
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
：延迟时间
t
r
：上升时间（所需要的时间的集电极电流增加
从10％到90％的其最终值的）
t
f
：下降时间（所需的集电极电流的时间减少
从90％到其初始值的10％）
,,
,
,
50
R
L
1
QQ：2880707522 复制
