CSD75211W1723
www.ti.com
SLPS250A
–
2010年5月
–
经修订的2011年8月
双P通道NexFET功率MOSFET
检查样品：
CSD75211W1723
1
特点
双P沟道MOSFET的
常见源配置
小尺寸1.7毫米
×
2.3 mm
超低Q
g
和Q
gd
无铅
符合RoHS
无卤
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
漏源极电压
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
-20
4.5
0.9
V
GS
= -1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
阈值电压
-0.7
50
39
32
V
nC
nC
m
m
m
V
应用
电池管理
电池保护
DC- DC转换器
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD75211W1723
包
1.7-mm
×
2.3-mm
晶圆级
包
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在超低热特性
个人资料。低导通电阻和栅极电荷藕合
与小尺寸和低姿态让
器件非常适用于电池供电的空间有限
在负荷管理，以及直流 - 直流应用
转换器应用
顶视图
G1
D1
D1
D1
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
(1) (2)(3)
漏电流脉冲
(1) (2)(3)
Continupus门钳形电流
(4)
门脉冲钳位电流
(4)
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
价值
-20
±8
-4.5
单位
V
V
A
-6
1.5
–55
150
A
W
°C
（1）可通过最大电源电流被限制
（ 2 ）根据闵促足迹
（ 3 ）每MOSFET
（ 4 ）总的设备
P0114-01
S
S
S
S
G2
D2
D2
D2
R
DS （ ON）
VS V
GS
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
8
G006
R
D1D2(on)
VS V
GS
R
D1D2(on)
- 漏极 - 漏极导通状态电阻 - mΩ的
140
I
D
=
2A
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
8
G013
R
DS （ ON）
- 漏源导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= -2A
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2010-2011年，德州仪器
CSD75211W1723
SLPS250A
–
2010年5月
–
经修订的2011年8月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V
V
DS
= 0V, V
GS
=
±8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -1.8V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -1.8V ，我
DS
= -2A
R
DD （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
排水地漏导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
Seried栅极电阻
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
D
= -2A ，V
GS
= 0V
V
DD
= -17V ，我
F
= -2A,
的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V,
I
D
= -2A ，R
G
= 2
V
DS
= -17V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= -2A
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
动态特性
V
GS
= 0V,
V
DS
= -10V,
F = 1MHz的
460
220
73
1.6
4.5
0.9
0.9
0.4
4.9
3.7
4.1
9.1
1.6
0.7
11
19
1
600
290
95
3.2
5.9
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
-0.4
-0.7
50
39
32
80
61
46
6.4
-20
-1
±100
-1.1
70
50
40
110
75
55
V
μA
nA
V
m
m
m
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
R
θJA
(1)
(2)
(3)
热阻结到环境（最小面积铜）
热阻结到环境（ 1
2
铜区）
(1) (2)
(2) (3)
民
典型值
最大
160
69
单位
° C / W
° C / W
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
测量偏置在平行状态这两个设备。
设备安装在FR4材料1
2
的2盎司铜。
2
版权
2010-2011年，德州仪器
CSD75211W1723
www.ti.com
SLPS250 - 2010年5月
双P通道NexFET功率MOSFET
检查样品：
CSD75211W1723
1
特点
双P沟道MOSFET的
常见源配置
小尺寸1.7毫米× 2.3毫米
超低Q
g
和Q
gd
无铅
符合RoHS
无卤
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
漏源极电压
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
-20
4.5
0.9
V
GS
= -1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
阈值电压
-0.7
50
39
32
V
nC
nC
m
m
m
V
应用
电池管理
电池保护
DC- DC转换器
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD75211W1723
包
1.7-mm × 2.3-mm
晶圆级
包
媒体
7-Inch
REEL
数量
3000
船
磁带和
REEL
描述
该设备被设计成提供最低
导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓
可以用在超低热特性
个人资料。低导通电阻和栅极电荷藕合
与小尺寸和低姿态让
器件非常适用于电池供电的空间有限
在负荷管理，以及直流 - 直流应用
转换器应用
顶视图
G1
D1
D1
D1
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
(1) (2)(3)
价值
-20
+8
-4.5
单位
V
V
A
漏电流脉冲
(1) (2)(3)
Continupus门钳形电流
(4)
门脉冲钳位电流
(4)
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
-6
1.5
-55到150
A
W
°C
S
S
S
S
（1）可通过最大电源电流被限制
（ 2 ）根据闵促足迹
（ 3 ）每MOSFET
（ 4 ）总的设备
P0114-01
G2
D2
D2
D2
R
DS （ ON）
VS V
GS
R
DS （ ON）
- 漏源导通状态电阻 - mΩ的
80
70
60
T
C
= 125°C
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G006
R
D1D2(on)
VS V
GS
R
D1D2(on)
- 漏极 - 漏极导通状态电阻 - mΩ的
140
I
D
= -2A
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
9
10
G013
I
D
= -2A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
CSD75211W1723
SLPS250 - 2010年5月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 0V时，我
D
= -250mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250mA
V
GS
= -1.8V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -1.8V ，我
DS
= -2A
R
DD （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
排水地漏导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
Seried栅极电阻
栅极电荷总数（ -4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
D
= -2A ，V
GS
= 0V
V
DD
= -17V ，我
F
= -2A,
的di / dt = 300A / MS
V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V,
I
D
= -2A ，R
G
= 2
V
DS
= -17V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
= -2A
V
GS
= -4.5V ，我
DS
= -2A
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
动态特性
V
GS
= 0V,
V
DS
= -10V,
F = 1MHz的
460
220
73
1.6
4.5
0.9
0.9
0.4
4.9
3.7
4.1
9.1
1.6
0.7
11
19
1
600
290
95
3.2
5.9
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
-0.4
-0.7
50
39
32
80
61
46
6.4
-20
-1
±100
-1.1
70
50
40
110
75
55
V
mA
nA
V
m
m
m
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
qJA
R
qJA
(1)
(2)
(3)
热阻结到环境（最小面积铜）
热阻结到环境（ 1铜区）
2
(1) (2)
(2) (3)
民
典型值
最大
160
69
单位
° C / W
° C / W
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
测量偏置在平行状态这两个设备。
设备安装在FR4材料1
2
的2盎司铜。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD75211W1723
2010 ，德州仪器
QQ：2881677436 复制
