CSD43301Q5M
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SLPS380A - 2012年12月 - 修订2012年12月
的NexFET 智能同步整流器
1
特点
典型
on
0.55毫欧，在4.5 V
DD
集成FET驱动器
最大额定电流80A
高密度 - SON 5毫米×6毫米的尺寸的
超低电感套餐
系统优化PCB足迹
TTL信号兼容
无卤
符合RoHS - 无铅端子电镀
无卤
描述
该CSD43301Q5M的NexFET 智能同步
整流器是二次一种高度优化的设计
同步整流的高功率高密度
DC / DC变换器。该产品集成了驱动器
集成电路和超低R
on
功率MOSFET来完成
同步整流功能。此外，该
PCB尺寸进行了优化，以帮助减少
设计时间，简化了完成整体的
系统设计。
订购信息
设备
CSD43301Q5M
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
2
应用
.
.
次级同步整流
DC / DC转换器
间隔
图1.应用框图
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
价值
民
漏P
GND
漏P
GND
(10ns)
V
DD
以P
GND
IN， SD为P
GND
ESD额定值
(2)
最大
12
14
8
V
DD
+ 0.3
2000
500
12
单位
V
V
V
V
V
V
W
°C
°C
-0.3
-7
–0.3
–0.3
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
-40
–65
功耗（P
D
)
工作温度范围（T
J
)
存储温度范围， （T
英镑
)
(1)
(2)
150
150
上面讲的那些"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只
而根据"Recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
Conditions"是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
不得超过8V
推荐工作条件
T
A
= 25° （除非另有说明）
参数
偏置电压（ V
DD
)
输入电源电压（V
IN
)
连续输出电流（I
OUT
)
峰值输出电流， （我
OUT- PK
)
开关频率（F
SW
)
最小脉冲宽度
工作温度
(1)
峰值输出电流施加在t
p
= 50s.
48
–40
125
(1)
条件
民
4.5
最大
6
9.6
80
120
1500
单位
V
V
A
A
千赫
ns
°C
热信息
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJB
(1)
热阻，结至外壳（顶部包）
热阻，结对板
(1)
民
典型值
最大
20
2
单位
° C / W
° C / W
R
θJB
值的基础上内包装为1mm最热的电路板温度。
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电气特性
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5V （除非另有说明）
参数
器件导通电阻
R
on
V
DD
待机电源电流（I
DD
)
工作电源电流（I
DD
)
SD = V
DD
= 5V
SD = 0V ，
IN =占空比为50％ ，女
SW
= 300kHz的
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ℃至140 ℃的
3.9
3.7
3.45
200
2.0
0.8
0.8
32
V
DD
= 5V ， SD = 0，I
D
= 25A （见
图4）
80
36
2.0
0.8
0.8
V
DD
= 5V ， V IN =
DD
, I
D
= 25A （见
图5）
80
32
10
54
0.75
161
72
0.85
13
48
153
29.5
300
A
mA
I
D
= 50A ， ，T
J
= 25°C
I
D
= 50A ，T
J
= 125°C
0.55
0.70
0.70
0.88
mΩ
mΩ
条件
民
典型值
最大
单位
上电复位和欠压锁定
上电复位（V
DD
RISING ）
UVLO （V
DD
FALLING ）
迟滞
IN
逻辑高电平（V
INH
)
在逻辑低电平（V
INL
)
IN输入迟滞
在排水传输延迟（T
PDLH
)
在排水传输延迟（T
PDHL
)
最小脉冲宽度的变化输出
SD
SD逻辑高电平门限（V
IH
)
SD逻辑低电平阈值（V
IL
)
迟滞
SD排水传输延迟（T
PDLH
)
SD排水传输延迟（T
PDHL
)
动态特性
输出电容（C
O
)
输出电荷（Q
O
)
体二极管
正向电压（V
F
)
反向恢复电荷（Q
RR
)
反向恢复时间延迟（T
RR
)
I
D
= 40A
I
D
= 40A ，V
漏
= 6V ，的di / dt = 150A / μs的
V
nC
ns
V
漏
= 6V
nF
nC
V
V
V
ns
ns
V
V
V
ns
ns
ns
4.2
4.2
3.9
300
4.5
4.65
4.35
500
V
V
V
mV
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引脚配置
图2.引脚配置
引脚说明
针
号
1,2,4, 8,
10,11
3
5,6
7
9
12
13
名字
NC
V
DD
漏
P
GND
SD
IN
P
GND
描述
无连接。这些不应该被用于任何电气连接。这些引脚不应该被连接到每个
等。一次只能连接到死铜。
电源电压IC
排水内部MOSFET的终端
电源接地和内部MOSFET的源极。需要被连接到引脚13上的印刷电路板
关闭引脚：逻辑高电平禁用设备
输入栅极驱动器
电源接地和内部MOSFET的源极。需要连接到引脚7 PCB
图3.功能框图
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典型器件特性
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
图4.开关波形
TEXT增加了间距
18
归一化通态电阻
合作 - 输出电容（ NF）
15
12
9
6
3
0
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
50
图5. SD开关波形
TEXT增加了间距
0
2
4
6
8
漏极电压（ V）
10
12
G000
25
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
175
G000
图6.输出电容
图7.归在阻抗R
on
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