CFY25
HiRel它
X波段的GaAs低噪声/通用MESFET
HiRel它
离散和微波
半导体
对于专业的售前和驱动放大器
对于500 MHz至20 GHz的频率
密封微波包装
低噪声系数，增益高，威力适中
空间资质预期1998
ESA / SCC详细规格。编号： 5613/008 ，
VARIANT类型号对应01 05
4
3
1
2
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理注意事项！
TYPE
记号
订购代码引脚配置
1
2
S
3
D
4
S
包
CFY25 -P （ QL ）
CFY25-23 （ QL ）
CFY25-23P （ QL ）
CFY25-20 （ QL ）
CFY25-20P （ QL ）
-
见下文
G
微-X
CFY25 - NNL ：指定噪声，增益和输出功率电平（见电气特性）
（ QL ）质量等级：
P：专业品质，
H：高相对质量，
S：空间品质，
ES ： ESA空间品质，
订购代码：
订购代码：
订购代码：
订购代码：
Q62703F120
根据要求
根据要求
Q62703F119
（见订货举例为了说明）
半导体集团
1第8
吃水d ，九月0000
CFY25
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅极 - 源极电压（向后/向前）
漏电流
门正向电流
RF输入功率， C和X波段
1)
结温
存储温度范围
总功耗
2)
焊接温度
3)
热阻
结焊接点
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
RF ，在
T
J
T
英镑
P
合计
T
SOL
值
5
7
- 5... + 0.5
80
1.5
+ 17
175
- 65... + 175
250
230
单位
V
V
V
mA
mA
DBM
°C
°C
mW
°C
R
日JS
≤
410
K / W
注意事项：
1）当V
DS
≤
3 V.对于V
DS
> 3 V ，降额要求。
2 ）在T
S
= + 72.5 ℃。对于T
S
> + 72.5 ℃，降额要求。
3）在15秒。最大。在同一终端不得resoldered直到凌晨3分钟内，
已过。
半导体集团
2第8
吃水d ，九月0000
CFY25
电气特性
（续）
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
噪声系数
1)
V
DS
= 3 V，I
D
= 15 mA时， F = 12 GHz的
CFY25-P
CFY25-20 ， -20P
CFY25-23 ， -23P
相关增益。
1)
V
DS
= 3 V，I
D
= 15 mA时， F = 12 GHz的
CFY25-P
CFY25-20 ， -20P
CFY25-23 ， -23P
1 dB增益压缩输出功率
2)
P
1dB
V
DS
= 3 V，I
D（ RF关闭）
= 20 mA时， F = 12 GHz的
CFY25-20 ， -23
CFY25-20P ， 23P ， -P
线性功率增益
2)
V
DS
= 3 V，I
D
= 20 mA时， F = 12千兆赫，
P
in
= 0 dBm的
CFY25-20
CFY25-23
CFY25-20P ， -P
CFY25-23P
注意事项：
1 ）噪声系数/ sssociated增益特性给出了最小噪声系数匹配
条件（固定的通用匹配，无微调） 。
2 ）输出功率/线性功率增益特性给出了最佳的输出功率匹配
条件（固定的通用匹配，无微调） 。
-
-
8.5
8.0
9.2
8.5
9.2
8.5
-
-
-
-
G
lp
-
14
15
15
-
-
dB
-
8.5
8.0
> 8.5
9
8.7
-
-
-
DBM
G
a
-
-
-
< 2.3
1.9
2.2
-
2.1
2.4
dB
NF
dB
半导体集团
4 8
吃水d ，九月0000
CFY25
典型的公共源S参数CFY25-20
f
| S11 | <S11
[千兆赫] [ MAGN [角
]
]
0,5
0,958
-22
1,0
0,931
-28
1,5
0,901
-36
2,0
0,875
-45
2,5
0,858
-56
3,0
0,838
-67
3,5
0,815
-78
4,0
0,794
-88
4,5
0,776
-98
5,0
0,760 -108
5,5
0,746 -117
6,0
0,732 -126
6,5
0,718 -135
7,0
0,703 -143
7,5
0,689 -150
8,0
0,674 -158
8,5
0,661 -166
9,0
0,650 -174
9,5
0,640
178
10,0 0,629
170
10,5 0,620
162
11,0 0,613
153
11,5 0,607
145
12,0 0,600
137
12,5 0,593
130
13,0 0,587
122
13,5 0,580
114
14,0 0,575
106
14,5 0,572
98
15,0 0,568
90
15,5 0,565
82
16,0 0,565
73
16,5 0,564
65
17,0 0,564
57
17,5 0,564
51
18,0 0,567
47
V
S
= 3 V，I
D
= 15毫安，Z
o
= 50 ?
| S21 | <S21 | S12 | <S12 | S22 | <S22 K-事实。
[ MAGN [角[ MAGN [角[ MAGN [角度[ MAGN ]
]
]
]
]
]
]
3,301
160 0,0170
71
0,683
-14
0,44
3,208
155 0,0287
64
0,673
-18
0,50
3,107
148 0,0398
59
0,660
-23
0,54
3,016
139 0,0502
53
0,648
-29
0,56
2,950
130 0,0602
47
0,635
-35
0,55
2,877
120 0,0691
42
0,621
-41
0,56
2,795
111 0,0767
36
0,603
-48
0,58
2,708
102 0,0834
31
0,590
-54
0,61
2,621
93
0,0893
25
0,573
-60
0,64
2,537
84
0,0939
20
0,562
-67
0,66
2,451
76
0,0975
15
0,549
-73
0,69
2,365
68
0,1000
10
0,539
-80
0,72
2,281
60
0,1017
5
0,529
-86
0,77
2,202
52
0,1035
1
0,521
-91
0,81
2,133
45
0,1049
-3
0,511
-96
0,87
2,072
38
0,1056
-6
0,504 -101
0,92
2,020
30
0,1063 -10
0,495 -106
0,97
1,976
23
0,1068 -13
0,484 -111
1,02
1,933
16
0,1076 -16
0,474 -116
1,06
1,896
9
0,1080 -20
0,463 -121
1,11
1,859
2
0,1084 -23
0,452 -127
1,16
1,826
-5
0,1090 -26
0,443 -133
1,19
1,797
-13 0,1097 -29
0,436 -140
1,22
1,767
-20 0,1105 -33
0,431 -147
1,24
1,738
-27 0,1114 -36
0,426 -153
1,27
1,708
-34 0,1125 -40
0,421 -159
1,30
1,678
-41 0,1138 -43
0,419 -166
1,32
1,651
-49 0,1149 -47
0,417 -172
1,34
1,627
-56 0,1161 -51
0,413 -178
1,36
1,607
-63 0,1180 -55
0,410
176
1,37
1,589
-70 0,1198 -59
0,408
170
1,37
1,570
-78 0,1219 -64
0,404
164
1,37
1,552
-86 0,1242 -69
0,402
157
1,36
1,548
-92 0,1266 -74
0,398
152
1,35
1,554
-98 0,1292 -78
0,396
147
1,32
1,562 -102 0,1319 -81
0,394
143
1,28
S
21
/ S
12
MAG
[分贝]
[分贝]
22,9
20,5
18,9
17,8
16,9
16,2
15,6
15,1
14,7
14,3
14,0
13,7
13,5
13,3
13,1
12,9
12,8
12,7
12,5
12,4
12,3
12,2
12,1
12,0
11,9
11,8
11,7
11,6
11,5
11,3
11,2
11,1
11,0
10,9
10,8
10,7
11,7
11,0
10,4
9,9
9,6
9,3
9,1
8,8
8,5
8,3
8,1
7,9
7,7
7,6
7,5
7,4
7,4
7,4
7,6
半导体集团
5 8
吃水d ，九月0000
QQ：2880707522 复制
