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CSD18563Q5A
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SLPS444 - 2013年7月
60 -V N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD18563Q5A
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
逻辑电平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
60
15.0
2.9
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
2.0
8.6
5.7
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD18563Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
DC- DC转换器
次级侧同步整流器
电机控制
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流，T
A
= 25°C
(1)
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 54A， L = 0.1mH ，R
G
= 25
(2)
价值
60
±20
100
91
15
96
3.2
-55到150
146
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
A
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
A
W
°C
mJ
S
2
7
D
S
3
D
6
D
G
4
5
D
P0093-01
（ 1 ）典型
θJA
= 40 ℃/上1英寸W
2
， 2盎司在0.06- Cu焊盘
英寸厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
24
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
21
18
15
12
9
6
3
0
0
2
4
R
DS （ ON）
VS V
GS
T
C
= 25 ° C，I
D
= 18A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 18A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
I
D
= 18A
V
DS
= 30V
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
14
16
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD18563Q5A
SLPS444 - 2013年7月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 18A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
F
= 18A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V ，我
DS
= 18A ，R
G
= 0
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
D
= 18A
V
GS
= 0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 18A
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
V
DS
= 30V ，我
D
= 18A
1.7
2.0
8.6
5.7
60
1150
280
3.9
1.5
7.3
15
2.9
3.3
2.3
36
3.2
6.3
11.4
1.7
0.8
63
49
1
1500
364
5.1
3.0
9.5
20
60
1
100
2.4
10.8
6.8
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(1) (2)
民
典型值
最大
1.3
50
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
R
θJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
θJC
由设计规定，而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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CSD18563Q5A
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SLPS444 - 2013年7月
门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
θJA
= 50℃ / W的
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
） 2-
盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
θJA
= 125°C / W
安装在一个时
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
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CSD18563Q5A
SLPS444 - 2013年7月
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
200
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
V
GS
=10V
V
GS
=6V
V
GS
=4.5V
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
G001
TEXT增加了间距
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
5
6
G001
V
DS
= 5V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
14
16
G001
图3.传输特性
TEXT增加了间距
20000
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
I
D
= 18A
V
DS
= 30V
1000
100
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
60
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.6
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
24
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= 250uA
21
18
15
12
9
6
3
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
T
C
= 25 ° C，I
D
= 18A
T
C
≤ 125 ° C，I
D
= 18A
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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SLPS444 - 2013年7月
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
I
D
=18A
0.3
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
TEXT增加了间距
100
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
归一化通态电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
5000
1000
100
10
1
0.1
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
T
C
= 25C
T
C
= 125C
单脉冲
典型
ThetaJA
= 100 ° C / W
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
G001
0.01
0.01
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
100
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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CTA51AS3018VDC1.6S
CY7C1382CV25-167BGC
CY7C263-35DC
CH1720
CXA1797
CD4086BPW
C0603C104J3RAC
C08DE150HP
CCL75DK2-ADAL
CAT1025LI-28
CY7C1383C-133AC
CD40011BMJ
CD30FD222JO3F
CS19233
C67078-S1454-A2
C1210C474M1RAC
CY3732VP400-143YXC
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