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CSD18534KCS
www.ti.com
SLPS383 - 2012年9月
60 -V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD18534KCS
1
特点
超低的Qg和Qgd特性
低热阻
额定雪崩
逻辑电平
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
TO- 220塑料包装
产品概述
T
A
= 25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
60
19
3.1
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.9
10.2
7.6
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD18534KCS
包
TO- 220塑料
包
媒体
管
数量
50
船
管
应用
DC- DC转换器
次级侧同步整流器
电机控制
绝对最大额定值
T
A
= 25°C
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流（包装有限公司） ，
T
C
= 25°C
I
D
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 25°C
连续漏电流（硅有限公司） ，
T
C
= 100°C
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏电流脉冲
(1)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 38A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
价值
60
±20
100
71
45
108
98
-55到150
72
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
（1）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
32
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
28
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
R
DS （ ON）
VS V
GS
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
C
= 25 ℃， n = 40A
T
C
= 125℃ n = 40A
栅极电荷
10
I
D
= 40A
V
DS
= 30V
8
6
4
2
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
16
18
20
G001
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD18534KCS
SLPS383 - 2012年9月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷总数（ 10V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 40A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
F
= 40A,
的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V,
I
DS
= 40A ，R
G
= 0
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V ，我
D
= 40A
V
GS
= 0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 40A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
V
DS
= 30V ，我
D
= 40A
1.5
1.9
10.2
7.6
100
1500
164
5.0
1.5
9.3
19
3.1
4.8
3.3
18
4.2
4.8
10.4
2.4
0.8
68
49
1
1880
205
6.5
3.0
12
24
60
1
100
2.3
13.3
9.5
V
μA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
民
典型值
最大
1.3
62
单位
° C / W
° C / W
2
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版权所有2012，德州仪器
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SLPS383 - 2012年9月
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
100
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
60
V
DS
= 5V
TEXT增加了间距
80
40
60
40
20
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
0
0
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
G001
20
V
GS
=10V
V
GS
=6.5V
V
GS
=4.5V
0
0.5
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
1.5
G001
0
图2.饱和特性
图3.传输特性
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3
CSD18534KCS
SLPS383 - 2012年9月
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 40A
V
DS
= 30V
- 电容（pF ）
8
10000
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
1000
TEXT增加了间距
6
4
100
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
16
18
20
G001
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
60
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.6
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
32
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= 250uA
28
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
18
20
G001
T
C
= 25 ℃， n = 40A
T
C
= 125℃ n = 40A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
2.4
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
100
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
I
D
=40A
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
5000
1000
100
10
1
0.1
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
TEXT增加了间距
单脉冲
典型
ThetaJA
=52C/W
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
G001
T
C
= 25C
T
C
= 125C
10
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
0.01
0.01
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
100
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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CSD18534KCS
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CAT5119SDI-10-GT3
CSR91B563MR
CS5212ED14
CD1206-S01575
CXA1507-0000-000N00G235F
CY62147EV30LL-45B2XA
CAT24C04WI
CML3C3WT7R
CAT1023PE-28TE13
CTDO3316P-472
C5750X7R0J105KB
C124G102D5CH5CP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSD18534KCS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市力拓辉电子有限公司
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电话：0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人：李
地址：福田区中航路都会B座26楼26U室
CSD18534KCS
TI
2021+
3971
NA
主营TI，ST,欢迎来电洽谈
深圳市金嘉锐电子有限公司
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
CSD18534KCS
TI
2025+
26820
TO-220-3
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市合一方科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：960030175 复制

电话：13480301972
联系人：陈先生
地址：福田区中航路华强北街道国利大厦2030
CSD18534KCS
TI/德州仪器
23+
23000
TO-220
全新原装现货 优势库存
深圳市品惠科技有限公司
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电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
CSD18534KCS
TI
20+
22500
原厂原封
TI原装现货假一赔十★品惠特价热卖
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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TI
23+
18310
TO-220
全新原装正品现货
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
CSD18534KCS
TI
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电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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TI
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12000
TO-220 (KCS)
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电话：171-4755-1968（微信同号）
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联系人：陈泽强
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23000
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