CSD17501Q5A
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SLPS303 - 2010年12月
30V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17501Q5A
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
典型的价值
30
13.2
3.5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.3
3
2.4
单位
V
nC
nC
m
m
V
2
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD17501Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
I
D
S
1
8
D
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
价值
30
20 / –12
100
28
187
3.2
-55到150
405
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
(2)
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 90A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
E
AS
G
4
5
D
P0093-01
（ 1 ）典型
qJA
= 39 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
栅极电荷
12
I
D
= 25A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
I
D
= 25A
V
DD
= 15V
TEXT增加了间距
TEXT增加了间距
R
DS （ ON）
VS V
GS
10
R
DS
(
on
)
- 导通状态电阻 - mΩ的
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
T
C
= 25°C
T
C
= 125C
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
1
Q
g
- 栅极电荷 - 数控（ NC ）
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13.7V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 25A ，R
G
= 2
V
DS
= 13.7V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 25A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
DS
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= 20/-12V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250毫安
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 25A
V
GS
= 10V ，我
DS
= 25A
V
DS
= 15V ，我
DS
= 25A
1
1.3
3
2.4
110
2040
1350
66
1.3
13.2
3.5
5.4
2.9
35
10.4
17
18
7.9
0.8
46
32
1
2630
1700
85
2.6
17
30
1
100
1.8
3.7
2.9
V
mA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
民
典型值
最大
1
49
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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