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指数
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初步数据表PD - 5.036
CPU165MK
IGBT模块SIP
特点
短路额定 - 为10μs @ 125°C ,V
GE
= 15V
完全隔离的印刷电路板贴装封装
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化高工作频率(超过5kHz时)
Q1
D1
6,7
9
Q2
D2
短路额定IGBT超快
1,2
4
5
产品概述
输出电流在一个典型的20 kHz的电机驱动
10 A
RMS
以T
C
= 90℃ ,T
J
= 125°C ,电源电压360Vdc ,
功率因数0.8 ,调制深度80 % 。
11,12
描述
该IGBT技术的关键是国际整流器公司的先进的IMS线
(绝缘金属基板)电源模块。这些模块是更有效
比可比双极晶体管模块,而在同一时间具有
熟悉的功率MOSFET的简单栅极驱动要求。这间高级
技术已经被结合到本领域的材料系统的状态下
获得最大的功率通量低热阻。这个包是非常
适用于电力应用和空间非常宝贵。
这些新的短路额定器件尤其适合于电机控制和
其他图腾柱的应用程序需要的短路耐受能力。
IMS-1
单位
V
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
V
ISOL
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流,每个IGBT
连续集电极电流,每个IGBT
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
隔离电压,任何终端到外壳,1分钟。
最大功率耗散,每个IGBT
最大功率耗散,每个IGBT
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
33
17
100
100
15
100
10
± 20
2500
83
33
-40到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
在5-7磅 ( 0.55 - 0.8牛顿米)
A
s
V
V
RMS
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
(IGBT)
R
θ
JC
(二极管)
R
θ
CS
(模块)
Wt
结到外壳,每个IGBT ,将IGBT的导通
结到外壳,每个二极管,一个在二极管导通
案件到水槽,平面,脂表面
模块的重量
典型值。
0.1
20 (0.7)
马克斯。
1.5
2.0
单位
° C / W
克(盎司)
修订版2
C-961
TO ORDER
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指数
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CPU165MK
电气特性@ T = 25°C (除非另有说明)
J
V
( BR ) CES
V
( BR ) CES
/
T
J
V
CE (ON)的
参数
集电极 - 发射极击穿电压
温度。 COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
栅极阈值电压
温度。 COEFF 。阈值电压
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
600
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
— 0.60 —
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
2.1
2.7
I
C
= 30A
V
GE
= 15V
2.6
V
I
C
= 52A
2.3
I
C
= 30A ,T
J
= 150°C
3.0
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
-14
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
9.8
17
S
V
CE
= 100V ,我
C
= 30A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
— 6500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
1.3
1.7
V
I
C
= 25A
1.2
1.5
I
C
= 25A ,T
J
= 150°C
— ±500
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T = 25°C (除非另有说明)
J
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
( REC )M
/ DT
注意事项:
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
10
典型值。
120
27
44
74
100
260
190
1.9
2.6
4.5
77
100
530
360
7.3
2900
220
30
50
105
4.5
8.0
112
420
250
160
MAX 。单位
条件
200
I
C
= 30A
42
nC
V
CC
= 400V
73
T
J
= 25°C
ns
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
460
V
GE
= 15V ,R
G
= 5.0
290
能量损失包括"tail"和
二极管的反向恢复。
mJ
7.0
s
V
CC
= 360V ,T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ,R
G
= 5.0, V
CPK
< 500V
T
J
= 150°C,
ns
I
C
= 30A ,V
CC
= 480V
V
GE
= 15V ,R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"和
mJ
二极管的反向恢复。
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
= 1.0MHz的
75
ns
T
J
= 25°C
160
T
J
= 125°C
I
F
= 25A
10
A
T
J
= 25°C
15
T
J
= 125°C
V
R
= 200V
375
nC
T
J
= 25°C
1200
T
J
= 125°C
的di / dt = 200A / μs的
A / μs的牛逼
J
= 25°C
T
J
= 125°C
脉冲宽度5.0μs ,
单发射击。
重复评价; V
GE
= 20V,脉冲宽度
受到最大。结温。
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,
R
G
= 5.0.
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
请参阅D部分 - 第D - 13封装外形4
- IMS - 1封装( 10引脚)
C-962
TO ORDER
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