CSD17381F4
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SLPS411A - 2013年4月 - 修订2013年7月
30 -V ， N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD17381F4
1
特点
超低导通电阻
超低Q
g
和Q
gd
低阈值电压
超小型封装（ 0402规格）
- 1.0毫米× 0.6毫米
超低廓
- 0.35毫米高度
集成ESD保护二极管
- 额定>为4kV HBM
- 额定> 2kV的清洁发展机制
铅和卤素
符合RoHS
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
30
1040
133
V
GS
= 1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
阈值电压
0.85
160
110
90
V
m
V
pC
pC
2
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD17381F4
CSD17381F4R
数量
3,000
18,000
媒体
7-Inch
REEL
13-Inch
REEL
包
毫微微（ 0402 ） 1.0毫米X
0.6毫米SMD无铅减
船
磁带和
REEL
应用
优化负载开关应用
优化的通用开关
应用
单电池的应用
手持设备和移动应用
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
A
= 25°C
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
(1)
价值
30
12
3.1
10
500
4
2
-55到150
2.7
单位
V
V
A
A
mW
kV
kV
°C
mJ
描述
该FemtoFET MOSFET技术已
设计和优化，以尽量减少在足迹
许多手持设备和移动应用程序。这
技术能够取代标准的小
信号的MOSFET同时提供至少60％的
减少占用空间的大小。
导通电阻与栅极电压
160
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
12
G001
人体模型（ HBM ）
ESD
评级带电器件模型（ CDM）
T
J
,
T
英镑
E
AS
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲I
D
= 7.4A,
L = 0.1mH ，R
G
= 25
（ 1 ）典型
θJA
= 90 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤300μs,
占空比
≤2%
顶视图
T
C
= 25 ℃， n = 0.5A
T
C
= 125℃ n = 0.5A
D
G
S
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FemtoFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
V
GS
= 0V时，我
DS
= 250μA
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250μA
V
GS
= 1.8V ，我
DS
=0.5A
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 2.5V ，我
DS
=0.5A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
= 0.5A
V
GS
= 8V ，我
DS
=0.5A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 0.5A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
F
= 0.5A ，的di / dt = 300A / μs的
V
DS
= 0V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 0.5A ，R
G
= 2
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ，我
DS
= 0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V,
F = 1MHz的
V
DS
= 15V ，我
DS
= 0.5A
动态特性
150
44
2.2
23
1040
133
226
150
1110
3.4
1.4
10.8
3.6
0.73
1500
5.6
0.9
1350
195
57
2.9
pF
pF
pF
pC
pC
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
V
pC
ns
0.65
0.85
160
110
90
84
4.8
30
1
100
1.10
250
143
117
109
V
μA
nA
V
m
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到环境
(1)
热阻结到环境
(2)
典型值
90
250
单位
° C / W
° C / W
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
2
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典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
8
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
V
GS
=8V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
0.9
1
G001
TEXT增加了间距
5
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
V
DS
= 5V
4
3
2
1
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2
2.4
G001
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
图2.饱和特性
图3.传输特性
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1 1.2 1.4 1.6
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
1.8
2
2.2
G001
TEXT增加了间距
1000
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
100
I
D
= 0.5A
V
DS
=15V
- 电容（pF ）
10
1
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
27
30
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.2
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= 250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
12
G001
T
C
= 25 ℃， n = 0.5A
T
C
= 125℃ n = 0.5A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
10
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 8V
I
D
=0.5A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
100
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
10
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
10
1
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 250C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
0.1
0.001
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
5.0
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
50
典型
ThetaJA
= 90℃ / W （最大铜）
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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