添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第832页 > CSD17302Q5A
CSD17302Q5A
www.ti.com
SLPS216 - 2010年2月
30V , N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品:
CSD17302Q5A
1
特点
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
漏源极电压
栅极电荷总数( 4.5V )
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.2
30
5.4
1.2
9.5
7.3
6.4
V
nC
nC
m
m
m
V
2
应用
加载笔记本点
同步降压在负载点的
网络,电信和计算机系统
文本和BR增加了间距
订购信息
设备
CSD17302Q5A
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
磁带和
REEL
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失,
并优化了5V栅极驱动应用。
顶视图
S
1
8
D
文本和BR增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流,T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
价值
30
+10 / –8
87
16
104
3
-55到150
61
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲,T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 35A ,L = 0.1mH ,R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
(1)
5
D
P0093-01
G
4
(2)
典型
qJA
= 41 ° C /上一个1英寸的W
2
(6.45-cm
2
),
2盎司( 0.071毫米厚) Cu焊盘上0.06英寸( 1.52毫米)厚
FR4 PCB 。
脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
R
DS ( ON)
VS V
GS
20
R
DS ( ON)
- 导通状态电阻 - mΩ的
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
8
栅极电荷
I
D
= 14A
7
6
5
4
3
2
1
0
I
D
= 14A
V
DS
= 15V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
9
10
G006
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
8
9
10
G003
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
2010 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD17302Q5A
SLPS216 - 2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G( TH )
Q
OSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数( 4.5V )
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 14A ,V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ,我
F
= 14A,
的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 14A ,R
G
= 2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V ,我
D
= 14A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
= 0V时,我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10 / –8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ,我
D
= 14A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 14A
V
GS
= 8V ,我
D
= 14A
V
DS
= 15V ,我
D
= 14A
动态特性
730
390
35
0.8
5.4
1.2
1.7
0.9
9.5
5.2
8.4
10.6
3.1
0.85
15.4
17.5
1
950
510
45
1.6
7
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.2
9.5
7.3
6.4
68
30
1
100
1.7
12..8
9
7.9
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
热阻结到环境
(1) (2)
典型值
最大
1.8
51
单位
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
) , 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸( 3.81厘米× ( 0.071毫米厚) Cu焊盘
3.81厘米) , 0.06英寸( 1.52毫米)厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定,而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
) , 2盎司( 0.071毫米厚)的Cu 。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
CSD17302Q5A
2010 ,德州仪器
CSD17302Q5A
www.ti.com
SLPS216 - 2010年2月
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
来源
最大
qJA
= 51C / W
当安装在
1英寸
2
( 6.45厘米
2
)的
2盎司( 0.071毫米厚)
铜。
最大
qJA
= 125°C / W
安装在一个时
最小焊盘面积
2盎司( 0.071毫米厚)
铜。
M0137-01
M0137-02
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
P
占空比= T
1
/t
2
0.02
0.01
0.01
单脉冲
t
1
t
2
典型
q
JA
= 100
°
C / W (分铜)
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
图1.瞬态热阻抗
2010 ,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
CSD17302Q5A
3
CSD17302Q5A
SLPS216 - 2010年2月
www.ti.com
典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
50
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
TEXT增加了间距
50
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1.4
1.6
G001
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 8V
V
DS
= 5V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
1
1.5
2
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
3
G002
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
8
9
10
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
1.8
1.6
1.4
- 电容 - nF的
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
25
30
G004
I
D
= 14A
V
DS
= 15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
RSS
= C
gd
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.6
1.4
V
GS ( TH)
- 阈值电压 - V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-75
图5.电容
TEXT增加了间距
20
R
DS ( ON)
- 导通状态电阻 - mΩ的
I
D
= 250A
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压 - V
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
I
D
= 14A
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G005
9
10
G006
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
CSD17302Q5A
2010 ,德州仪器
CSD17302Q5A
www.ti.com
SLPS216 - 2010年2月
典型MOSFET的特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
TEXT增加了间距
1.6
归一化通态电阻
I
SD
- 源 - 漏电流 - 一个
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-75
I
D
= 14A
V
GS
= 4.5V
100
10
1
T
C
= 125°C
0.1
T
C
= 25°C
0.01
0.001
0.0001
-25
25
75
T
C
- 外壳温度 -
°C
125
175
G007
TEXT增加了间距
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1
1.2
G008
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
1k
I
(AV)
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
100
100
10
1ms
10ms
100ms
11110
区有限公司
由R
DS ( ON)
1s
T
C
= 25°C
10
1
0.1
单脉冲
典型
θJA
= 100 ℃/ W(分铜)
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
DC
100
G009
T
C
= 125°C
1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
t
(AV)
- 时间在雪崩 - 质谱
100
G010
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
I
DS
- 漏极 - 源极电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
C
- 外壳温度 -
°C
150
175
G011
图12.最大漏极电流与温度的关系
2010 ,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
CSD17302Q5A
5
查看更多CSD17302Q5APDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CSD17302Q5A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CSD17302Q5A
TI
21+
18600
QFN8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:黎小姐
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
CSD17302Q5A
TI/德州仪器
2023+
6845
QFN8
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
CSD17302Q5A
TI
25+23+
53000
QFN8
绝对进口原装原包原盘!深圳优势现货渠道商!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2851989185 复制

电话:0755-82522195
联系人:陈先生
地址:福田区华强北街道华富路南光大厦510
CSD17302Q5A
TI
17+
323
QFN8
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
CSD17302Q5A
TI
22+
24580
QFN8
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CSD17302Q5A
TI/德州仪器
24+
8640
DFN5*6
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
CSD17302Q5A
TI/德州仪器
22+
18260
QFN8
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CSD17302Q5A
TI
21+
12000
(DQJ)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1210757800 复制
电话:755-83229865
联系人:刘红样
地址:深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
CSD17302Q5A
TI(德州仪器)
23+
2500
DFN-8(4.9x5.7)
公司宗旨:只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
CSD17302Q5A
TI/德州仪器
20+
26000
DFN56
全新原装 货期两周
查询更多CSD17302Q5A供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!