CS8312
IGBT点火预驱动器与
动态电流调节
该CS8312是一个双极微处理器接口IC设计
驱动IGBT （或逻辑电平MOSFET ）供电大电感
加载中恶劣的工作环境。该IC的动态电流
限制功能可以让微处理器调节电流限制阈值
到实时需要的系统。
CLI ，限流输入，设置电流限制为IGBT高
或低中所指示的系统微处理器。 CLI也提出了和
降低的诊断标志输出信号的阈值。该
FLAG输出信号，微处理器在当前水平
在靠近IGBT的电流限制。 CTRL输入使
FLAG功能。
特点
P
兼容输入
可调电流限制阈值
外部检测电阻器
标志信号以指示输出状态
V
CC
http://onsemi.com
记号
图表
8
1
DIP–8
SUF科幻X
CASE 626
8
CS8312YN8
AWL
YYWW
1
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
CS831
ALYW2
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
CTRL
控制
逻辑
V
T
门
司机
5.0 V
OUT
引脚连接
旗
LATCH
V
REF
SENSE +
旗
SENSE +
感
GND
1
V
CC
CTRL
CLI
OUT
V
T
GND
CLI
感
订购信息
图1.框图
设备
CS8312YN8
CS8312YD8
CS8312YDR8
包
DIP–8
SO–8
SO–8
航运
50单位/铁
95单位/铁
2500磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第4版
出版订单号：
CS8312/D
CS8312
电路描述
标记功能（见图2 ）
输出级
该标志表示当在两个读出的电压
销已接近一直是电流限制水平
通过外部检测电阻的值确定
(R
SENSE
）和CTRL和CLI引脚的状态。如果
整个检测引脚电压（ SENSE + ， SENSE- ）小
比标志的开启电压，则FLAG为关闭。当
之间的检测引脚上的电压等于FLAG开启
电压，该标志将锁定，直到CTRL引脚变为
低。 FLAG被禁用时CTRL低。更改
从低到高CLI引脚将增加名义FLAG转
上的电压由约45％。
表1.标志时序序列
状态
0
1
2
3
0
控制
低
高
高
高
低
SENSE +
X
在阈值以下
高于阈值
X
X
旗
关闭
关闭
ON
ON
关闭
的CS8312输出（OUT）的饱和物和建筑材料电压
到IGBT （或MOSFET ）栅极一旦CTRL开关
从低到高。作为电流通过IGBT （MOSFET）
提高和检测电阻两端的电压传递
标志开启电压时，标志将打开。如果当前
通过检测电阻持续上升，感
电阻上的电压达到调节感应电压，然后
栅极电压将下降到调节驱动器的电平
并保持在该意义上的调节感测电压
电阻器。
电流限制功能
改变从逻辑低的CLI引脚为逻辑高电平
约45 ％增加了FLAG开启电压
和调节检测电压约39 ％
分别。
V
CC
V
BAT
0.1
F
负载
V
CC
V
CC
OUT
R
旗
微处理器
CTRL
SENSE +
CLI
感
GND
R
SENSE
CS8312
图2.应用程序与测试图
http://onsemi.com
4
CS8312
包装尺寸
DIP–8
SUF科幻X
CASE 626-05
ISSUE L
注意事项：
1.尺寸L TO领先时中心
平行地形成。
2.包装等高可选（圆形或
方角） 。
3.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
民
最大
9.40
10.16
6.10
6.60
3.94
4.45
0.38
0.51
1.02
1.78
2.54 BSC
0.76
1.27
0.20
0.30
2.92
3.43
7.62 BSC
---
10
_
0.76
1.01
英寸
民
最大
0.370
0.400
0.240
0.260
0.155
0.175
0.015
0.020
0.040
0.070
0.100 BSC
0.030
0.050
0.008
0.012
0.115
0.135
0.300 BSC
---
10
_
0.030
0.040
8
5
–B–
1
4
F
注2
–A–
L
C
–T–
座位
飞机
J
N
D
K
M
M
T A
M
H
G
0.13 (0.005)
B
M
SO–8
后缀
CASE 751-07
ISSUE W
–X–
A
8
5
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ） PER
SIDE 。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ）总数
超过D尺寸最大的
物质条件。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
–Y–
G
C
–Z–
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
封装热性能数据
参数
R
θJC
R
θJA
典型
典型
DIP–8
52
100
SO–8
45
165
单位
° C / W
° C / W
http://onsemi.com
5
CS8312
CS8312
IGBT点火预驱动器
与动态电流调节
描述
的CS8312是双极微处理器的
处理器接口IC设计
驱动器的IGBT （或逻辑电平
MOSFET的）供电大电感
略去负荷在恶劣的工作envi-
境下。 ICOS的动态电流
租金限制功能让微
处理器调节电流限制
阈值的实时需要的
该系统。
CLI ，限流输入，设置
电流限制为IGBT或高
低中所指示的系统
微处理器。 CLI也提出了和
降低门槛的diag-
NOSTIC FLAG输出信号。该
FLAG输出信号的微处理器的
处理器时的电流电平
方法上的电流限制
IGBT 。 CTRL输入使
FLAG功能。
特点
s
微处理器兼容输入
s
可调电流限制
门槛
s
外部检测电阻器
s
标志信号以指示
输出状态
绝对最大额定值
电源电压................................................ .................................- 0.3V至+ 12V
数字输入电流............................................... ..................................... 2毫安
内部功耗（T
A
= 25C ） ............................................. .... 700mW的
结温范围............................................... ......- 40C至+ 150C
存储温度范围............................................... .......- 55C至+ 165C
无铅焊接温度
波峰焊（只通过孔样式） ............. 10秒。最大260 ° C峰值
回流焊（仅限SMD样式） ............. 60秒。最大上面183C ， 230C高峰
静电放电（人体模型） ........................................... .2kV
封装选项
8L PDIP &过于狭窄
旗
1
SENSE +
V
CC
CTRL
CLI
OUT
框图
V
CC
CTRL
V
T
控制
逻辑
门
司机
OUT
感觉到
GND
旗
LATCH
V
T
SENSE +
V
REF
GND
CLI
感觉到
樱桃半导体公司
2000县南径，东格林威治， RI 02818
联系电话： (401)885-3600传真： (401)885-5786
电子邮件： info@cherry-semi.com
网站： www.cherry-semi.com
牧师97年4月7日
1
A
¨
公司
CS8312
电气特性继续
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
s
标记功能：继续
延时关闭
开启延迟
禁止时间
s
感测功能
输入电压范围
感调节电压
输入漏电流
传播延迟
CTRL降低
100
10
10
450
us
us
us
V
CTRL
=5.5V; V
CLI
=-0.3V
V
CTRL
=5.5V; V
CLI
=5.5V
V
CTRL
=5.5V
V
CTRL
=5.5V
-0.3
270
380
295
410
2.5
320
440
5
20
V
mV
mV
A
us
封装引脚说明
封装引脚＃
引脚符号
功能
8L PDIP & SO
1
2
3
4
5
6
7
8
旗
SENSE +
感觉到
GND
OUT
CLI
CTRL
V
CC
表示电流通过IGBT是否已经达到一个预
设定的水平。
积极投入到当前的比较。
地（ SENSE- ）的电流检测电阻。
接地连接。
输出电压与IGBT （MOSFET）的栅极。
电流限制输入的增加。
控制输入。
电源电压。
电路描述
标记功能（见应用图）
输出级
该标志表示当在两个读出的电压
销已接近一直是电流限制水平
通过外部检测电阻的值确定
(R
SENSE
）和CTRL和CLI引脚的状态。如果
整个检测引脚电压（ SENSE + ， SENSE- ）小
比标志的开启电压，则FLAG为关闭。当
之间的检测引脚上的电压等于FLAG转
电压，该标志将锁定，直到CTRL引脚
变低。 FLAG被禁用时CTRL低。
更改CLI引脚由低到高将增加
标称FLAG约45 ％开启电压。
表1标志时序序列
状态
0
1
2
3
0
控制
低
高
高
高
低
SENSE +
X
在阈值以下
高于阈值
X
X
旗
关闭
关闭
ON
ON
关闭
的CS8312输出（OUT）的饱和物和建筑材料电压
到IGBT （或MOSFET ）栅极一旦CTRL开关
从低到高。作为电流通过IGBT （MOSFET）
提高和检测电阻两端的电压通过
旗开启电压时，标志将打开。如果电流
租过检测电阻的不断上升，
检测电阻电压达到调节电压感
年龄，然后栅极电压将下降到规定的电平
驱动器和保持在调节感测电压
检测电阻。
电流限制功能
改变从逻辑低的CLI引脚为逻辑高电平
增加了FLAG开启电压约
45％和调节感测电压约
分别为39 ％。
3
QQ：2880707522 复制
