CSD16325Q5C
www.ti.com
SLPS237B - 2009年12月 - 修订2010年4月
DualCool N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16325Q5C
1
特点
DualCool 封装SON 5 × 6毫米
优化的双面冷却
优化5V栅极驱动器
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS和无卤素
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
V
GS
= 3V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 8V
阈值电压
1.1
25
18
3.5
2.1
1.7
1.5
V
nC
nC
m
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16325Q5C
包
SON 5 ×6毫米的塑料
包
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
同步降压在负载点的
网络，电信和计算机系统
优化了同步FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失
并优化了5V栅极驱动应用。
漏
门
来源
顶视图
D
D
D
D
D
底部视图
D
D
D
价值
25
+10 / –8
100
33
200
3.1
-55到150
500
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
E
AS
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 100A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
（ 1 ）典型
qJA
= 38 ° C / W 1式
2
铜，在0.060"厚（ 2盎司）。
FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
S
G
G
S
S
S
S
S
R
DS （ ON）
VS V
GS
5.0
10
9
栅极电荷
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - 毫瓦
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
T
C
= 25
°
C
I
D
= 30A
V
G
- 栅极电压 - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
D
= 30A
V
DS
= 12.5V
T
C
= 125
°
C
8
9
10
G006
0
5
10
15
20
25
30
35
40
G003
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
QG - 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
DualCool ，的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
CSD16325Q5C
SLPS237B - 2009年12月 - 修订2010年4月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏
门源漏
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷 - 栅漏
栅极电荷 - 门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
DS
= 30A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ，我
F
= 30A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V,
I
DS
= 30A ，R
G
= 2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V,
I
DS
= 30A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +10/–8V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 30A
V
GS
= 8V ，我
D
= 30A
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
动态特性
3070 4000
2190 2850
120
1.6
18
3.5
6.6
3.1
43
10.5
16
32
12
0.8
63
47
1
150
3.2
25
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
0.9
1.1
2.1
1.7
1.5
159
25
1
100
1.4
2.9
2.2
2
V
mA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
TYP MAX
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
QJC
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳（顶部源）
(1)
热阻结到外壳（底部排水孔）
热阻结到环境
(1) (2)
(1)
民
典型值
最大
1.4
1
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5英寸的0.060英寸厚的FR4板。
QJC
为特定网络版
在设计上，而
QCA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
2-盎司铜。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD16325Q5C
版权所有2009-2010，德州仪器
CSD16325Q5C
www.ti.com
SLPS237B - 2009年12月 - 修订2010年4月
门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 50℃ / W的
当安装在
1英寸
2
2-盎司铜。
最大
qJA
= 126 ° C / W
当安装在
最小焊盘面积
2-oz.Cu.
漏
M0137-01
漏
M0137-02
文本
和
文本
和
文本
和
文本和BR增加了间距
br
br
br
额外
额外
额外
为
为
为
间距
间距
间距
典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
Z
qJA
- NormalizedThermal阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
占空比= T
1
/t
2
P
t
1
t
2
o
0.01
单脉冲
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
P
- 脉冲持续时间-S
10
典型
q
JA
= 101 ℃/ W（分铜）
T
J
= P X Z
q
JA个R
q
JA
100
1k
G012
图1.瞬态热阻抗
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD16325Q5C
3
CSD16325Q5C
SLPS237B - 2009年12月 - 修订2010年4月
www.ti.com
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
100
90
V
GS
= 8V
100
90
V
DS
= 5V
TEXT增加了间距
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
80
70
60
50
40
30
20
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 2V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 55
°
C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
G001
0
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
G002
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
10
9
I
D
= 30A
V
DS
= 12.5V
8
7
图3.传输特性
TEXT增加了间距
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
V
G
- 栅极电压 - V
- 电容 - nF的
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
6
5
4
3
2
1
0
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
RSS
= C
gd
5
10
15
20
25
30
35
40
G003
0
5
10
15
20
25
G004
QG - 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - 毫瓦
1.6
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
25
75
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
75
I
D
= 250
m
A
I
D
= 30A
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
G006
T
C
- 外壳温度 -
°
C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极电压
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD16325Q5C
版权所有2009-2010，德州仪器
CSD16325Q5C
www.ti.com
SLPS237B - 2009年12月 - 修订2010年4月
典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
75
25
25
75
125
175
G007
TEXT增加了间距
100
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
归一化通态电阻
I
D
= 30A
V
GS
= 4.5V
10
1
0.1
T
C
= 25
°
C
0.01
0.001
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
G008
T
C
= 125
°
C
T
C
- 外壳温度 -
°
C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.导通电阻与温度的关系
TEXT增加了间距
1k
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1ms
T
C
= 25
°
C
100
T
C
= 125
°
C
10
10
10ms
100ms
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
典型
qJA
= 101
°
C / W （分铜）
0.1
1
V
D
- 漏极电压 - V
10
1s
0.1
DC
0.01
0.01
100
G009
1
0.01
0.1
1
10
100
G010
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
100
I
D
- 漏电流 - 一个
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°
C
图12.最大漏极电流与温度的关系
版权所有2009-2010，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
CSD16325Q5C
5
QQ：2881677436 复制
