CSD13381F4
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SLPS448A - 2013年7月 - 修订2013年11月
12 V ， N沟道FemtoFET MOSFET
检查样品：
CSD13381F4
1
特点
低导通电阻
低Q
g
和Q
gd
低阈值电压
超小尺寸（ 0402尺寸）
- 1.0毫米× 0.6毫米
超低简介
- 0.35毫米高度
集成ESD保护二极管
- 额定> 4 kV的HBM
- 额定> 2千伏的清洁发展机制
铅和卤素
符合RoHS
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
产品概述
漏极至源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
12
1060
140
V
GS
= 1.8V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
阈值电压
0.85
310
170
140
V
m
V
pC
pC
2
TEXT增加了间距
订购信息
设备
CSD13381F4
CSD13381F4T
数量
3000
250
媒体
7-Inch
REEL
7-Inch
REEL
包
毫微微（ 0402 ）1.0毫米×
0.6毫米SMD无铅减
船
磁带和
REEL
应用
优化负载开关应用
优化的通用开关
应用
单节电池应用
手持设备和移动应用
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
TEXT增加了间距
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，T
A
= 25°C
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
(1)
(2)
(1)
价值
12
8
2.1
7
500
4
2
-55到150
2.7
单位
V
V
A
A
mW
kV
kV
°C
mJ
描述
该FemtoFET MOSFET技术已
设计和优化，以尽量减少在足迹
许多手持设备和移动应用程序。这
技术能够取代标准的小
信号的MOSFET同时提供至少60％的
减少占用空间的大小。
.
典型零件的尺寸
人体模型（ HBM ）
ESD
评级带电器件模型（ CDM）
T
J
,
T
英镑
E
AS
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲I
D
= 7.4 A,
L = 0.1 mH的，R
G
= 25
（ 1 ）典型
θJA
= 90 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071-
毫米厚），在0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB的Cu焊盘。
（2）脉冲持续时间
≤300 μs,
占空比
≤2%
顶视图
5
0.3
mm
D
1.
00
m
m
60
0.
m
m
G
S
.
.
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FemtoFET是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏极至源极电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5 V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在V
th
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
SD
= 0.5 A ，V
GS
= 0V
V
DS
= 6 V，I
F
= 0.5 A ， di / dt的= 300 A / μs的
V
DS
= 0 V, V
GS
= 4.5 V,
I
DS
= 0.5 A ，R
G
= 2
V
DS
= 6 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 6 V，I
DS
= 0.5 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 6 V,
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V，I
DS
= 250
μA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 9.6 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= 4 V
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
μA
V
GS
= 1.8 V，I
DS
=0.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
DS
=0.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
DS
= 0.5 A
V
DS
= 6 V，I
DS
= 0.5 A
动态特性
155
47
2.5
23
1060
140
230
155
1120
3.7
1.5
11.0
3.8
0.73
1550
6
0.9
1400
200
62
3.3
pF
pF
pF
pC
pC
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
V
pC
ns
0.65
0.85
310
170
140
3.2
12
1
100
1.10
400
225
180
V
μA
nA
V
m
m
m
S
测试条件
民
典型值
最大
单位
二极管的特性
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
R
θJA
(1)
(2)
热阻结到环境
(1)
典型值
90
250
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
(2)
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
设备安装在FR4材料与铜最低安装面积。
2
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典型MOSFET的特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图1.瞬态热阻抗
TEXT增加了间距
7
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
6
5
4
3
2
1
0
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
3
V
DS
= 5V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
2
2.4
G001
TEXT增加了间距
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.9
1
G001
图2.饱和特性
图3.传输特性
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3
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
1.4
1.6
1.8
G001
TEXT增加了间距
1000
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
100
I
D
= 0.5A
V
DS
= 6V
- 电容（pF ）
10
1
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
12
G001
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
1.2
R
DS
(
on
)
- 通态电阻（mΩ ）
I
D
= 250uA
V
GS
(
th
)
- 阈值电压（ V）
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图5.电容
TEXT增加了间距
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（V）
7
8
G001
T
C
= 25 ℃， n = 0.5A
T
C
= 125℃ n = 0.5A
图6.阈值电压随温度的变化
TEXT增加了间距
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
75
25
25
75
125
T
C
- 外壳温度（ ° C）
175
G001
图7.导通电阻与栅极至源极电压
TEXT增加了间距
10
I
SD
- 源 - 漏极电流（A ）
归一化通态电阻
V
GS
= 1.8V
V
GS
= 4.5V
I
D
=0.5A
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1
G001
图8.归通态电阻与温度
图9.典型的二极管正向电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
TEXT增加了间距
100
I
AV
- 峰值雪崩电流（ A）
I
DS
- 漏极 - 源极电流（A ）
1ms
10ms
10
100ms
1s
DC
100
T
C
= 25C
T
C
= 125C
TEXT增加了间距
10
1
1
0.1
单脉冲
典型
ThetaJA
= 250C / W （分铜）
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
G001
0.1
0.001
0.01
0.1
T
AV
- 在雪崩时间（ms ）
1
G001
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
3.5
I
DS
- 漏极 - - 源电流（A ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
典型
ThetaJA
= 90℃ / W （最大铜）
0.0
50
25
0
25
50
75
100 125
T
A
- AmbientTemperature （ C ）
150
175
G001
图12.最大漏极电流与温度的关系
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