华晶分立器件
硅
概述
：
CS5N60A8H,
该
硅
N沟道
增强
VDMOSFETs ，通过自对准的平面技术得到
这减少了传导损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。晶体管
可以为系统中的各种功率开关电路，用于
小型化和更高的效率。封装形式为
TO- 220AB ，符合RoHS标准。
R
○
N沟道
功率MOSFET
CS5N60A8H
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS （ ON）
600
5
85
1.4
V
A
W
产品特点：
快速开关
低导通电阻
(Rdson≤1.6)
低栅电荷
（典型数据： 22nC ）
低反向传输电容
（典型： 14pF ）
100％的单脉冲雪崩能量测试
应用
：
适配器和充电器的功率开关电路。
绝对
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
符号
V
DSS
I
D
I
DM
a1
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
等级
600
5
3.6
20
±30
320
31
8.0
4.5
85
0.68
150 ， -55至150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
单脉冲雪崩能量
雪崩能量，重复
雪崩电流
a1
a3
dv / dt的
P
D
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
降额系数高于25 ℃，
工作结存储温度范围
MaximumTemperature焊锡
T
J
，T
英镑
T
L
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
分页： 10 1
2008
华晶分立器件
电气特性
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
开关特性
符号
V
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS （ F）
I
GSS （r）的
参数
漏源击穿电压
BVDSS温度系数
漏极至源极漏电流
门源正向漏
栅极至源极反向漏
R
○
CS5N60A8H
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
ID=250uA,Reference25℃
V
DS
=600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V
V
GS
=-30V
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
Un
ITS
V
V/
℃
A
nA
nA
600
--
--
--
--
--
0.67
--
--
--
--
--
1
100
±100
基本特征
符号
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
参数
漏极 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
测试条件
V
GS
=10V,I
D
=2.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
--
2.0
1.4
3.1
1.6
4.0
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
= 0V V
DS
= 25V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=2.5A
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
5.0
--
--
--
510
65
17
--
电阻开关特性
符号
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏（ “米勒” ）费
I
D
= 5A V
DD
=400V
V
GS
= 10V
I
D
= 5A V
DD
= 250V
R
G
=25
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
--
--
--
--
--
--
--
17
50
50
48
22
2.6
12
--
--
--
--
nC
ns
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
P A G e 2的华氏度1 0
2008
华晶分立器件
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=5.0A,V
GS
=0V
I
S
=5.0A,T
j
= 25°C
dI
F
/dt=100A/us,
V
GS
=0V
R
○
C5N60A8H
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
V
ns
C
--
--
--
--
--
--
--
--
300
2.1
5
20
1.5
--
--
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
a1
a2
参数
结到外壳
结到环境
典型值。
1.47
62.5
单位
℃/W
℃/W
*重复
评级;脉冲宽度有限的最高结温
：L=10mH,
I
D
= 5A ，启动T
J
=25℃
a3
：I
SD
=5A,di/dt
≤100A/us,V
DD
ΔBV
DS ，
启动T
J
=25℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 3
2008
华晶分立器件
特性曲线：
100
R
○
C5N60A8H
90
80
100μs
ID ，漏电流，安培
钯，功耗瓦
10
1ms
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
1
10ms
在这一领域
可能是有限的R
DS （ ON）
T
J
=最大额定
T
C
= 25℃时单脉冲
100ms
DC
0 .1
0 .0 1
1
10
100
V DS ，D RA的 - 到 - S环境允许的V LTA GE ，V LTS
1000
TC，案例tem温度，C
图1最高可正向偏置安全工作区
6
ID ，漏电流，安培
5
ID ，漏电流，安培
图2最高可功耗与外壳温度
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25 ？
4.5
V
GS
=15V
4
3
2
1
0
0
25
75
100
125
50
TC ，外壳温度，C
150
V
GS
=7V
3
V
GS
=6.5V
V
GS
=6V
1.5
V
GS
=4.5V
V
GS
=5.5V
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压，电压
25
图3最大连续漏极电流与外壳温度
1
热阻抗，归一化
50%
20%
图4典型的输出特性
0.1
10%
5%
2%
P
DM
0.01
单脉冲
t1
t2
1%
注意事项：
占空比
：D=t1/
t2
PEAK TJ = P
DM
*Z
thJC
*R
thJC
+T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
矩形脉冲持续时间，秒
0.1
1
图5最大有效散热交流阻抗，结到外壳
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
第10 4
2008
华晶分立器件
100
跨导可能会限制
当前在这一地区
R
○
C5N60A8H
IDM ，峰值电流，安培
对于温度
在25℃以上降额峰值
当前，如下所示：
150
T
C
I
=
I
25
125
10
1
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
t
，
脉冲宽度，秒
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
9
ID ，漏电流，安培
7.5
6
4.5
3
1.5
0
2
-55℃
+25℃
+150℃
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DS
=30V
图6最高可峰值电流能力
6
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
5
4
3
2
1
0
3
4
5
VGS ，门源电压，电压
6
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
I
D
= 5A
I
D
= 2.5A
I
D
= 1.25A
图7典型的传输特性
3
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
6
8
10
12
14
VGS ，门源电压
，
伏
图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压
和漏极电流
RDS（ON） ，漏极至源极导通电阻，
Nomalized
2.5
2.25
2
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
脉冲持续时间为10μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
VGS = 10V ID = .2.5A
4
2.5
2
V
GS
=20V
1.5
1
0
5
10
15
ID ，漏电流，安培
20
-50
0
50
100
TJ ，结温，C
150
图9典型漏极至源极导通电阻
VS漏电流
图10典型Drian到源通电阻
VS结温
第10个5
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT 。
2008
QQ：2880707522 复制
