381B
CY7C1381B
CY7C1383B
512 × 36 / 1M × 18流流通SRAM
特点
快速访问时间： 7.5 ， 8.5 ， 10.0纳秒
快速的时钟速度： 117 ， 100 ， 83 MHz的
提供高性能3-1-1-1接入速率
最适合深度拓展
3.3V （ -5 ％ / + 10 ％ ）电源
常见的数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
芯片启用地址管道
地址，数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
自动断电可使用ZZ模式或CE
DESELECT
高密度，高速包
针对BGA封装的版本JTAG边界扫描
内部突发操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发时钟输入控制寄存器
（CLK） 。同步输入包括所有地址，所有的数据
输入地址流水线芯片使能（ CE ） ，突发控制
输入（ ADSC ， ADSP和ADV ） ，写入启用（ BWA ， BWB ，
BWC ， BWD和BWE ）和全局写（ GW ） 。
异步输入包括输出使能（ OE ）和
突发模式控制（ MODE ） 。的数据输出（Q ） ，使
通过OE ，也都是异步的。
地址和芯片使注册的任
地址状态处理器（ ADSP ）或地址状态控制器
（ ADSC ）输入引脚。随后一阵地址可以跨
应受所产生的突发提前引脚（ ADV）的控制。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写周期。写周期可以是一个
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单个字节写入允许写入单个字节。 BWA
控制DQ1 - DQ8和DP1 。 BWB控制DQ9 - DQ16和
DP2 。 BWC控制DQ17 - DQ24and DP3 。 BWD控制
DQ25 - DQ32和DP4 。 BWA ， BWB BWC和BWD可
只有主动与BWE为低。 GW是低会导致所有
字节写入。写直通功能使
写入可用的数据在输出端为紧接着的下一
读周期。该器件还集成了流水线启用
电路，便于深度扩展，而不惩罚系统
性能。
所有输入和CY7C1381B和CY7C1383B的输出
是符合JEDEC标准的JESD8-5兼容。
功能说明
赛普拉斯同步突发SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计采用了先进的
单层多晶硅三层金属工艺。每
存储单元由六个晶体管。
该CY7C1381B和CY7C1383B SRAM的集成
524288 × 36和1048576 × 18的SRAM单元具有先进
同步外围电路和一个2位计数器为
选购指南
117兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
7.5
250
20
100兆赫
8.5
225
20
83兆赫
10.0
185
20
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05196牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年12月3日
CY7C1381B
CY7C1383B
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA封装焊球
CY7C1381B （ 512K × 36 ） - 11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DPC
DQC
DQC
DQC
DQC
NC
DQD
DQD
DQD
DQD
DPD
NC
模式
2
A
A
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
64M
32M
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BWC
BWD
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
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DD
V
DD
V
DD
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DD
V
DD
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DD
V
SS
A
A
5
BWB
BWA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
NC
128M
DPB
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DPA
A
A
CY7C1383B （ 1M × 18 ） - 11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
DPB
NC
模式
2
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
64M
32M
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BWB
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
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SS
A
A
5
NC
BWA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
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V
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V
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V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
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V
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SS
V
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V
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V
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NC
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
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V
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V
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V
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SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
A
128M
DPA
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
文件编号： 38-05196牧师**
第31 5
381B
CY7C1381B
CY7C1383B
512 × 36 / 1M × 18流流通SRAM
特点
快速访问时间： 7.5 ， 8.5 ， 10.0纳秒
快速的时钟速度： 117 ， 100 ， 83 MHz的
提供高性能3-1-1-1接入速率
最适合深度拓展
3.3V （ -5 ％ / + 10 ％ ）电源
常见的数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
芯片启用地址管道
地址，数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
自动断电可使用ZZ模式或CE
DESELECT
高密度，高速包
针对BGA封装的版本JTAG边界扫描
内部突发操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发时钟输入控制寄存器
（CLK） 。同步输入包括所有地址，所有的数据
输入地址流水线芯片使能（ CE ） ，突发控制
输入（ ADSC ， ADSP和ADV ） ，写入启用（ BWA ， BWB ，
BWC ， BWD和BWE ）和全局写（ GW ） 。
异步输入包括输出使能（ OE ）和
突发模式控制（ MODE ） 。的数据输出（Q ） ，使
通过OE ，也都是异步的。
地址和芯片使注册的任
地址状态处理器（ ADSP ）或地址状态控制器
（ ADSC ）输入引脚。随后一阵地址可以跨
应受所产生的突发提前引脚（ ADV）的控制。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写周期。写周期可以是一个
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单个字节写入允许写入单个字节。 BWA
控制DQ1 - DQ8和DP1 。 BWB控制DQ9 - DQ16和
DP2 。 BWC控制DQ17 - DQ24and DP3 。 BWD控制
DQ25 - DQ32和DP4 。 BWA ， BWB BWC和BWD可
只有主动与BWE为低。 GW是低会导致所有
字节写入。写直通功能使
写入可用的数据在输出端为紧接着的下一
读周期。该器件还集成了流水线启用
电路，便于深度扩展，而不惩罚系统
性能。
所有输入和CY7C1381B和CY7C1383B的输出
是符合JEDEC标准的JESD8-5兼容。
功能说明
赛普拉斯同步突发SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计采用了先进的
单层多晶硅三层金属工艺。每
存储单元由六个晶体管。
该CY7C1381B和CY7C1383B SRAM的集成
524288 × 36和1048576 × 18的SRAM单元具有先进
同步外围电路和一个2位计数器为
选购指南
117兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
7.5
250
20
100兆赫
8.5
225
20
83兆赫
10.0
185
20
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05196牧师* C
3901北一街
圣何塞， CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月18日
CY7C1381B
CY7C1383B
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA封装焊球
CY7C1381B （ 512K × 36 ） - 11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DPC
DQC
DQC
DQC
DQC
NC
DQD
DQD
DQD
DQD
DPD
NC
模式
2
A
A
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
DQD
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NC
64M
32M
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
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V
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V
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NC
V
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V
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A
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4
BWC
BWD
V
SS
V
DD
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SS
A
A
5
BWB
BWA
V
SS
V
SS
V
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NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
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A
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GW
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NC
TDO
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ADSC
OE
V
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A
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ADV
ADSP
V
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V
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NC
V
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A
10
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
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DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
NC
128M
DPB
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DPA
A
A
CY7C1383B （ 1M × 18 ） - 11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
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NC
NC
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NC
NC
NC
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DQB
DQB
DQB
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DPB
NC
模式
2
A
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NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
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NC
NC
NC
NC
NC
64M
32M
3
CE
1
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2
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NC
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ADSC
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ADV
ADSP
V
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10
A
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NC
NC
NC
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DQA
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NC
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11
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128M
DPA
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DQA
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文件编号： 38-05196牧师* C
第31 5
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