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CS220-8B
CS220-8D
CS220-8M
CS220-8N
可控硅整流器
8.0 AMP ， 200 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CS220-8B
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码：全型号
TO- 220 CASE
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 90 ° C）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
峰值正向栅电流（ TP = 10微秒）
峰值正向栅极电压（ TP = 10微秒）
峰值反向栅极电压（ TP = 10微秒）
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IFGM
VFGM
VRGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
CS220
-8B
200
CS220
-8D
400
8.0
60
18
40
1.0
4.0
16
5.0
50
-40到+150
-40到+125
60
2.5
CS220 CS220
-8M
-8N
600
800
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VRRM
VRRM ， TC = 125°C
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT=100mA
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
3.0
7.3
0.9
1.3
200
15
20
1.5
1.8
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 16A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， TC = 125°C
R3 （ 2004年24月）
中央
TM
半导体公司
CS220-8B
CS220-8D
CS220-8M
CS220-8N
可控硅整流器
8.0 AMP ， 200 THRU 800伏
TO- 220案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
3 ）门
注： TAB是很常见
到引脚2 （阳极）
标识代码：
全部型号
符号
A
B
C
D
E
F（ DIA）
G
H
I
J
K
L
M
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.170 0.190 4.31
4.82
0.045 0.055 1.15
1.39
0.013 0.026 0.33
0.65
0.083 0.107 2.10
2.72
0.394 0.417 10.01 10.60
0.140 0.157 3.55
4.00
0.100 0.118 2.54
3.00
0.230 0.270 5.85
6.85
0.560 0.625 14.23 15.87
-
0.250
-
6.35
0.025 0.038 0.64
0.96
0.500 0.579 12.70 14.70
0.090 0.110 2.29
2.79
TO- 220 （ REV ： R2 ）
R3 （ 2004年24月）
CS220-8B
CS220-8D
CS220-8M
CS220-8N
可控硅整流器
8.0 AMP ， 200 THRU 800伏
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CS220-8B
串联式是环氧模塑可控硅
整流器设计的传感电路的应用
和控制系统。
标识代码：全型号
TO- 220 CASE
最大额定值：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
RMS通态电流（ TC = 90 ° C）
峰值一个周期浪涌（ T = 10毫秒）
I
2
为融合吨值（T = 10毫秒）
峰值功率门控（ TP = 10微秒）
平均门功耗
峰值正向栅电流（ TP = 10微秒）
峰值正向栅极电压（ TP = 10微秒）
峰值反向栅极电压（ TP = 10微秒）
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
热阻
VDRM ， VRRM
IT （ RMS ）
ITSM
I
2
t
PGM
PG （AV）
IFGM
VFGM
VRGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
JA
Θ
JC
CS220
-8B
200
CS220
-8D
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8.0
60
18
40
1.0
4.0
16
5.0
50
-40到+150
-40到+125
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2.5
CS220 CS220
-8M
-8N
600
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单位
V
A
A
A
2
s
W
W
A
V
V
A / μs的
°C
°C
° C / W
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
IDRM ，
IDRM ，
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
IRRM
IRRM
额定VDRM ，
额定VDRM ，
VRRM
VRRM ， TC = 125°C
VD = 12V ，RL = 10Ω
IT=100mA
典型值
最大
10
2.0
单位
A
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
3.0
7.3
0.9
1.3
200
15
20
1.5
1.8
VD = 12V ，RL = 10Ω
ITM = 16A ， TP = 380μs
VD =
2
/
3
VDRM ， TC = 125°C
R3 （ 2004年24月）
中央
TM
半导体公司
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CS220-8D
CS220-8M
CS220-8N
可控硅整流器
8.0 AMP ， 200 THRU 800伏
TO- 220案例 - 机械外形
前导码：
1 ）阴极
2 ）阳极
3 ）门
注： TAB是很常见
到引脚2 （阳极）
标识代码：
全部型号
符号
A
B
C
D
E
F（ DIA）
G
H
I
J
K
L
M
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
0.170 0.190 4.31
4.82
0.045 0.055 1.15
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-
0.250
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0.96
0.500 0.579 12.70 14.70
0.090 0.110 2.29
2.79
TO- 220 （ REV ： R2 ）
R3 （ 2004年24月）
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27439
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全新原装现货，原厂代理。
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