飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S4125N
第0版， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率高达500兆赫。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 465 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1100毫安，P
OUT
。 = 25瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 23分贝
漏极效率 - 30.2 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 125瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S4125NR1
MRF5S4125NBR1
450 - 480兆赫， 25 W的AVG ， 28 V 。
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
MRF5S4125NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
MRF5S4125NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度90 ° C， 125瓦CW
外壳温度90 ° C， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.43
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.5 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
2.41
74.61
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
3.5
0.05
3
4.25
0.175
4
5
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1100毫安，P
OUT
= 25瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 465 MHz时，
单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
22
28
—
—
23
30.2
- 47.6
- 15
25
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C5
R1
B1
V
供应
+
R2
C6
B2
L3
C13
C14
C15
C16
Z19
RF
输入
R3
Z1
C1
C2
Z3
Z4
Z5
C3
C4
Z2
L1
Z6
Z7
L2
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z18
C11
C9
C10
Z16
Z17
Z20
RF
产量
DUT
C7
C8
Z21
C12
Z22
Z15
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
0.186″
0.206″
1.171″
0.275″
0.985″
0.130″
0.131″
0.675″
0.397″
0.071″
0.008″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.504″
x 0.656″
x 0.084″
x 0.084″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20
Z21
Z22
PCB
0.063 “× 0.084 ”微带
0.315 “× 0.084 ”微带
0.473 “× 0.084 ”微带
0.522 “× 0.084 ”微带
0.448 “× 0.084 ”微带
0.628 “× 0.084 ”微带
0.291 “× 0.084 ”微带
0.318 “× 0.084 ”微带
0.202 “× 0.084 ”微带
0.190 “× 0.084 ”微带
阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C6, C12, C13
C2, C10
C3, C9
C4
C5, C14, C15
C7
C8
C11
C16
L1, L2
L3
R1
R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
120 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的，可变电容器， Gigatrim
20 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
10
μF,
50 V贴片电容
27 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
22
μF,
35 V钽电容器
1.6 nH的电感器
27 nH的电感器
1000
Ω,
1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
100
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC600B121BT250XT
27291SL
ATC600B200BT250XT
ATC600B8R2BT250XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC600B270BT250XT
ATC600B470BT250XT
ATC600B3R3BT250XT
T491X226K035A5
0906 - 2
1812SMS - 27N_L
CRCW12061001FKTA
CRCW12061002FKTA
CRCW1206100RFKTA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
约翰森
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
基美
Coilcraft公司
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C6
B1
C14
R1
C15
B2
R2
C13
C16
C5
切出区
L3
R3
C1
C2
L1
L2
C3
C4
C8
C7
C9
C11
C10
C12
MRF5S4125N
第1版
图2. MRF5S4125NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
0
5
10
15
20
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
0
5
10
15
20
I
DQ
= 550毫安
562.5毫安
825毫安
40
1375毫安
1100毫安
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
200 300
1
10
100
200 300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
ACPR
20
19
IRL
18
60
ALT1
430
440
450
460
470
480
490
65
500
17
420
1.2288 MHz的信道带宽
PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
η
D
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 25瓦（平均）。
I
DQ
= 1100毫安，单载波n -CDMA
36
32
28
24
45
50
55
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 25瓦的魅力。
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
ACPR
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 58 W（平均）。
I
DQ
= 1100毫安，单载波n -CDMA
1.2288兆赫，信道带宽
PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
η
D
52
48
44
40
20
30
40
50
60
500
ALT1
17
420
430
440
450
460
470
480
490
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 58瓦的魅力。
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
V
DD
= 28伏直流
F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
1375毫安
1100毫安
825毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1650毫安
10
V
DD
= 28伏直流
F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
两个-Tone测量， 2.5 MHz的音调间隔
20
30
550毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
QQ：2880707522 复制
